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白光LED的开发设计
时间：2010-01-10 04:19:30
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[导读]1998年发白光的LED开发成功。这种LED是将GaN芯片和钇铝石榴石（YAG）封装在一起做成。GaN芯片发蓝光（λp=465nm，Wd=30nm），高温烧结制成的含Ce3+的YAG荧光粉受此蓝光激发后发出黄色光发射，峰值550nm。蓝光LED基片
1998年发白光的LED开发成功。这种LED是将GaN芯片和钇铝石榴石（YAG）封装在一起做成。GaN芯片发蓝光（λp=465nm，Wd=30nm），高温烧结制成的含Ce3+的YAG荧光粉受此蓝光激发后发出黄色光发射，峰值550nm。蓝光LED基片安装在碗形反射腔中，覆盖以混有YAG的树脂薄层，约200-500nm。 LED基片发出的蓝光部分被荧光粉吸收，另一部分蓝光与荧光粉发出的黄光混合，可以得到得白光。现在，对于InGaN/YAG白色LED，通过改变YAG荧光粉的化学组成和调节荧光粉层的厚度，可以获得色温3500-10000K的各色白光。（如下图所示）
| 芯片数 | 激发源 | 发光材料 | 发光原理 |
| 1 | 蓝色LED | InGaN/YAG | InGaN的蓝光与YAG的黄光混合成白光 |
| 蓝色LED | InGaN/荧光粉 | InGaN的蓝光激发的红绿蓝三基色荧光粉发白光 | |
| 蓝色LED | ZnSe | 由薄膜层发出的蓝光和在基板上激发出的黄光混色成白光 | |
| 紫外LED | InGaN/荧光粉 | InGaN的紫外激发的红绿蓝三基色荧光粉发白光 | |
| 2 | 蓝色LED 黄绿LED | InGaN、GaP | 将具有补色关系的两种芯片封装在一起，构成白色LED |
| 3 | 蓝色LED 绿色LED 红色LED | InGaN AlInGaP | 将发三原色的三种小片封装在一起，构成白色LED |
| 多个 | 多种光色的LED | InGaN、GaP AlInGaP | 将遍布可见光区的多种光芯片封装在一起，构成白色LED |
表一列出了目前白色LED的种类及其发光原理。目前已商品化的第一种产品为蓝光单晶片加上YAG黄色荧光粉，其最好的发光效率约为25流明/瓦，YAG多为日本日亚公司的进口，价格在2000元/公斤；第二种是日本住友电工亦开发出以ZnSe为材料的白光LED，不过发光效率较差。
从表中也可以看出某些种类的白色LED光源离不开四种荧光粉：即三基色稀土红、绿、蓝粉和石榴石结构的黄色粉，在未来较被看好的是三波长光，即以无机紫外光晶片加R.G.B三颜色荧光粉，用于封装LED白光，预计三波长白光LED今年有商品化的机机会。但此处三基色荧光粉的粒度要求比较小，稳定性要求也高，具体应用方面还在探索之中。
采用LED光源进行照明，首先取代耗电的白炽灯，然后逐步向整个照明市场进军，将会节约大量的电能。近期，白色LED已达到单颗用电超过1瓦，光输出25流明，也增大了它的实用性。表二和表三列出了白色LED的效能进展。
表 二 单 颗 白 色L ED 的 效 能 进展
| 年份 | 发光效能（流明/瓦） | 备注 |
| 1998 | 5 | |
| 1999 | 15 | 相若白炽灯 |
| 2001 | 25 | 相若卤钨灯 |
| 2005 | 50 | 估计 |
表三 长远发展目标
| 单颗白色LED | |
| 输入功率 | 10瓦 |
| 发光效能 | 100流明/瓦 |
| 输出光能 | 1000流明/瓦 |
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