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英特尔将在美建设14nm工艺以后的工厂投资超过50亿美元
时间：2011-02-22 06:09:00
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[导读]亚利桑那州钱德勒的“Fab 32” （点击放大）
美国英特尔宣布，将在美国亚利桑那州钱德勒建设14nm工艺以后的半导体工厂“Fab42”（英文发布资料1）。计划2011年中期开工建设，2013年竣工。据英特尔介绍，该工厂为3
亚利桑那州钱德勒的“Fab 32” （点击放大）
美国英特尔宣布，将在美国亚利桑那州钱德勒建设14nm工艺以后的半导体工厂“Fab42”（英文发布资料1）。计划2011年中期开工建设，2013年竣工。据英特尔介绍，该工厂为300mm晶圆量产生产线，总投资额预计为50亿美元以上。“将是全球最先进的半导体工厂”（英特尔）。
英特尔目前在亚利桑那州钱德勒拥有两家半导体工厂（“Fab 12”和“Fab 32”）。Fab42是英特尔在当地建设的第三座半导体工厂。该公司高级副总裁兼制造与供应事业部总经理Brian Krzanich在此次的新闻发布资料中发表评论称，Fab42“将采用最小加工尺寸为14nm的工艺技术开始量产”。如果利用基于这些最尖端工艺技术制造的半导体芯片，“在用于服务器的高端机型到便携终端的广泛用途时，终端产品的工作速度及电力効率可实现飞跃性提高”（Krzanich）。
美国奥巴马总统在2011年2月18日视察了英特尔位于俄勒冈州希尔斯伯勒的研发量产基地，英特尔总裁兼首席执行官Paul Otellini特选择这一时机公开了工厂的建设计划。Otellin在有关奥巴马总统视察的新闻发布资料（资料2）中表示，Fab42“将为我们在半导体制造领域维持领导性地位发挥主要作用”。Otellini在发布资料中还强调，随着新工厂的建设及运营，将为亚利桑那州提供数千个工作岗位。另外，Otellini同时还宣布英特尔计划2011年以产品开发及研开人员为主，在美国雇佣4000人。（记者：大下 淳一）
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