请听题：能否在200ns内开启或关闭RF源？

时间：2020-05-25 09:35:05

关键字： RF HP 运算放大器控制电路

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[导读]能否在 200 ns 内开启或关闭RF源？提问在脉冲雷达应用中，从发射到接收操作的过渡期间需要快速开启/关闭高功率放大器 (HPA)。典型的转换时间目标可能小于1 μs。传统上，这是通过漏极控制来实现的。漏极控制需要在28 V至50 V的电压下切换大电流。已知开关功

能否在 200 ns 内开启或关闭RF源？

提问

在脉冲雷达应用中，从发射到接收操作的过渡期间需要快速开启/关闭高功率放大器 (HPA)。典型的转换时间目标可能小于1 μs。传统上，这是通过漏极控制来实现的。漏极控制需要在28 V至50 V的电压下切换大电流。已知开关功率技术可以胜任这一任务，但会涉及额外的物理尺寸和电路问题。在现代相控阵天线开发中，虽然要求尽可能低的SWaP（尺寸重量和功耗），但希望消除与HPA漏极开关相关的复杂问题。

本文将提出一种独特但简单的栅极脉冲驱动电路，为快速开关HPA提供了另一种方法，同时消除了与漏极开关有关的电路。实测切换时间小于200 ns，相对于 1 μs 的目标还有一些裕量。其他特性包括：解决器件间差异的偏置编程能力，保护HPA免受栅极电压增加影响的栅极箝位，以及用于优化脉冲上升时间的过冲补偿。

典型漏极脉冲配置

通过漏极控制开关HPA的典型配置如图1所示。一个串联FET开启输入HPA的高电压。控制电路需要将逻辑电平脉冲转换为更高电压以使串联FET导通。

图1. 传统HPA脉冲漏极配置

此配置的难点包括：

大电流的切换要求从大容量电容到HPA漏极引脚的路径是一条低电感路径。

关闭时，漏极电容保有电荷，需要额外的放电路径。这是通过额外的FET Q2来实现的，对控制电路的约束随之增加：Q1和Q2绝不能同时使能。

很多情况下，串联FET是N沟道器件。这要求控制电路产生一个高于HPA漏极电压的电压才能开启。

控制电路的设计方法已是众所周知且行之有效。然而，相控阵系统不断期望集成封装并降低SWaP，因此希望消除上述难点。实际上，人们的愿望是完全消除漏极控制电路。

推荐栅极脉冲电路

栅极驱动电路的目标是将逻辑电平信号转换成合适的GaN HPA栅极控制信号。需要一个负电压来设置适当的偏置电流，以及一个更大的负电压来关闭器件。因此，电路应接受正逻辑电平输入并转换为两个负电压之间的脉冲。电路还需要克服栅极电容影响，提供急速上升时间，过冲应极小或没有。

对栅极偏置设置的担忧是，偏置电压的小幅增加可能导致HPA电流的显著增加。这就增加了一个目标，即栅极控制电路应非常稳定，并有一个箝位器来防止受损。另一个问题是，设置所需漏极电流时，不同器件的最佳偏置电压有差异。这种差异使得人们更希望有系统内可编程栅极偏置特性。

图2所示电路达成了所述的全部目标。运算放大器U1使用反相单负电源配置。利用一个精密DAC设置运算放大器基准电压，以实现V+引脚上的增益。当逻辑输入为高电平时，运算放大器箝位到负供电轨。当输入为低电平时，运算放大器输出接近一个小的负值，该值由电阻值和DAC设置决定。反相配置是故意选择的，目的是当逻辑输入为低电平或接地时开启HPA，因为逻辑低电平的电压差异小于逻辑高电平。采用轨到轨运算放大器，它具有较大压摆率和足够的输出电流驱动能力，适合该应用。