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Novellus与IBM宣布成立TSV制程共同研究项目
时间：2010-04-02 07:07:00
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[导读]诺发系统(Novellus)日前宣布与IBM成立共同研究项目，将利用诺发之电镀铜SABRE与电浆辅助化学气相沉积VECTOR系统，设计出可制造3-D半导体铜硅穿孔(TSV)之制程，该新制程将可应用于小体积与低耗电的3-D整合产品。
诺发系统(Novellus)日前宣布与IBM成立共同研究项目，将利用诺发之电镀铜SABRE与电浆辅助化学气相沉积VECTOR系统，设计出可制造3-D半导体铜硅穿孔(TSV)之制程，该新制程将可应用于小体积与低耗电的3-D整合产品。
使用TSV技术将半导体工业推往3-D整合是一股强烈的趋势，将多种组件堆栈成类似三明治结构与用铜孔连接所有导电层，此技术增加了电路密度并使最终组件变小，透过每个组件间较短的连接长度，进而增加组件速度与较低的电力消耗，堆栈的结构也允许多种特定功能组件的组合，包含利用非同构型的整合，以符合现今不断缩小之电子产品的需求，如手机、PDA及笔记本电脑。
然而，对于整合TSV到半导体制程，以至于新结构需同时具有高可靠度与低制造成本上，仍面临数个重要挑战。其一是于极深的高长宽比结构之无洞填充时，降低过多的铜沉积或承载，承载厚度会随着TSV的形态而改变；另一个挑战则需要低温沉积介电薄膜的能力，如此一来，在TSV的制造流程中，芯片上热预算才不至于超过标准。
诺发系统已发展出一套特殊高效的SABRE Electrofill@ TSV 制程，该制程使用享有专利权的设备，以及电镀液达到最低过量铜之无洞填充，过多铜可降低75%，容许使用传统的化学机械研磨(CMP)代替客制研磨泥浆；此外，SABRE的优化TSV电镀液提供较短的电镀，因而能有较高的生产率。
为了解决低温介电膜的需求，诺发系统的 VECTOR平台搭配着独创的多站连续沉积结构(MSSD)，使得具有稳定且高良率的TSV制程，在崩溃电压、漏电行为及芯片间的再现能力，与200度以下介电膜沉积的要求上成为可能。SABRE与VECTOR的应用简化了TSV的制造流程，并开创了低成本、高效能3-D芯片的广泛应用，诺发系统与IBM 将一起合作评估与研发制程应用于IBM的3-D整合项目。
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