模拟
挑战IBM领导地位 Soitec开发出SOI工艺
时间：2010-10-28 07:26:00
手机看文章
扫描二维码
随时随地手机看文章
[导读]法国的半导体工艺正在挑战IBM在晶圆技术上的领导地位。
二十年前,SOI(绝缘体硅)还是一项专门技术为军事和航天应用的技术。
两法国研究所日前宣布，已开发出低风险的SOI技术，并且正在商业化运作中，并且成立
法国的半导体工艺正在挑战IBM在晶圆技术上的领导地位。
二十年前,SOI(绝缘体硅)还是一项专门技术为军事和航天应用的技术。
两法国研究所日前宣布，已开发出低风险的SOI技术，并且正在商业化运作中，并且成立了Soitec公司。该技术可将绝缘层导入至标准CMOS晶圆中，具体实现方法是将硅片背面切割成一个光滑面，然后将两块晶圆粘合，中间层则为绝缘体，类似于汉堡包结构。该技术对于所有SOI晶圆来说，具有重大意义。
IBM的竞争对手
目前Soitec已发展成为能够与IBM并前匹敌的公司，其技术路线选择了在CMOM上制作全耗尽型晶体管，其指出全耗尽型（FD fully depleted）晶体管在22nm SOI上具有最高效率。
CEA-Leti（法国原子能委员旗下的电子信息技术研究所）研发了High-K/金属栅技术用于SOI技术，并且也发布了商业芯片用的设计及模拟EDA软件。
潜在的FDSOI技术可以替代传统的20nm及以下的工艺技术。
二十年前,SOI(绝缘体硅)还是一项专门技术为军事和航天应用的技术。
两法国研究所日前宣布，已开发出低风险的SOI技术，并且正在商业化运作中，并且成立了Soitec公司。该技术可将绝缘层导入至标准CMOS晶圆中，具体实现方法是将硅片背面切割成一个光滑面，然后将两块晶圆粘合，中间层则为绝缘体，类似于汉堡包结构。该技术对于所有SOI晶圆来说，具有重大意义。
IBM的竞争对手
目前Soitec已发展成为能够与IBM并前匹敌的公司，其技术路线选择了在CMOM上制作全耗尽型晶体管，其指出全耗尽型（FD fully depleted）晶体管在22nm SOI上具有最高效率。
CEA-Leti（法国原子能委员旗下的电子信息技术研究所）研发了High-K/金属栅技术用于SOI技术，并且也发布了商业芯片用的设计及模拟EDA软件。
潜在的FDSOI技术可以替代传统的20nm及以下的工艺技术。
下载文档本站声明： 本文章由作者或相关机构授权发布，目的在于传递更多信息，并不代表本站赞同其观点，本站亦不保证或承诺内容真实性等。需要转载请联系该专栏作者，如若文章内容侵犯您的权益，请及时联系本站删除。
换一批
延伸阅读
IBM发布2022财年第三季度财报。季度总营收为141.07亿美元，与去年同期的132.51亿美元相比增长6%；净亏损为31.96亿美元，去年同期的净利润为11.30亿美元；来自于持续运营业务的亏损为32.14亿美元；不...
关键字： IBM
热门文章
编辑精选
更多
论坛活动
技术子站
更多
资料下载
更多
技术学院
- TrendForce集邦咨询: 2025年下半年晶圆代工产能利用率优于预期，零星业者酝酿涨价
- TrendForce集邦咨询: AI存储需求激发HDD替代效应，NAND Flash供应商加速转进大容量Nearline SSD
- TrendForce集邦咨询: 2026年CSP资本支出预计将高达5,200亿美元，GPU采购与ASIC研发成创新高核心驱动力
- TrendForce集邦咨询：受QLC产品热度的外溢效应驱动，预计NAND Flash 4Q25价格将上涨5-10%
- TrendForce集邦咨询: 十一长假将至，LCD电视面板大厂计划调降稼动率稳运维
- TrendForce集邦咨询：4Q25 DRAM价格延续涨势，服务器需求提前发酵、旧制程产品涨幅仍较大
- 一文搞懂如何最大限度降低Ćuk稳压器的辐射
- PCB板层设计与电磁兼容性的关系解析
