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GLOBALFOUNDRIES公司CEO：“2012年下半年开始20nm工艺量产”
时间：2011-01-27 05:50:00
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[导读]美国知名半导体代工企业GLOBALFOUNDRIES公司2011年1月25日在东京召开了记者招待会，该公司首席执行官（CEO）Douglas Grose公布了28～20nm工艺的量产和产能扩大计划。28nm工艺方面，预定2011年4～6月进行首批顾客的送
美国知名半导体代工企业GLOBALFOUNDRIES公司2011年1月25日在东京召开了记者招待会，该公司首席执行官（CEO）Douglas Grose公布了28～20nm工艺的量产和产能扩大计划。28nm工艺方面，预定2011年4～6月进行首批顾客的送厂生产（Tape-out，接受设计数据）。28nm工艺的下一个全代工艺(Full-node)设定为20nm工艺，将于2012年下半年开始进行少量量产。关于2011年的设备投资，将投入相当于2010年两倍的54亿美元，用于扩大德国和美国生产基地的产能。该公司计划在今后两年内，将总产能提高到原来的2倍。
GLOBALFOUNDRIES公司2010年1月与新加坡特许半导体公司（Chartered Semiconductor Manufacturing）进行了业务整合，之后用一年的时间“成为了能为顾客提供全方位（Full-range）服务的国际型企业”（Grose）。最近，该公司正稳步提高其在代工业界的地位，比如，宣布产能扩张计划，争取到了瑞萨电子成为其最先进工艺的客户等。目前还在与东芝进行生产委托相关交涉。今后将在以微细化为核心的技术开发和产能两方面，与业界第一的台湾台积电公司（Taiwan Semiconductor Manufacturing，TSMC）展开正面竞争。
微细化方面，前不久GLOBALFOUNDRIES公司宣布已经对28nm工艺的设计流程进行了完善。该工艺采用了在晶体管制造工序中先制造金属栅极(Metal-gate)的先栅极（Gate-first）方式高介电率（High-k）绝缘膜/金属栅极。与TSMC等采用的后栅极（Gate-last）方式相比，能够使28nm工艺的芯片面积缩小10～20％。
28nm工艺可提供SLP（低功耗）版，HP（高速）版，HPP（超高速）版等3种工艺。将与在CMOS工艺开发方面进行合作的“Common Platform Alliance”成员企业（美国IBM公司、韩国三星电子公司、意法半导体公司）同时，从2011年起开始进行量产。
GLOBALFOUNDRIES公司面向比28nm率先实现的32nm工艺，开始进行high-k栅极绝缘膜/金属栅极技术的应用。目前已经在为美国AMD公司（Advanced Micro Devices）生产的微型传感器制造中导入了该技术，已经供货数万个样品芯片。
在28nm工艺之后，GLOBALFOUNDRIES计划“跳过22nm工艺直接过渡到20nm工艺领域”（Grose）。这一战略与TSMC相同。20nm工艺方面，目前正在与初期顾客进行合作，2011年下半年将开始提供少量芯片试制服务（Shuttle Service）。计划从2012年下半年起开始进行少量量产。该工艺将新采用后栅极方式的high-k栅极绝缘膜/金属栅极。改变28nm工艺的前栅极方式的理由在于“我们认为顾客希望在20nm工艺中采用后栅极方式”（Grose）。该工艺中也准备了SLP版和HP版等多个工艺。
作为微细化核心的光刻（lithography）技术方面，GLOBALFOUNDRIES在EUV（超紫外线）曝光的导入上表现出了积极的姿态。打算“成为EUV曝光量产装置的首批用户之一”（Grose）。计划2012年下半年向美国生产基地“Fab8”导入EUV曝光量产装置，2014年下半年～2015年开始进行元件量产。早期的量产将不导入元件试制装置（pre-production tool），而是从一开始就导入量产装置。另外，从2012年下半年开始量产的20nm工艺通过液浸曝光的双重图形技术（Double Patterning）进行支持。预计EUV曝光将应用于16～15nm以下工艺。
产能扩大方面，将像以前宣布的一样，以德国“Fab1”产能达到8万片/月、美国Fab8达到6万片/月为目标，继续推进300mm生产线的增产。此外还将提高200mm生产线的产能。200mm生产线方面，今后计划致力于加速度传感器和RF元件等MEMS元件的受托生产。另外，还计划在2011年以后开始提供包括TSV（硅通孔技术）在内的三维安装技术。（记者：大下 淳一）
GLOBALFOUNDRIES公司2010年1月与新加坡特许半导体公司（Chartered Semiconductor Manufacturing）进行了业务整合，之后用一年的时间“成为了能为顾客提供全方位（Full-range）服务的国际型企业”（Grose）。最近，该公司正稳步提高其在代工业界的地位，比如，宣布产能扩张计划，争取到了瑞萨电子成为其最先进工艺的客户等。目前还在与东芝进行生产委托相关交涉。今后将在以微细化为核心的技术开发和产能两方面，与业界第一的台湾台积电公司（Taiwan Semiconductor Manufacturing，TSMC）展开正面竞争。
微细化方面，前不久GLOBALFOUNDRIES公司宣布已经对28nm工艺的设计流程进行了完善。该工艺采用了在晶体管制造工序中先制造金属栅极(Metal-gate)的先栅极（Gate-first）方式高介电率（High-k）绝缘膜/金属栅极。与TSMC等采用的后栅极（Gate-last）方式相比，能够使28nm工艺的芯片面积缩小10～20％。
28nm工艺可提供SLP（低功耗）版，HP（高速）版，HPP（超高速）版等3种工艺。将与在CMOS工艺开发方面进行合作的“Common Platform Alliance”成员企业（美国IBM公司、韩国三星电子公司、意法半导体公司）同时，从2011年起开始进行量产。
GLOBALFOUNDRIES公司面向比28nm率先实现的32nm工艺，开始进行high-k栅极绝缘膜/金属栅极技术的应用。目前已经在为美国AMD公司（Advanced Micro Devices）生产的微型传感器制造中导入了该技术，已经供货数万个样品芯片。
在28nm工艺之后，GLOBALFOUNDRIES计划“跳过22nm工艺直接过渡到20nm工艺领域”（Grose）。这一战略与TSMC相同。20nm工艺方面，目前正在与初期顾客进行合作，2011年下半年将开始提供少量芯片试制服务（Shuttle Service）。计划从2012年下半年起开始进行少量量产。该工艺将新采用后栅极方式的high-k栅极绝缘膜/金属栅极。改变28nm工艺的前栅极方式的理由在于“我们认为顾客希望在20nm工艺中采用后栅极方式”（Grose）。该工艺中也准备了SLP版和HP版等多个工艺。
作为微细化核心的光刻（lithography）技术方面，GLOBALFOUNDRIES在EUV（超紫外线）曝光的导入上表现出了积极的姿态。打算“成为EUV曝光量产装置的首批用户之一”（Grose）。计划2012年下半年向美国生产基地“Fab8”导入EUV曝光量产装置，2014年下半年～2015年开始进行元件量产。早期的量产将不导入元件试制装置（pre-production tool），而是从一开始就导入量产装置。另外，从2012年下半年开始量产的20nm工艺通过液浸曝光的双重图形技术（Double Patterning）进行支持。预计EUV曝光将应用于16～15nm以下工艺。
产能扩大方面，将像以前宣布的一样，以德国“Fab1”产能达到8万片/月、美国Fab8达到6万片/月为目标，继续推进300mm生产线的增产。此外还将提高200mm生产线的产能。200mm生产线方面，今后计划致力于加速度传感器和RF元件等MEMS元件的受托生产。另外，还计划在2011年以后开始提供包括TSV（硅通孔技术）在内的三维安装技术。（记者：大下 淳一）
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