技术学院
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带借位的单片机减法指令SUBB举例说明
SUBB A，RnSUBB A,directSUBB A,@RiSUBB A,#data设（每个H，（R2）=55H，CY=1，执行指令SUBB A，R2之后，A中的值为73H。说明：没有不带借位的单片机减法指令，如果需要做不带位的减法指令（在做第一次相减时），只要
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arm cortex m0 lpc1114寄存器配置
32位的单片机内部各种数据寄存器和控制寄存器都是32位的，同理，8位单片机内部的数据和控制寄存器都是8位的。例如:AT89C51单片机的“中断控制寄存器”IE定义如下图所示：bit7bit6bit5bit4bit3bit2bit1bit0EA保留ET2E
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[STM8L]TAB段式LCD液晶驱动程序
STM8L152XX系列带有片上段式LCD驱动程序,这为低成本应用和高密度系统设计提供了保证，利用片上LCD驱动模块，可以有效的控制系统整体功耗，简化系统结构，从整体来说可靠性得到提高。 此处不介绍LCD驱动模块的原理以
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MSP430F147无线温度接收
//===========================================================================////北京理工大学珠海学院徐方鑫////280599580@qq.com////2011.3.31////========================================================
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Proteus—AVR单片机（ATMEGA16单片机）系统时钟及时钟选项设置
在设置之前呢，我得把ATMEGA16里面的datasheet里面的资料说说，当然是关于系统时钟和时钟选项的一、系统时钟及时钟选项（这里主要是介绍原理，三里面会介绍如何设置，其实你会了一，那后面的二和三就相当简单了~~你懂
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基于sle4442的ic卡程序（avr）
//*********************FileName:Main.c*********************////*********************Author:Steaven2000@163.com**********// //********************Version:1.2*************************// //************
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STM32电源管理与低功耗模式
7.1电源管理概述处理器广泛地利用门时钟来禁能那些未用的功能和未用功能块的输入，因此只有正在有效使用中的逻辑才会消耗动态功率。ARMv7-M架构支持为减少功耗而让Cortex-M3和系统时钟停止运行的系统睡
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单片机最小系统解析(电源、晶振和复位电路)
电源我们在学习过程中，很多指标都是直接用的概念指标，比如我们说 +5 V 代表1，GND 代表0等等。但在实际电路中的电压值并不是完全精准的，那这些指标允许范围是什么呢？随着我们所学的内容不断增多，大家要慢慢培养
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MSP下载方式
MSP430无论是仿真还是烧写程序，一般可以通过：JTAG、SBW、BSL接口进行。1、JTAG是利用边界扫描技术，在430内部有逻辑接口给JTAG使用，内部有若干个寄存器连接到了430内部数据地址总线上，所以可以访问到430的所有资
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多个.c文件的初步认识
我们上一节的这个液晶滚屏移动程序，大概有 160 行左右。随着我们硬件模块使用的增多，程序量的增大，我们往往要把程序写到多个文件里，方便代码的编写、维护和移植。比如这个液晶滚屏程序，我们就可以把 1602 底层的
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联电豪掷 61亿元！扩充 8、12 英寸晶圆厂产能
昨(12)日，晶圆代工大厂联电召开董事会，通过资本预算，预计投资 274.06 亿元新台币(约合61亿元)，将用来扩充 8、12 英寸晶圆厂产能。联电今年的资本支出预计为11亿美元，外界预期，明年支出金额可能与今年相当，其中
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51单片机串口通信原理与应用
这节我们主要讲单片机上串口的工作原理和如何通过程序来对串口进行设置，以及根据所给出的实例实现与PC 机通信。 一、原理简介 51 单片机内部有一个全双工串行接口。什么叫全双工串口呢?一般来说，只能接受
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XMEGA128学习笔记5-串口USART
Xmega128的串口非常强大，最多能支持8个串口。串口又有四种模式：1、异步2、同步3、IRDA红外模式4、SPI主模式今天我们就使用CVAVR代码向导生成简单串口测试程序，实现每1s打印“HELLO WORLD”字符串，同时能将接收到
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STM32 USB设备电路设计
当STM32F105配置为USB设备时， PA9/OTG_FS_VBUS是用来检测presense USB主机的。意法半导体设计评估显示PA9/OTG_FS_VBUS引脚通过一个零欧姆电阻连接到5 VBUS 。有这种方法有两个潜在的问题。该第一电势的问题是， PA9
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欲抢占下一代工艺制程先机！三星要在2020年将量产3纳米技术
根据外媒报道，日前三星晶圆代工业务负责人 Eun Seung Jung 在国际电子元件会议 (IEDM) 上表示，三星已经完成了 3 纳米制程技术的性能验证，并且正在进一步完善该制程技术的情况下，目标将是预计在 2020 年大规模量产，而这个时程也将超前台积电在 2022 年正式量产 3 纳米制程技术的计划。
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