三安光电长沙第三代半导体项目开工，总投资160亿元
7月20日上午，长沙三安第三代半导体项目开工活动在长沙高新区举行。湖南省委常委、长沙市委书记胡衡华宣布开工。市委副书记、市长、湖南湘江新区党工委书记郑建新，三安集团董事长林秀成出席。三安光电股份有限公司总经理林科闯，市领导廖建华、邱继兴出席。
当前，第三代半导体材料及器件已成为全球半导体材料产业的前沿和制高点之一。以碳化硅、氮化镓为代表的第三代半导体成熟商用材料，在新能源汽车、5G、智能电网、高速轨道交通、半导体照明、消费类电子、航天等领域具有重要的应用价值。
据了解，三安光电是Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体、集成电路龙头企业。开工的长沙三安第三代半导体项目总投资160亿元，总占地面积1000亩，主要建设具有自主知识产权的衬底（碳化硅）、外延、芯片及封装产业生产基地。项目建成达产后将形成超百亿元的产业规模，并带动上下游配套产业产值预计逾千亿元。
据悉，目前全球化合物半导体集成电路市场主要被欧美传统大厂占据，在加大扶持国内集成电路产业的“东风”下，为提升自身半导体供应链的安全性与稳定性，国内厂商纷纷谋求与国内半导体厂商的合作。
中金公司此前分析认为，得益于进口替代趋势，三安光电作为国内化合物半导体的龙头公司，有望率先受益于国内客户订单的转移。以公司现有的三大产品线来看，更看好其在三代化合物半导体氮化镓以及碳化硅方面的布局。
从公司发布公告到正式开工，时间仅隔了1个多月，进度可谓神速。今年6月16日，三安光电发布公告，宣布与长沙高新技术产业开发区管理委员会签署《项目投资建设合同》，决定在长沙高新技术产业开发区管理委员会园区成立子公司，投资160亿元建设该项目。项目实施主体为拟成立的长沙控股子公司，将研发、生产及销售6吋SiC导电衬底、4吋半绝缘衬底、SiC二极管外延、SiC MOSFET外延、SiC二极管外延芯片、SiC MOSFET芯片、碳化硅器件封装二极管、碳化硅器件封装MOSFET。
三安光电方面已表示，公司致力于化合物半导体集成电路业务的发展，努力打造具有国际竞争力的半导体厂商。第三代半导体产业园项目有着广阔的市场需求，现处于发展阶段。
三安集成电路主要提供化合物半导体晶圆代工服务，工艺能力涵盖微波射频、电力电子、光通讯和滤波器四个领域的产品。为加码化合物半导体业务，三安光电已发布的定增计划中，将引入格力电器和先导高芯，两家公司分别出资20亿元和50亿元参与。
后面两者将由此进入公司前十大股东之列。长沙三安第三代半导体项目开工以及后续投产后，有望补上国内这块“短板”。
长沙三安第三代半导体项目是长沙高新区今年铺排的81个产业项目之一。今年2月以来，长沙高新区积极响应“大干一百天实现双过半”竞赛活动要求高效推进项目建设，已有12个项目实现提前开竣工。
郑建新在致辞中说，长沙三安第三代半导体项目作为长沙17个制造业标志性重点项目之一，将在长沙建设形成长晶—衬底制作—外延生长—芯片制备—封装的碳化硅全产业链，必将成为推动长沙新一代半导体及集成电路产业链发展的重大动力。
7月20日，兆驰光电产业园举行奠基仪式。古镇镇党委书记匡志，镇党委副书记、镇长阮志力，中山市工信局副局长徐勇哲、古镇镇有关政府部门负责人，兆驰集团副董事长全劲松、总裁欧军及相关施工方代表参加仪式。
据悉，兆驰光电产业园项目两宗地块合计119．88亩，50年工业用地，50万／亩，拍得价格总计5994万元，规划规模为28万平方米的产业工业园，投产后五年预计实现产值100亿。
兆驰股份有限公司董事长顾伟表示，兆驰光电产业园项目总规划建筑面积超过28万平方米，预计于2021年下半年竣工投产。目标是打造中山最大的照明灯饰基地，投产后将成为兆驰集团LED产业链中最重要的一个生产基地，为产业链的发展做出极大贡献。园区建成后，兆驰光电将在五年内实现总产值100亿，实现税收超4亿，解决上万个就业岗位，为中山、为古镇做出应有的贡献。该项目是珠江西岸重点装备制造项目，也将为中山照明产业和制造产业注入巨大的活力和能量，有十足的信心、决心和诚心来完成项目。
古镇镇党委副书记、镇长阮志力表示，近年来古镇坚持工业强镇不动摇，主动参与粤港澳大湾区建设。古镇正成为智能生产、大数据、人工智能等投资的新热土，吸引了兆驰光电产业园等大项目落户古镇。兆驰光电产业园作为市重点项目，由中山市兆驰光电有限公司投资6亿元，开展照明灯饰产品研发、生产以及国内外业务运营，精心布局LED芯片封装生产线，建成一个智能化、现代化、自动化产业园，并将作为公司总部。兆驰光电产业园项目的落地建设，将不断完善和延伸古镇灯饰产业链，加快促进产业转型升级。
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