相对介电常数2.2、强度为2倍！AMAT发布第3代low-k膜专用装置

美国应用材料（AMAT）发布了可形成适用于22nm～14nm逻辑IC的低介电率（low-k）层间绝缘膜的两款制造装置。分别是成膜装置“Producer Black Diamond 3”和紫外线（UV）固化装置“Producer Nanocure 3”。

由发布可知，因微处理器耗电量的1/3为布线耗电量所占，因此市场上要求能够在降低布线耗电量的同时，确保高机械强度的层间绝缘膜。对此，应用材料开发出了第3代low-k膜，并投产了可制造这种low-k膜的装置。第3代low-k膜是带有纳米级空孔的多孔质（Porous）膜，相对介电常数（k）仅为2.2。并提高了空孔率的均匀性等，使机械强度比原来最大改善至2倍，可以耐受成膜后晶圆处理工序和封装组装工序的应力。据介绍，为提高均匀性，应用材料改进了UV固化装置的光学系统及反应室（Chamber）的设计，固化均匀性与原来相比最大提高了50％。并且，通过组合使用高输出功率的UV光源和低压固化工艺，将固化处理的速度提高了40％（参阅英文发布资料）。（记者：长广 恭明）