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诺发开发出面向3Xnm工艺内存铜布线的2nm厚WN通孔下层膜技术
时间：2010-05-20 07:46:00
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[导读]美国诺发系统（Novellus Systems）宣布，该公司面向铜（Cu）布线的W通孔开发出了厚度仅为2nm的WN下层膜技术。如果使用该项技术的话，便可将铜布线技术用于3Xnm工艺内存中。为了实现DRAM和闪存的高速化，铜布线被大量
美国诺发系统（Novellus Systems）宣布，该公司面向铜（Cu）布线的W通孔开发出了厚度仅为2nm的WN下层膜技术。如果使用该项技术的话，便可将铜布线技术用于3Xnm工艺内存中。
为了实现DRAM和闪存的高速化，铜布线被大量采用。大多在第一层金属布线中使用铜，第二层以上使用铝（Al）布线。诺发此次开发的是连接铜布线和铝布线的W通孔下层膜技术。W通孔下层膜原来一直使用溅射成膜的Ti和MOCVD成膜的TiN积层膜（合计厚度为20nm左右）。不过问题是随着微细化的发展，形成下层膜时产生的悬突（Overhang）影响越来越显著，W通孔的嵌入变得困难。
为了解决这个问题，诺发系统开发出了可以将Ti/TiN积层膜替换为通过CVD成膜的WN（厚度为2nm）单层膜技术。通过采用该公司开发出来的“PNL”技术，可以对微晶（Micro Crystalline）构造形成WN膜。微晶WN单层膜即使将厚度减至2nm，也可以确保所需要的阻隔（Barrier）性能。与原来的Ti/TiN相比可将厚度减至1/10，由此解决了悬突问题。另外，通过减小电阻较高的下层膜厚度等，将通孔电阻降低30％。WN成膜装置采用了该公司的“Altus”。（记者：长广 恭明）
为了实现DRAM和闪存的高速化，铜布线被大量采用。大多在第一层金属布线中使用铜，第二层以上使用铝（Al）布线。诺发此次开发的是连接铜布线和铝布线的W通孔下层膜技术。W通孔下层膜原来一直使用溅射成膜的Ti和MOCVD成膜的TiN积层膜（合计厚度为20nm左右）。不过问题是随着微细化的发展，形成下层膜时产生的悬突（Overhang）影响越来越显著，W通孔的嵌入变得困难。
为了解决这个问题，诺发系统开发出了可以将Ti/TiN积层膜替换为通过CVD成膜的WN（厚度为2nm）单层膜技术。通过采用该公司开发出来的“PNL”技术，可以对微晶（Micro Crystalline）构造形成WN膜。微晶WN单层膜即使将厚度减至2nm，也可以确保所需要的阻隔（Barrier）性能。与原来的Ti/TiN相比可将厚度减至1/10，由此解决了悬突问题。另外，通过减小电阻较高的下层膜厚度等，将通孔电阻降低30％。WN成膜装置采用了该公司的“Altus”。（记者：长广 恭明）
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