ST MasterGaN家族再添新成员，赋能高能效功率变换应用！
时间：2021-10-12 15:07:16
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[导读]☝ 点击上方 “ 意法半导体PDSA”，关注我们 为了更方便的转型到高能效的宽禁带半导体技术，意法半导体发布了MasterGaN3*和MasterGaN5两款集成功率系统封装，分别面向高达45W和150W的功率变换应用...
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为了更方便的转型到高能效的宽禁带半导体技术，意法半导体发布了MasterGaN3*和MasterGaN5两款集成功率系统封装，分别面向高达45W和 150W的功率变换应用。
连同面向65W至400W应用的MasterGaN1、MasterGaN2和MasterGaN4，这两款新产品为设计开关式电源、充电器、适配器、高压功率因数校正 (PFC) 和 DC/DC 变换器的工程师选择合适的氮化镓 (GaN) 器件和驱动解决方案提供了更多的灵活性。
意法半导体的MasterGaN概念简化了GaN宽禁带功率技术替代普通硅基MOSFET的发展进程。新产品集成两个650V功率晶体管与优化的高压栅极驱动器和相关的安全保护电路，消除了栅极驱动器和电路布局设计挑战。因为GaN晶体管可以实现更高的开关频率，新的集成功率系统封装可使电源尺寸比基于硅的设计缩小80%，并且具有很高的稳健性和可靠性。
MasterGaN3的两个GaN功率晶体管的导通电阻值(Rds(on))不相等，分别为 225mΩ和450mΩ，使其适用于软开关和有源整流变换器。在MasterGaN5 中，两个晶体管的导通电阻值(Rds(on))都是450mΩ，适用于LLC谐振和有源钳位反激变换器等拓扑。
与MasterGaN产品家族的其他成员一样，这两款器件都有兼容3.3V至15V逻辑信号的输入，从而简化了产品本身与DSP处理器、FPGA或微控制器等主控制器和霍尔传感器等外部设备的连接。新产品还集成了安全保护功能，包括高低边欠压锁定(UVLO)、栅极驱动器互锁、过热保护和关断引脚。
每款MasterGaN产品都有一个配套的专用原型开发板，帮助设计人员快速启动新的电源项目。
EVALMASTERGAN3和EVALMASTERGAN5开发板都包含一个单端或互补驱动信号发生器电路。板载一个可调的死区时间发生器，以及相关的设备接口，方便用户采用不同的输入信号或 PWM 信号，连接一个外部自举二极管来改进容性负载，为峰流式拓扑插入一个低边检流电阻。
MasterGaN3和MasterGaN5现已量产，采用针对高压应用优化的9mm x 9mmGQFN封装，高低压焊盘间爬电距离为2mm。
点击这里，了解产品详细信息
END
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为了更方便的转型到高能效的宽禁带半导体技术，意法半导体发布了MasterGaN3*和MasterGaN5两款集成功率系统封装，分别面向高达45W和 150W的功率变换应用。
连同面向65W至400W应用的MasterGaN1、MasterGaN2和MasterGaN4，这两款新产品为设计开关式电源、充电器、适配器、高压功率因数校正 (PFC) 和 DC/DC 变换器的工程师选择合适的氮化镓 (GaN) 器件和驱动解决方案提供了更多的灵活性。
意法半导体的MasterGaN概念简化了GaN宽禁带功率技术替代普通硅基MOSFET的发展进程。新产品集成两个650V功率晶体管与优化的高压栅极驱动器和相关的安全保护电路，消除了栅极驱动器和电路布局设计挑战。因为GaN晶体管可以实现更高的开关频率，新的集成功率系统封装可使电源尺寸比基于硅的设计缩小80%，并且具有很高的稳健性和可靠性。
MasterGaN3的两个GaN功率晶体管的导通电阻值(Rds(on))不相等，分别为 225mΩ和450mΩ，使其适用于软开关和有源整流变换器。在MasterGaN5 中，两个晶体管的导通电阻值(Rds(on))都是450mΩ，适用于LLC谐振和有源钳位反激变换器等拓扑。
与MasterGaN产品家族的其他成员一样，这两款器件都有兼容3.3V至15V逻辑信号的输入，从而简化了产品本身与DSP处理器、FPGA或微控制器等主控制器和霍尔传感器等外部设备的连接。新产品还集成了安全保护功能，包括高低边欠压锁定(UVLO)、栅极驱动器互锁、过热保护和关断引脚。
每款MasterGaN产品都有一个配套的专用原型开发板，帮助设计人员快速启动新的电源项目。
EVALMASTERGAN3和EVALMASTERGAN5开发板都包含一个单端或互补驱动信号发生器电路。板载一个可调的死区时间发生器，以及相关的设备接口，方便用户采用不同的输入信号或 PWM 信号，连接一个外部自举二极管来改进容性负载，为峰流式拓扑插入一个低边检流电阻。
MasterGaN3和MasterGaN5现已量产，采用针对高压应用优化的9mm x 9mmGQFN封装，高低压焊盘间爬电距离为2mm。
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