三安集成为宽禁带电力半导体产业发布全新升级生产平台

美国加州桑尼维尔, April 21, 2020 (GLOBE NEWSWIRE) -- 三安集成电路有限公司(Sanan IC)，拥有先进化合物半导体制造平台的世界级晶圆工厂，今日宣布，在其不断扩展的业务中，将对全世界开放其先进的宽禁带电力电子代工服务将，其中包括650V和1200V SiC器件和650V HEMT功率器件的加工服务。

“三安集成母公司三安光电有限公司，拥有非常丰富的化合物半导体生产经验，这促使我们为电力电子产品建立属于自己的宽禁带半导体生产线，”三安集成的CEO, Raymond Cai 说道，“并且，我们意识到电力电子产业需要尖端的加工服务。三安集成有能力为高速发展的电力电子市场提供一个综合性平台，给予无与伦比的服务和安全质量保障，协助客户进行样品生产或低门槛量产。”

根据Yole分析报告，GaN电力电子市场在2017-2023年间，预计将以55%的年复合增长率速度发展。另一份Yole市场技术报告指出，SiC电力电子市场2018-2024的年复合增长率将达到29%。

随着GaN和SiC的解决方案分别在智能手机和大数据领域大放异彩，这两项技术已经被电力电子器件行业认可，用于系统设计重塑。三安集成致力于推动GaN和SiC技术革新，提供综合性的电力电子代工服务，拥有丰富的大规模生产经验，承诺以高安全质量标准。在以下应用领域，三安集成是您成功道路上的理想合作伙伴：

·EV & HEV

·UPS with PFC

·充电器和电池续航

·光伏逆变器和能源存储

·发动机驱动

在2019年6月，三安集成发布了G06P111, 一项复合JEDEC标准的650V强化HEMT GaN制程技术。此后，三安集成研发了数款用于GaN代工的MPW。使用三安集成的制程设计组件和e-加工服务，设计师可以体验模拟GaN器件的设计和表现，在大规模量产前确保设计无误。

今年，公司计划提供更广泛的基础产品MPW流片，包括200V和100V的低压E-HEMT加工服务和高电流M3加工。更多的基础研发计划，包括GaN集成电路和高可靠性D-MISFET，将在下半年开展。

三安集成的生产管理系统已经获得了数个国际证书的认证，包括 IATF 16949:2016, ISO 9001:2015和ISO 27001:2013，意味着公司严格的信息安全规程和知识产权保护的客户承诺。为了使客户的产品更快进入市场，三安集成同时提供前期产品开发的一站式服务，包括背铜工艺、背磨工艺、背面金属和切割工艺、电路测试和开放式引线框架的标准塑料封装。