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模拟技术

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  • EMC严苛测试‌到底有多严苛?

    EMC严苛测试‌是指对电子设备在极端电磁环境下的性能进行全面检测,以确保其在复杂电磁环境中仍能正常工作,并且不会对其他设备造成干扰。

    模拟技术
    2025-12-22
    EMC
  • 绝缘栅双极型晶体管兼有哪些优点

    IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。

    模拟技术
    2025-12-22
  • 电容是衡量电子设备中储存电荷能力的物理量

    电容是衡量电子设备中储存电荷能力的物理量,国际单位是法拉(F)。

    模拟技术
    2025-12-22
  • 干扰抑制器与滤波器的核心区别:功能、原理与应用场景

    在电子工程中,干扰抑制器和滤波器都是用于处理信号干扰的器件,但它们在设计目的、工作原理和应用场景上存在显著差异。理解这些区别有助于工程师根据具体需求选择合适的解决方案。

  • 随着电子设备的不断普及与发展,开关电源演着至关重要的角色

    随着电子设备的不断普及与发展,开关电源(SwitchingPowerSupply,SPS)在各种应用中扮演着至关重要的角色。开关电源以其高效性、体积小、重量轻等优点,广泛应用于通信设备、计算机、家电、工业控制等领域。

  • 基于Cadence Virtuoso的定制化模拟电路设计:运算放大器版图优化

    在定制化模拟电路设计中,运算放大器作为核心模块,其版图质量直接影响电路性能、功耗和制造成本。Cadence Virtuoso凭借其强大的全定制设计能力,成为实现运算放大器版图优化的关键工具。本文将从布局优化、信号完整性保障和寄生参数控制三方面,探讨如何利用Virtuoso实现高效版图设计。

  • 模拟电子技术基础入门,从基本元件到电路原理的全面解析

    在数字技术席卷全球的今天,模拟电子技术依然占据着电子领域的半壁江山。从手机扬声器中流淌出的音乐,到心电图机中跳动的生命信号,再到汽车雷达对障碍物的精准探测,这些连续变化的物理量都依赖模拟电路进行处理。理解模拟电子技术,就像掌握了一把打开物理世界与数字世界桥梁的钥匙,让我们得以窥见电子设备如何感知、处理和响应真实环境。

  • 模拟电路设计中的信号失真难题,如何有效破解?

    模拟电路设计,信号失真宛如一个顽固的“幽灵”,悄无声息地潜入电路系统,将原本清晰准确的信号扭曲变形,让精心设计的电路性能大打折扣。从音频播放中的杂音干扰,到图像显示中的色彩偏差,再到通信传输中的数据错误,信号失真的影响无处不在。如何有效破解这一难题,成为模拟电路设计师们亟待攻克的关键挑战。

  • 模拟电路设计实战:低噪声放大器设计的关键要点与步骤

    无线通信、雷达探测和医疗成像等高精度信号处理领域,低噪声放大器(LNA)如同系统的"听觉神经",负责捕捉微弱信号并抑制背景噪声。一个设计精良的LNA能将信噪比提升20dB以上,而设计失误则可能导致整个系统失效。本文以实战视角,深入剖析L噪声放大器设计的核心要点与完整流程,结合具体案例揭示从理论到产品的转化之道。

  • 基于模拟电子的滤波器设计,从低通到带阻的实用方案

    模拟信号滤波器作为信号调理的核心组件,承担着抑制噪声、提取有效信号的关键任务。从音频处理到射频通信,从医疗仪器到工业控制,不同应用场景对滤波器的性能需求各异。本文系统阐述基于模拟电子技术的低通、高通、带通及带阻滤波器设计方法,结合实际电路案例与性能优化策略,为工程师提供从理论到实践的完整解决方案。

  • 永磁同步电机有哪些优势

    永磁同步电机因采用钕铁硼永磁体,具备高效节能、功率密度大、响应速度快等显著优势。搭载这种电机的新能源汽车,不仅能实现强劲的动力输出,轻松应对加速、爬坡等工况,还能有效提升续航里程。

  • 电子电力中,钠离子电池和锂离子电池有哪些区别

    ‌锂离子电池:锂离子电池是一种二次电池(充电电池),通过锂离子在正极和负极之间的移动来实现充放电。在充电过程中,锂离子从正极材料中脱出,通过电解质嵌入到负极材料中;放电时则相反。

  • 三极管的开关特性与控制逻辑

    三极管作为电子电路中的核心开关器件,其导通与截止状态由基极电流(IB)控制,遵循 “小电流控制大电流” 的核心逻辑。要实现 “导通后即截止”,本质是通过开关元件向三极管基极提供瞬时驱动信号,待导通条件满足后快速切断基极电流,使三极管从饱和导通状态迅速回归截止状态。

  • MOS管控制电阻分压关断过冲的成因解析

    在电力电子电路设计中,MOS管(金属-氧化物半导体场效应晶体管)凭借低导通电阻、高开关速度及电压控制的优势,成为电阻分压电路中实现精准通断控制的核心器件,广泛应用于电源管理、信号调理等领域。然而在实际应用中,MOS管关断瞬间常出现漏源极电压(V)超出稳态值的过冲现象,这种瞬时高压可能击穿MOS管、损坏分压电阻及后端负载,严重威胁电路稳定性与可靠性。深入探究过冲产生的根源,是优化电路设计、规避失效风险的关键。结合电路特性与实际应用场景,MOS管控制电阻分压关断过冲的成因主要源于寄生参数耦合、驱动电路特性偏差及负载与分压网络匹配失衡三大核心因素,具体分析如下。

  • 差分放大电路中re对差模信号等效短路的原理探析

    在模拟电子技术领域,差分放大电路是抑制零点漂移、放大有用信号的核心电路结构,广泛应用于运算放大器、传感器信号处理等场景。在差分放大电路的分析过程中,发射极公共电阻re的作用是理解电路性能的关键,其中“re对差模信号等效短路”这一结论,是简化电路分析、精准计算差模放大倍数的重要前提。本文将从差分放大电路的信号分类、re的物理本质、差模信号作用下的电路特性等方面,系统剖析这一结论的内在逻辑,帮助读者深入理解差分放大电路的工作机制。