三种主流LED技术的进展及市场趋势

显示技术从1080P，演变到4K，再到8K 世代，再随着面板尺寸扩大，对于更高的解析度、轻薄化、高动态HDR 的显示需求也逐步提升。

此外，面板的显示技术也渐渐从传统背光走向自主发光模式，而LED 技术领域的钻研成为目前市场主流方向。

由于LED能搭配软性面板，达到与OLED抗衡的曲面显示，甚至是透明显示技术，再加上OLED目前的可靠性与使用寿命均有缺陷，使得Mini LED与Micro LED应运而生。

LED与大多技术渗透趋势类似，随新技术成熟度提升，及成本下降之下，终端产品的应用也愈来愈多。此外，LED显示技术也开始朝向小间距发展，创造更多元的应用。

随着产品技术不断改善，研发技术持续升级，LED点间距已经可以做到1mm以下的小间距产品。

依照业内普遍共识，点间距在2.5mm以下的LED显示器即可定义为小间距。至于Micro LED则要求间距小于0.01mm，且晶片尺吋小于0.05mm，而Mini LED的间距要求与晶片尺吋则介于小间距LED与Micro LED之间。

小间距LED

近年来，小间距LED的间距逐步缩小，从平均10mm向2mm以下前进，进而开始与DLP、LCD萤幕竞争室内显示器市场。而随着LED晶片因晶片工艺精进，与MOCVD设备瓶颈突破后，成本快速下滑，其最终产品价格已至降至DLP 萤幕之下。

资料来源：利亚德

至于全球市场模规方面，根据OFweek产业研究院资料显示，2017年全球小间距LED显示萤幕市场规模超过10亿美元，预计2020年将逼近18亿美元。从区域分布看，亚太地区为比重最高的市场约50％～60％，其次为北美、欧洲地区。

然而小间距LED还是有其物理上的技术限制，因此对于更小间距的消费应用市场，就留给Mini LED、Micro LED发挥。

Micro LED

在苹果曾表示未来旗下各类消费性产品的显示技术将采用Micro LED，而Micro LED立即成为当红炸子鸡。

Micro LED是LED产业的延伸，在LED晶片制造环节与传统技术具备相似性，同样需要外延片、RGB 三色晶粒与组装。

Micro LED 虽然前段制程与面板、IC 电路相似，但多了一项巨量转移制程。而目前Micro LED量产最大难关就是在此环节上。

因为Micro LED基板主要是电流驱动的TFT结构，而将数以万计的LED晶片转移至TFT基板上（巨量转移过程），就是目前各厂所面临的良率及效率的严峻考验。

若要达到商用化程度，Micro LED巨量转移良率必须达到99.9999％。若以一台4K UHD面板为列，其含有3840＊2160图元，转化为彩色Micro LED晶片将超过24，800，000颗。

如果只以99.99％良率计算，一台4K 显示器上的不合格晶片将高达2488.32颗，如果是99.9999％的良率，只会有2.49颗不合格晶片。由此可以看出目前各厂面对这座巨大技术高墙暂时难以突破。

不过，即使Micro LED良率问题无法有效改善，但Yole还是认为今年Micro LED应用将可在小尺吋市场中见到身影，特别是穿戴式消费性电子，随后在2021年开始渗透至智慧手机与电视领域，而智慧手机将是Micro LED显示技术运用最大的领域。

Mini LED

Mini LED作为小间距LED与Micro LED的过渡应用，其优势在于Mini LED背光能够利用已有的LCD技术基础，结合成熟的RGB LED技术，将产品推出的周期缩短。

以生产环节看，Mini LED目前虽然在中期阶段，但面临的困难不像Micro LED难以突破。不过要顺利推动还是需要外延片、晶片、封装、基板、TFT 背板、驱动IC 与设备厂商等共同努力。

LEDinside指出，Mini LED未来可能的发展方向，涵盖电视、手机、车用面板、显示幕等，预估2023年整体Mini LED产值将达到10亿美元，其中LED显示萤幕及大尺吋电视等，将是Mini LED应用的主流。