Nexperia推出一系列A-selection齐纳二极管，可提供高精度基准电压，拥有业内极低的±1%容差
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奈梅亨，2021 年 11 月 17 日：基础半导体元器件领域的高产能生产专家Nexperia(安世半导体)今天宣布推出业内首批A-selection齐纳二极管。BZT52H-A(SOD123F)和BZX384-A(SOD323)系列的容差仅有±1%，相比B(±2%)和C(±5%)版本，可提供更高精度的基准电压。这两个系列不仅可以满足日渐增长的移动便携式和可穿戴应用、汽车和工业应用的需求及监管要求，也可以支持Q产品组合器件。
“Nexperia的A-selection齐纳二极管涵盖从1.8V至75V的各种应用，提供高精度、低容差基准电压，”Nexperia产品经理Paula Stümer介绍，“如果向栅极-源极路径或漏极-栅极路径施加极限电压，或从更多种类的合适的MOSFET中进行选择，用具有焊盘兼容性的A-selection齐纳二极管代替B-或C-selection，工程师可以将MOSFET的性能发挥到极致。”
A-selection齐纳二极管的正常工作电压范围为1.8V至75V(E24范围)。这些器件的非重复反向峰值功耗≤40W，总功耗≤250mW，差分热阻低。低容差可提供更高精度的电压，对应用的测试与测量尤其关键，可帮助工程师取代成本更高的电压基准器件。相比直接保护MOSFET，另一种替代方案更为经济，即将漏极-栅极路径与齐纳二极管并联。齐纳二极管被击穿后，MOSFET随即导通，防止漏极-源极发生雪崩击穿。
A-selection齐纳二极管还可用于Q产品组合器件，符合AEC-Q101和ISO/TS16949汽车质量标准。这些标准的重点是满足汽车原始设备制造商的压力测试资格，以及质量管理体系的要求。与此同时，客户的需求不断发展，越来越多的非汽车应用需要额外的质量相关服务，例如生产零件批准过程(PPAP)和更长的供货计划。此类标准器件和Q产品组合器件的另一个不同之处是产品变更通知(PCN)的期限，根据JEDEC的要求，期限从90天延长至180天。此外，所有部件的供货计划至少为10年，保质期超过两年。
Nexperia继续在技术和内部产能方面加大投入。A-selection齐纳二极管现可提供样品，并已投入大批量生产。
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