EPC公司的40 V eGaN®FET是需要高功率密度的电信、网通和计算解决方案的理想器件

EPC推出了40 V、1.3 mΩ的氮化镓场效应晶体管 (eGaN® FET)，器件型号为EPC2067，专为设计人员而设。EPC2067比MOSFET更小、更高效、更可靠，适用于高性能且空间受限的应用。

宜普电源转换公司(EPC)是增强型硅基氮化镓功率晶体管和集成电路的全球领导者。新推的EPC2067(典型值为 1.3 mΩ、40 V)扩大了可选的低压器件，可立即供货。

EPC2067非常适合需要高功率密度的应用，包括48 V-54 V输入服务器。较低的栅极电荷和零反向恢复损耗可实现1 MHz及更高频率的高频操作、高效并在9.3 mm2 的微小占位面积内，实现高功率密度。

EPC公司首席执行官兼共同创办人Alex Lidow 表示：“EPC2067器件专为从40 V-60 V转至12 V的LLC DC/DC转换器的次级侧而设计。与上一代40 V的GaN FET相比，这款40 V器件具有更高的性能和成本效益，从而让设计师可以在更低的成本下，实现更高的效率和功率密度”。

开发板

EPC90138开发板的最大器件电压为40 V、最大输出电流为40 A，配备板载栅极驱动器的半桥器件，采用了EPC2067 eGaN FET。这款 2”x 2”(50.8 mm x 50.8 mm) 的电路板专为实现最佳开关性能而设计，并包含所有关键元件，让工程师易于评估EPC2067器件。

宜普电源转换公司是基于增强型氮化镓(eGaN®)的功率管理器件的领先供货商，氮化镓(eGaN)场效应晶体管及集成电路的性能比最好的硅功率MOSFET器件高出很多倍，其目标应用包括直流- 直流转换器、激光雷达(LiDAR)、用于电动运输、机器人和无人机的电机驱动器，以及低成本卫星等应用。此外，宜普电源转换公司继续扩大基于eGaN IC的产品系列，为客户提供进一步节省占板面积、节能及节省成本的解决方案。