电容描述的是器件储存电荷的能力。电容的定义是器件的电荷量与电势之比，常用C表示。电容的量纲是L-2M-1T4I2，国际单位制下单位是F(法拉)。
快速充电,电容充电是一种快速的充电方式，可以在短时间内实现向电容器内注入大量电荷的过程。这与电容器内部构造以及电容的特性密切相关。
控制EMI的方法有许多种，包括屏蔽、滤波、隔离、铁氧体磁环、信号边沿控制以及在PCB中增加电源和GND层等等。就电源而言，传统方法是通过减慢开关边沿或降低开关频率。
电磁干扰主要是传导干扰和辐射干扰，传导干扰是在输入和输出线上流过的干扰噪声，来源于差模电流噪声和共模电流噪声;辐射干扰是通过空间辐射的干扰噪声，来源于电场发射和磁场发射，它们之间可以相互转换。
在电子系统中，MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)作为一种常用的开关器件，其开关过程中的电磁干扰(EMI)问题备受关注。
在开关节点(SW)与地之间并联RC缓冲器(C=1nF-10nF，R=1Ω-10Ω)，通过阻尼消耗振荡能量。缓冲电阻功率需按P=0.5·C·V²·Fsw计算，确保长期可靠性。
在数据中心直流供电系统向高密度、高频化演进的进程中，碳化硅(SiC)MOSFET凭借其低导通电阻、高频开关特性及高温稳定性，成为替代传统硅基IGBT和MOSFET的核心器件。
IGBT是一个发热源，其导通与关断都需要损耗，损耗越大，发热量自然就会越多。而IGBT的开通与关断并不是瞬间完成的，有开通时间与关断时间。
高性能磁性材料是具有高磁能积和矫顽力的材料，用于制造各种磁性设备。高性能磁性材料是一类具有高磁能积和矫顽力的材料，可以产生强大的磁场，广泛应用于电力机械、电子、信息、通信、航空、国防等领域。
