科锐推出低基面位错4H碳化硅外延片

　　2012年9月19日，中国上海讯—LED领域的市场领先者科锐公司日前宣布推出其最新低基面位错（LBPD）100毫米4H碳化硅外延片。该款低基面位错材料的外延漂移层的总基面位错密度小于1cm-2，引起Vf偏移的基面位错容量小于0.1cm-2。这一新型低基面位错材料的推出进一步体现了科锐长期以来对碳化硅材料技术的不断投入和创新。

　　科锐功率器件与射频（RF）首席技术官JohnPalmour表示：“碳化硅双极型（Bipolar）器件的发展长期以来受制于基面位错引起的正向电压衰减。该款低基面位错材料能够用于诸如绝缘栅双极晶体管（IGBT）和可关断晶闸管（GTO）等高压双极型器件，并且增加这些器件的稳定性。这一最新成果有助于消除迟滞高功率器件商业化的阻碍。”

　　碳化硅是一种高性能的半导体材料，被广泛地应用在照明、功率器件和通讯器件产品的生产中，包括发光二级管（LED）、功率转换器件以及无线通讯用射频功率晶体管等。

　　关于科锐（CREE）

　　科锐成立于1987年，是美国上市公司（1993年，纳斯达克：CREE），为全球LED外延、芯片、封装、LED照明解决方案、化合物半导体材料、功率器件和射频于一体的著名制造商和行业领先者。科锐LED照明产品的优势体现在氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC）等方面独一无二的材料技术与先进的白光技术，拥有1，300多项美国专利、2，900多项国际专利和近390项中国专利（以上包括已授权和在审专利），使得科锐LED产品始终处于世界领先水平。科锐照明级大功率LED，具有光效高、色点稳、寿命长等优点。科锐在向客户提供高质量、高可靠发光器件产品的同时也向客户提供成套的LED照明解决方案。科锐碳化硅金属氧化物半导体场效应管开关器件（MOSFETSwitch）的导通电阻小、温度系数稳、漏电流低、开关时间短，以及科锐碳化硅肖特基功率二极管（SchottkyPowerDiode）零反向恢复电流等特性，使得科锐碳化硅功率器件特别适用于高频、高效、高功率密度、高可靠性需求的电力电子系统。