可用于车载充电器系统的PFC和DC-DC级的硅基高性能产品

随着社会的快速发展，我们的CoolMOS™ CFD7A系列也在快速发展，那么你知道CoolMOS™ CFD7A系列的详细资料解析吗?接下来让小编带领大家来详细地了解有关的知识。

为满足电动汽车市场的需求，英飞凌科技股份公司(FSE： IFX / OTCQX： IFNNY)推出全新产品系列：CoolMOS™ CFD7A系列。这些硅基高性能产品可用于车载充电器系统的PFC和DC-DC级，以及专为电动汽车应用优化的高低压DC-DC转换器。

基于超级结技术的功率MOSFET已成为高压开关转换器领域的业界规范。它们提供更低的RDS(on)，同时具有更少的栅极和和输出电荷，这有助于在任意给定频率下保持更高的效率。

凭借在汽车领域的多年从业经验，英飞凌将远超AEC Q101标准的最高品质与出色的技术知识相结合，推出CoolMOS™ CFD7A系列。

平面式MOSFET通常具有高单位芯片面积漏源导通电阻，并伴随相对更高的漏源电阻。使用高单元密度和大管芯尺寸可实现较低的RDS(on)值。

CoolMOS™ CFD7A完全兼容最高475 V DC的系统电压。按照开尔文源极，可达到更高的效率水平，最高效率达到98.4%。凭借其固有的快速体二极管和采用TO和SMD封装的丰富的产品系列，CFD7A器件非常适合用于PFC和DC-DC级。该产品系列支持以较低栅极损耗达到更高开关频率，从而实现更高功率密度，确保设计上更紧凑。此外，这种新型CoolMOS技术平台经过量身定制，旨在满足恶劣的汽车应用环境的需求，尤其是在宇宙辐射和设计鲁棒性方面。宇宙辐射问题从开发过程一开始就得以应对 ，并得到了实验结果的证明。

对于低压MOSFET，三个分量是相似的。但随着额定电压增加，外延层需要更厚和更轻掺杂，以阻断高压。额定电压每增加一倍，维持相同的RDS(on)所需的面积就增加为原来的五倍以上。对于额定电压为600V的MOSFET，超过95%的电阻来自外延层。

其丰富的封装组合方便设计，并可带来其他优势。英飞凌650 V CoolMOS™ CFD7A技术结合D²PAK 7引脚封装使用时，客户不仅受益于效率提升，而且能获得出色的热性能和更长的爬电距离。CoolMOS™ CFD7A产品系列是在高度自动化的300 mm生产线上生产的，这有助于在满足不断增长的市场需求的同时，实现批量生产的零缺陷目标。

以上就是CoolMOS™ CFD7A系列的有关知识的详细解析，需要大家不断在实际中积累经验，这样才能设计出更好的产品，为我们的社会更好地发展。