液冷电机表面看上去最容易控温，但实际热点往往比风冷更难直觉判断。水套把平均温度拉低之后，局部流量分配和绕组热点迁移反而更容易把真正危险的位置藏起来。
永磁电机最难追回的故障不是一时过流，而是磁钢在高温高电流冲击后发生的不可逆退磁。一旦退磁裕量和过载脉冲边界没划清，系统可能在看似通过测试后，几周内就把效率和扭矩常数一点点丢掉。
三维集成和小芯粒把系统带宽推得更高，同时也把芯片之间如何共处变成新的主问题。垂直互连会把机械应力带进有源器件附近，而跨裸片通信若时钟基准不稳，先进封装内部同样会出现传统单片系统里少见的时序边界。
后段金属做得稳不只看沉积厚度，很多互连问题是在化学机械抛光和平坦化阶段被放大的。铜线一旦在抛光里局部塌边，后面再叠加低介电层和多层通孔，电阻、时序和可靠性都会一起偏出设计窗口。
存储半导体越往高层数和多比特密度走，可靠性问题越少表现为能不能写进去，更多表现为写进去以后阈值还能不能被准确分开
半导体可靠性并不总在芯片出厂前暴露，很多寿命问题是在长期电流和高场共同作用下慢慢形成的。互连先迁移、介质再击穿，是先进器件最常见也最难被一次性测试完全覆盖的两条老化路径。
混合信号半导体里，分辨率不够并不总是模数转换核心本身的问题。很多码型抖动和杂散先是从外围供给链路渗进来的：一边是基准被采样瞬间反复拉扯，一边是数字切换通过衬底和地弹把模拟节点悄悄抬动。
功率半导体切换速度越快，问题越不会停留在额定参数表上。很多失效并不是芯片本身耐压不够，而是开关瞬间的寄生参数和续流路径把本可控的电压、电流尖峰放大成了过冲、误导通和局部发热。
晶体管继续缩小以后，性能瓶颈不再只来自沟道本身，很多损失先出现在热和接触两端。器件看上去尺寸更先进，但如果热出不去、载流子又过不了接触界面，标称驱动能力很快就会在实际工况里被吃掉。
先进封装把芯片互连距离压得很短，但机械和材料窗口也因此变窄。很多封装良率问题不是先坏在焊点数量，而是先坏在空洞和翘曲这两类热机械缺陷，它们会把局部应力集中到最脆弱的界面上。
工业现场里最常见的测温偏差，未必来自传感器元件本身失准，很多时候误差先被导线和安装结构带进系统。对铂电阻这类接触式传感器来说，线路与插入方式往往比名义精度更早决定结果。
强电回路里，漏电保护一旦开始频繁动作，现场常见的两种极端判断要么是“设备肯定绝缘坏了”，要么是“漏保太敏感，换大一点就好”。真正麻烦的是，很多误跳来自波形和布线，而不是传统意义上的接地故障。
强电双电源切换最容易出事的，不是开关合不上，而是切得太快、太想当然。母线看似失电后，电机和负载往往还在“带着能量跑”，这时再送入另一电源，冲击会远大于一次正常启动。
强电设计里最容易被低估的，不是额定电流本身，而是电流波形已经变了。负载还是那些负载，电缆和中性线的发热规律却可能和五十赫兹正弦工况完全不同。
