Microchip推出用于卫星通信终端的高线性度Ka波段单片微波集成电路(MMIC)，进一步丰富氮化镓(GaN)射频产品组合

卫星通信系统使用复杂的调制方案，以实现极快的数据速率用于传递视频和宽带数据。因此，它们必须具备高射频输出功率，同时确保信号保持其理想的特征。Microchip Technology Inc.(美国微芯科技公司)今日宣布推出新型GMICP2731-10 GaN MMIC功率放大器，以满足上述要求。

这款新器件是Microchip的首款GaN MMIC(氮化镓单片微波集成电路)，专为商业和国防卫星通信、5G网络以及其他航空航天和国防系统而设计。

GMICP2731-10采用碳化硅基氮化镓技术制造。它可在27.5至31 GHz之间的3.5 GHz带宽上提供高达10W的饱和射频输出功率。GMICP2731-10的功率在此基础上可再提高20%;小信号增益为22 dB;回波损耗为15 dB。此外，新器件具有平衡结构，可以很好地匹配50欧姆电阻，并在输出端集成直流阻断电容，以简化设计集成。

Microchip分立式产品业务部副总裁Leon Gross表示：“随着通信系统采用128-QAM等复杂的调制方案，以及固态功率放大器(SSPA)功率不断上升，射频功率放大器设计人员面临着困难的挑战，即在寻找更高的功率解决方案的同时降低重量和功耗。与GaAs同类产品相比，高功率SSPA中使用的GaN MMIC可以降低30%以上的功耗和重量，这对卫星OEM来说是一个巨大的优势。新产品体现了氮化镓技术的优势，满足了原始设备制造商对尺寸、重量、功耗和成本的要求。”

GMICP2731-10进一步扩大了Microchip现有的产品阵容，包括砷化镓MMIC射频功率放大器、开关、低噪声放大器和Wi-Fi®前端模块，以及用于雷达系统的硅基氮化镓高电子移动性晶体管(HEMT)驱动器和最终放大器晶体管。