DRAM厂50nm制程的转进与资本投资
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DRAM价格持续低于现金成本；2009年资本支出大减56%
随着全球DRAM产业面临了超过二年的不景气，加上去年下半年金融风暴袭卷造成消费需求急冻之下，2008年DRAM颗粒价格下跌逾85%，2009第一季DDR2 667Mhz 1Gb价格回到了0.88美元均价，但仍在材料成本与现金成本之间，在DRAM厂本身面临到极大的现金流出压力下，不仅要大幅减产因应，对新制程转进，也在大减资本支出下延后时程。根据集邦科技调查统计，全球2009年的DRAM资本支出已经下修至54亿美元，比起2008年时122亿美元，大幅减少56%。
全球DRAM厂50nm制程的进程规划皆往后延迟一季至二季
以目前各家DRAM厂50nm制程的进程规划（Roadmap），50nm制程导入量产的时间皆有往后延迟一季至二季不等的趋势。集邦科技预估DDR3在年底将占标准型DRAM约30%，在DDR2及DDR3新制程转进方面，各家DRAM厂在产品种类乃至于容量大小都有不同的策略：如韩系厂，DDR3转进50nm制程就比DDR2早，而DDR3/2Gb也比1Gb早量产。而在美日DRAM厂方面，根据规划进程表中DDR3导入50nm制程落在今年第三季与第四季间，较韩系厂商晚，但同样规划优先量产DDR3 2Gb。因此DDR3时代来临，颗粒容量主流亦将转向2Gb，有助厂商成本降低及刺激市场需求转进更高容量。台系厂商在现金压力下，50nm制程转进落后于国际大厂。今年主要以“试产”为主。
50nm制程颗粒数增加约40%-50%，成本大幅降低
半导体界著名的摩尔定律：「芯片晶体管数量，每隔12月就会倍增。」在近十年制程微缩难度大增后，此定律改为24个月。在转进新制程，线径缩小，使同一片晶圆颗粒产出数增加同时亦大幅降低厂商生产成本，提升成本竞争力。在DRAM方面，从70nm世代制程转进60nm世代制程时，平均产出量增加30%左右，若同世代制程设计改善再微缩（Die Shrink），可再增加约20%的产出量，而在50nm世代制程上更可以比60nm世代制程多出将近40%-50%的产出量，达到单片12吋晶圆上可以产出近1500-1700颗DRAM颗粒，成本上更可以下降30%以上。
浸润式微影设备为50nm 转进主要资本投资
转进50nm最大挑战在微影技术，微影设备必须采用新型的浸润式设备。原本193波长曝光设备在65nm以下因波长限制将不再适用。过去干式曝光显影是以空气为媒介进行，透过光罩在晶圆上显影；而浸润式微影（immersion lithography）则是以水为透镜，在晶圆与光源间注入纯水，波长光束透过「水」为中介，会缩短成更短波长，得以投射更精密的芯片设计于晶圆上。就是这项发明，制程在65奈米后得以延续至45奈米。
目前全球浸润式机台的主要供货商为ASML、Nikon、及Canon。其中又以ASML为市场当中最大的供货商，目前ASML主推的机台为XT1900Gi，制程已经可以微缩至40nm以下，在DRAM业界中算是接受程度最高的机种，而Nikon的主力机种方面，则是主推2007年推出的NSR-S610C，制程可微缩至45nm制程，Canon则是在2008年中推出FPA-7000AS7，同样可以支持45nm以下的制程。
以目前DRAM制程来看，若以一般月厂能七万片，要跨入浸润式技术，此一生产线升级至浸润式技术光机台就需耗费至少二亿一千万美金。加上新制程转进所需其它资本支出，估计每一万片产能需要一亿美金的总资本支出。
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