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[导读]华东科技总经理于鸿祺16日表示,DDR3客户需求热络,目前订单能见度看到9月,产能依旧满载局面,封测利用率达到90%以上,产能已几近不敷使用,该公司有意寻求新厂房,同时也不排除上修全年度资本支出。 提及DDR3市

华东科技总经理于鸿祺16日表示,DDR3客户需求热络,目前订单能见度看到9月,产能依旧满载局面,封测利用率达到90%以上,产能已几近不敷使用,该公司有意寻求新厂房,同时也不排除上修全年度资本支出。

提及DDR3市场,于鸿祺表示,由于客户对产业景气前景乐观,给予长达6个月的预估订单,预期到9月的订单皆相当热络,使后段产能维持紧俏局面,不仅测试紧上加紧,就连封装产能也自3月开始趋于吃紧状态,现今封装和测试产能利用率皆攀升至90%以上。该公司加紧进行征召人才动作,希望能够增加10~20%的联机操作员。

为支应客户需求,华东也提前增购测试机台的动作。于鸿祺说,机台进驻时程已提前半年,估计到年中高速测试机台将比2009年底增加20~30%。华东内部以扩大市占率为2010年经营主轴,因此该公司打算积极扩充机台脚步,计划提高全年资本支出,高于新台币30亿元,这将是华东首度上修资本支出。此外,华东高雄厂区空间几近不敷使用,不排除在高雄或大陆寻求新厂房。

在华东抢攻DDR3市场下,该公司目前标准型DRAM皆以DDR3为主,但以整体DRAM出货而言,其占比约接近50%,到第2季DDR3比重势必会超过50%。

对于硅品先前? X售DRAM测试机台,被业界视为该公司等同退出DRAM后段领域。对此,于鸿祺说,目前尚未感受到客户自硅品订单流出的情况,但「与客户谈论业务和价格的口气已以往有所不同。」= 言也暗示,产业秩序有趋于健康之意。

于鸿祺16日参加GSA举办的内存论坛,会中三星电子(Samsung Electronics)半导体事业社长权五铉提及系统级封装(SiP)和硅穿孔(TSV)技术应用于内存产品上。

对此,于鸿祺在会后表示,三星内部具有TSV技术,但尚未量产。由于三星具有前段代工和后段封测等一元化制程,确实最有利也最适合开发TSV技术,但TSV技术很贵,致使市场接受度并不高。对内存封测厂而言,TSV是利基市场,并不适合强调量大、标准型产品的主力市场,现在谈内存产业切入TSV的时机尚称太早。



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