一款优秀的电源管理芯片，可编程、超紧凑、实用性强

今天，小编将在这篇文章中为大家带来MPS MP5507E电源管理芯片的有关报道，通过阅读这篇文章，大家可以对它具备清晰的认识，主要内容如下。

MP5507E 是一款集成式电源管理 IC，可为固态硬盘和硬盘驱动器应用提供备用电源功能。MP5507E 集成了可编程输入限流开关管、能量存储和备份功能，可提供高效率紧凑的系统解决方案。

MP5507E 采用 MPS 取得的能量存储和释放管理技术专利，可最大程度地减少所需的存储部件、系统解决方案尺寸和成本。

MP5507E 电源管理芯片在正常条件下将输入电压升到更高的存储电压，并在输入中断的情况下，将能量释放到系统中。

具有 DVDT 控制功能的内部输入限流模块可防止系统上电期间的浪涌电流，并在备份期间提供反向电流阻断功能。

系统电压上电变化斜率可进行编程。存储电压和释放电压均可针对不同的系统应用进行编程。MP5507E 电源管理芯片最大限度地减少了现有标准外部元器件的使用，采用 QFN-16(2.5mmx3.2mm)封装。

MP5507E为典型的固态驱动器应用提供了一种非常紧凑且高效的电源备份解决方案。 MPS获得专利的无损能量存储和释放管理电路使用双向降压/升压转换器来实现最佳的能量传输并提供经济高效的能量存储解决方案。

系统上电时，MP5507E电源管理芯片的内置升压转换器将大容量存储电容器充电至编程电压。 如果发生输入电源中断，MP5507E指示VB总线电源故障，断开输入开关，并通过内置的降压转换器将能量从存储电容器传输到VB，并在系统运行时将总线电压保持在稳定电压消耗能量进行数据备份。 降压转换器可以100%占空比工作，以完全耗尽存储的能量。根据不同的电源备用时间和来自不同应用的存储组件，MP5507E可以提供具有可编程存储电压设置的紧凑型解决方案。

VIN启动时，VB总线电压从0充电至VIN。 VB的上升斜率由DVDT电容控制。此功能可防止输入浪涌电流并为下游系统提供保护。

EHCH用于启用和禁用存储充电和释放电路。 存储充电电路有两种模式：预充电模式(使用电流源将STRG电压从0V充电至VB电压)和升压模式(充电STRG电压以设置电压)。 预充电模式使用接近恒定的电流源(约130mA)将STRG电压充电至VB电压。 当STRG电压接近VB，并且VB电压高于某个阈值(PGB升高)时，启动升压模式。

如果在VIN升至UVLO阈值之前ENCH已经很高，则当VIN高于UVLO阈值(通常为2.5V)时，存储充电电路会自动开始线性充电，当存储电压充电至接近VB时，切换到升压切换模式，并且PGB升高。 如果在VB之后ENCH升高，则DVDT过去并且PGB升高，则开始预充电，然后进行升压切换。

因为释放模式是在FBB电压低于0.79V时触发的(尽管升压模式和释放模式之间有23mV的迟滞)，所以VB电压可能会拉回低电平并意外进入释放模式。为避免这种情况，如果系统I / O可用于控制ENCH，则在VB稳定后启用ENCH。

存储电压充电后，内部升压转换器会自动将其调节到稳定电压。 MP5507E电源管理芯片使用突发模式以最小化转换器的功率损耗。 当存储电压降至设定电压以下时，将启动突发模式并为存储电容器充电。在突发期间，电流限制和低侧MOSFET(LS-FET)控制开关。 当LS-FET导通时，电感器电流会增加，直到达到限流点(约500mA)为止。达到电流限制后，LS-FET将在设置的最小关闭时间内关闭。在此最小关断时间结束时，如果反馈电压保持低于0.79V内部基准电压，则LS-FET将再次导通。否则，MP5507E会等到电压下降到阈值以下，然后再打开LS-FET。在升压模式下，HS-FET关闭，并且HS-FET的体二极管传导电流。

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