美光控告中国台湾晶圆代工巨头联电帮窃取 DRAM 制程案，12 日台中地院做出判决，联电 3 名主管最高遭判刑 6 年半，联电也被判罚 1 亿元（新台币）。
台媒《科技新报》报道，台中法院 6 月 12 日就全球前 4 大晶圆代工厂之一的台湾联电被控，协助福建晋华以窃取美商科技大厂美光（Micron）动态随机存取记忆体（DRAM）生产技术一案作出判决，涉案的戎乐天、何建廷、王永铭等 3 人被处以 4 年半到 6 年半的徒刑。
曾经任职台湾美光总经理与联电副总的福建晋华总经理陈正坤，检方以另案进行调查，而联电被处以新台币 1 亿元（新台币）的罚款。
案件起源于 2016 年，当时联电与福建晋华集成电路公司签署技术合作协定，协助福建晋华开发 32 纳米 DRAM 相关制程技术。之后，台湾美光的 3 名高阶主管随即转任联电，引发商业间谍案疑云，最终导致美光、联电与福建晋华之间在美国、中国台湾以及中国大陆 3 地的司法控诉。
目前，除了台湾方面已起诉相关人等，美光同样于美国提告，并在 2018 年 11 月 1 日正式起诉福建晋华、联电以及陈正坤、何建廷、王永铭共谋窃取、传输，以及持有美光的营业秘密和经济间谍罪。一旦相关罪名成立，包括陈正坤等被起诉人将面临经济间谍罪最重 15 年徒刑以及 500 万美元罚款。另外，此案还涉及窃取营业秘密罪，涉案人面临最重 10 年的徒刑。
值得注意的是，联电和福建晋华一旦在美国被控罪名成立，可能面临最高 200 亿美元的罚款。
联电对此表示，并未违反营业秘密法，将依法对有罪判决及高额罚金提起上诉。
《联电将对美光案判决提起上诉》
关于台中地院今天就美光公司控告联电等人窃取营业秘密案作出之有罪判决，联电表示将依法提起上诉。
本次DRAM制程技术之研发，乃台湾投审会事先核准之专案，并为联电以自有技术为出发点，由三百多位工程师组成的研发团队(其中多数为联电经验丰富的研发人员)通力合作，耗时超过二年自主开发DRAM制程，且保留相关研发纪录，期盼经此过程训练的DRAM研发人才与研发结果能根留台湾。除了工程师们的努力之外，联电多年累积的研发经验及传承，更是驱动开发的中流砥柱。
联电是台湾第一家半导体公司，一向正派经营，尊重知识产权，对台湾半导体产业发展与人才培养贡献良多。联电所有技术均为研发团队自主研发或取得第三人授权。
为有效保护客户包括营业秘密在内的知识产权，联电在营运的每一环节皆有健全的资讯分级、存取控制及监管机制。联电并定期对员工施予知识产权保护相关之教育训练，以提升员工的法遵意识；定期进行稽核，确保员工执行业务符合公司智财权保护政策。除前所述政策及作为外，联电也持续引进更为缜密及先进的管理措施及系统，以期能不断加强并完善智慧财产权之管理。
联电并未违反营业秘密法，并将依法对有罪判决及高额罚金提起上诉。在上诉审中，联电将提出本案调查及审理过程中诸多违反刑事诉讼法规定的可议之处，譬如侦讯过程中有不当诱导讯问；对联电有利的陈述未能详实记载于调查笔录中；电磁及其他证据在鉴识上不符规定等等。联电坚信上诉法院若能依法并公正审酌本案证据，必能证明联电并未违反营业秘密法。
《美光科技声明》
针对此重大违反营业秘密法之刑事案件，美光欣见台中地方法院对联华电子股份有限公司及其涉案三名员工做出有罪判决，我们对台中地方法院及司法机关的适切处置深表感谢。
美光于过去四十多年已投入数十亿美元持续开发业界领先的先进技术，且在台长期耕耘制程开发与技术创新，数千名台湾同仁于此过程中，共同参与研发公司之智慧财产。美光营业秘密在台被窃用，甚至违法输出，此案对台湾半导体产业的整体发展造成之负面影响甚巨，更危及产业未来的长期国际竞争力。美光将持续于全球范围内强力捍卫美光的知识产权不受侵害。
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