电源
瑞士开发新半导体材料“辉钼矿” 称功耗为硅的十万分之一
时间：2011-02-22 01:34:26
手机看文章
扫描二维码
随时随地手机看文章
[导读]有一种新开发的半导体材料辉钼矿(molybdenite，MoS2)，其功耗据说仅有硅材料的十万分之一，又能用以制作出尺寸更小的晶体管。瑞士洛桑理工学院(Ecole Polytechnique Federale de Lausanne，EPGL)的研究人员并指出，这
有一种新开发的半导体材料辉钼矿(molybdenite，MoS2)，其功耗据说仅有硅材料的十万分之一，又能用以制作出尺寸更小的晶体管。瑞士洛桑理工学院(Ecole Polytechnique Federale de Lausanne，EPGL)的研究人员并指出，这种新一代半导体材料具备能隙(bandgap)的特性也打败石墨烯(graphene)。
EPGL指出，辉钼矿是一种矿藏丰富的材料，已经运用在钢铁合金以及做为润滑油的添加剂；但该校的纳米电子与结构实验室(Laboratory of Nanoscale Electronics and Structures，LANES)是首创开发采用该种材料的半导体组件。EPGL教授Andras Kis表示：“它具有可制作出超小晶体管、LED与太阳能电池的十足潜力。”
根据Kis的说法，与属于三维结晶体的硅大不同，辉钼矿有一种主要的特性，也就是本身为二维材料，能制作出厚度仅6.5埃(angstrom，十分之一纳米)的薄膜，而且制造方法相对容易；其电子迁移率则与2纳米厚度的硅材料层相当。
图中所示为采用辉钼矿材料做为通道的超低功耗场效晶体管(FET)；在绝缘上覆硅(SOI)基板上采用高介电(HfO2)氧化闸极
此外，不同于零能隙的石墨烯，辉钼矿具备1.8电子伏特(electron-volts)的能隙，介于砷化镓(gallium arsenide，能隙1.4电子伏特)与氮化镓(gallium nitride，能隙3.4电子伏特)之间，也意味着可用该种材料制作出能同时具备电子与光学功能的芯片。
下载文档本站声明： 本文章由作者或相关机构授权发布，目的在于传递更多信息，并不代表本站赞同其观点，本站亦不保证或承诺内容真实性等。需要转载请联系该专栏作者，如若文章内容侵犯您的权益，请及时联系本站删除。
换一批
延伸阅读
热门文章
编辑精选
更多
论坛活动
技术子站
更多
资料下载
更多
技术学院
- 一文汇总开关稳压器测试小技巧
- 节能信标无线感应定位详解
- TrendForce集邦咨询: 预估2026年中国人形机器人市场产量将年增94%
- TrendForce集邦咨询: 供应链尚需调校增添Rubin延迟风险，2026年Blackwell将占英伟达高端GPU出货量超7成
- TrendForce集邦咨询: 产能有限叠加订单转移效应，三月份Consumer DRAM价格涨幅集中在4Gb以下产品
- TrendForce集邦咨询: AI算力需求支撑，2025年全球前十大IC设计厂营收年增44%
- TrendForce集邦咨询: 需求转弱、供给承压，预估2026年全球笔电出货量将下修至年减14.8%
- TrendForce集邦咨询: AI服务器需求支撑2026年第二季度存储器合约价上行，CSP借长期协议锁定供货
