如何通过宽带隙材料独特属性提高应用性能

[导读]点击“意法半导体PDSA"，关注我们！电力电子设计者一直在等待突破性的技术，以重新排列电路拓扑和提高能源转换系统的效率。碳化硅技术完全符合这些期望，而氮化镓具有相当好的前景……在本白皮书中，除了对SiC和GaN的见解之外，我们还讲解了关于使用SiCMOSFET而不是传统硅器件在性...

点击“意法半导体PDSA"，关注我们！

电力电子设计者一直在等待突破性的技术，以重新排列电路拓扑和提高能源转换系统的效率。碳化硅技术完全符合这些期望，而氮化镓具有相当好的前景……
在本白皮书中，除了对SiC和GaN的见解之外，我们还讲解了关于使用SiC MOSFET而不是传统硅器件在性能和成本效益方面有意义的应用类型和条件的真实反馈。如何通过宽带隙材料独特属性提高应用性能

本次议题涵盖以下内容：

碳化硅的出现如何为大规模采用宽带隙半导体铺平了道路
SiC MOSFET和GaN HEMTs在各种应用中所带来的好处
平面与沟槽技术: SiC MOSFET产品路线图
使用SiC MOSFET的设计优势
使用GaN器件的好处及其未来潜力

ST大规模生产SiC MOSFET和二极管，适合大范围的应用。我们正与许多客户合作。为他们未来的应用开发做出贡献，为我们在电力电子领域的SiC和GaN器件的重大创新潜力提供明确的答案并分享见解。

当你完成注册，在下载邮件中点击“立即下载”时，请注意：下载链接对浏览器敏感，必须在与您用于填写高级内容表单的相同浏览器中打开。

如果仍无法操作，只需将完整的URL复制并粘贴到浏览器中即可完成操作。