TDK现推出带集成去耦电容器的杂散场稳健性3D HAL®位置传感器

（1）基于霍尔效应的新型3D传感器，可对均匀场和梯度场进行主动杂散场补偿

（2）带集成电容器的单模三引脚TO92UF引脚封装

（3）元件架构灵活度高，可支持各种数字接口(双线和三线PWM 输出，符合SAE J2716 rev. 2016和PSI5 rev. 2.x版本的SENT)

2021年6月17日

TDK公司凭借霍尔传感器系列HAC® 39xy*扩展了其Micronas 3D HAL® 传感器产品组合，该系列带集成电容器，可用于汽车和工业应用中的杂散场稳健性位置检测。TO92UF封装专为无PCB应用设计，同时结合了具有杂散场补偿功能的HAL® 39xy*系列芯片和最多两个上至330 nF的电容器。新型传感器适用于多种应用，包括阀门和执行器、换档器、传动系统或制动行程位置检测。PSI5接口符合底盘位置检测传感器的最新要求。**

HAC 39xy传感器可使用铁氧体双极磁铁进行上至360°的角度测量，使用双极条状磁铁进行上至35毫米的线性测量。因为其附加的3D测量能输出两个独立的角度，所以能够可兼顾两种类型的抗杂散场位置检测。SENT接口传输两个角度的数据，而传感器具有高ESD抗扰度并符合所有严格的EMC要求。样品现已推出并将于2021年底量产。

HAC 39xy传感器的核心是3D HAL像素单元专利技术，该技术对杂散场不敏感，可准确测量磁场。masterHAL®感器系列的独特概念源于霍尔板阵列。高度灵活的传感器阵列有利于设计工程师为任何给定的测量任务选择最佳操作模式。

HAC 39xy拥有灵活的架构，可实现了多种配置。它拥有可进行快速信号处理的强大的DSP可执行接口配置的嵌入式微控制器，控制器监督功能安全相关任务的执行情况。凭借HAC 39xy传感器的创新架构，客户可以使用快速原型技术轻松开发出新的解决方案。它还可以快速轻松地适应各种接口标准，例如SENT和PSI5。

TO92UF封装的引脚可以直接锡焊于引脚框架上，无需PCB板，因而减少了整个系统的尺寸和成本。此外，整个系统的长期可靠性得到了显着提升。

术语

（1）3D HAL®像素单元：可直接测量X、Y、Z三个方向上的磁场。

（2）杂散场补偿：现代霍尔效应传感器必须对混合动力或电动汽车(xHEV)中的电动机或电源线产生的干扰场不敏感

（3）masterHAL®: 一个独特特性组的注册商标，该特性组以高度灵活的多维磁场测量架构实现杂散场补偿。

主要应用*

（1）各种阀门和执行器(例如冷却阀、EGR、涡轮增压器执行器)

（2）换档器

（3）刹车行程位置传感器

（4）传动系统中的位置检测

（5）底盘位置检测

（6）充电接头锁定执行器中的位置检测

主要特点和优势**

（1）符合ISO 11452-8要求的杂散场稳健性位置检测(线性和上至360°旋转)

（2）180°旋转应用的梯度杂散场补偿

（3）真3D磁场测量BX, BY和BZ

（4）传输位置信息，最多两个已计算的角度、角速度、磁场幅度和/或芯片温度

（5）SEooC符合ISO 26262的要求，可支持功能安全应用

（6）宽供电电压范围：3.0 V到18 V

（7）-40 °C至160 °C的宽温度范围，适用于汽车应用

（8）带集成去耦电容器的三引脚TO92UF晶体管封装

重要数据

* HAL 39xy 和HAC 39xy使用Fraunhofer集成电路研究所的许可证

** 对我们产品的目标应用程序的任何提及都不构成适用确认，因为这必须在系统级别进行检查。

*** 必须由客户的技术专家对每个客户应用程序的所有操作参数进行验证