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Intel新版32nm工艺叩开智能手机之门
时间：2010-06-19 20:26:00
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[导读]Intel尝试进入智能手机领域由来已久，但始终不得其门而入，现在凭借新工艺而实现的RF SoC，Intel有希望再跨过一道槛了。
无论是ARM架构的XScale芯片，还是x86 Atom架构的片上系统(SoC)，Intel在智能手机领域内的努
Intel尝试进入智能手机领域由来已久，但始终不得其门而入，现在凭借新工艺而实现的RF SoC，Intel有希望再跨过一道槛了。
无论是ARM架构的XScale芯片，还是x86 Atom架构的片上系统(SoC)，Intel在智能手机领域内的努力都算不上太成功，这其中既有x86处理器功耗过高的因素，也有智能手机厂商对集成度要求很高的原因，特别是他们希望能将基带控制器也放在SoC主芯片内。
现在，Intel工程师开发了一种新版本的32nm HKMG工艺(原用于CPU)来制造SoC，特别是那些需要低功耗和射频(RF)/移动通信的，同时还加入了高频率性能的三晶体管架构、很低的漏电功耗、优秀的噪声性能和高击穿功率放大器晶体管。最后一项对于CMOS功率放大器集成Wi-Fi、WiMAX、Cellular、GPS等射频应用来说是必需的，而新工艺通过DNW层和高电阻底层提供了噪声隔离，还包括高质量电感、电阻和变容二极管。
Intel已经从诺基亚那里获得了基带技术授权，因此未来针对小型移动和便携设备的SoC可能会加入RF单元，包括已发布Moorestown Atom Z600平台的下一代、将使用32nm工艺制造的Medfield。
Intel将在新一届的超大规模集成电路研讨会上详细介绍这种新工艺。
无论是ARM架构的XScale芯片，还是x86 Atom架构的片上系统(SoC)，Intel在智能手机领域内的努力都算不上太成功，这其中既有x86处理器功耗过高的因素，也有智能手机厂商对集成度要求很高的原因，特别是他们希望能将基带控制器也放在SoC主芯片内。
现在，Intel工程师开发了一种新版本的32nm HKMG工艺(原用于CPU)来制造SoC，特别是那些需要低功耗和射频(RF)/移动通信的，同时还加入了高频率性能的三晶体管架构、很低的漏电功耗、优秀的噪声性能和高击穿功率放大器晶体管。最后一项对于CMOS功率放大器集成Wi-Fi、WiMAX、Cellular、GPS等射频应用来说是必需的，而新工艺通过DNW层和高电阻底层提供了噪声隔离，还包括高质量电感、电阻和变容二极管。
Intel已经从诺基亚那里获得了基带技术授权，因此未来针对小型移动和便携设备的SoC可能会加入RF单元，包括已发布Moorestown Atom Z600平台的下一代、将使用32nm工艺制造的Medfield。
Intel将在新一届的超大规模集成电路研讨会上详细介绍这种新工艺。
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