性价比一流：英飞凌推出面向低频率应用的600 V CoolMOS™ S7超结MOSFET

【2020年3月3日，德国慕尼黑讯】英飞凌科技股份公司成功开发出满足最高效率和质量要求的解决方案。对于MOSFET低频率开关应用而言，新推出的600 V CoolMOS™ S7系列产品可带来领先的功率密度和能效。CoolMOS™ S7系列产品的主要特点包括导通性能优化、热阻改进以及高脉冲电流能力，并且具备最高质量标准。该器件适合的应用包括有源桥式整流器、逆变极、PLC、功率固态继电器和固态断路器等。此外，10 mΩ CoolMOS™ S7 MOSFET是业界RDS(on)最小的器件。

该产品系列专为低频率的开关应用而开发，旨在降低它们的导通损耗，确保响应速度最快和效率最高。CoolMOS™ S7器件甚至实现了比CoolMOS™ 7产品更低的RDS(on) x A，因而能够成功地抵消开关损耗，最终实现导通电阻降低和成本节省。对于高压开关而言，CoolMOS™ S7产品拥有市面上最低的导通电阻(RDS(on))。此外，10 mΩ芯片采用创新的顶面冷却QDPAK封装，22 mΩ芯片采用先进的小型TO无引脚(TOLL)SMD封装。这些MOSFET可助力实现经济、简化、紧凑、模块化和高效的设计。设计出来的系统可以轻松满足法规要求和能效认证标准(如适用于SMPS的Titanium®标准)，也能满足功率预算，减少零部件数量和散热器需求，同时降低总拥有成本(TCO)。

供货情况

22 mΩ 600 V CoolMOS™ S7器件拥有TO无引脚封装和TO-220封装，40 mΩ和65 mΩ器件拥有TO无引脚封装。10 mΩ CoolMOS™ S7 MOSFET将在2020年第四季度上市。