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IBM阵营high-k技术发生变化
时间：2011-01-20 12:13:34
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[导读]IBM联盟的high-k技术正在发生转变。在32nm和28nm采用先栅high-k工艺（gate first）之后，IBM及其伙伴公司，包括AMD、Globalfoundries、Samsung等，将在20nm转向竞争对手所采用的后栅工艺（gate last），此前IBM联盟坚
IBM联盟的high-k技术正在发生转变。
在32nm和28nm采用先栅high-k工艺（gate first）之后，IBM及其伙伴公司，包括AMD、Globalfoundries、Samsung等，将在20nm转向竞争对手所采用的后栅工艺（gate last），此前IBM联盟坚持认为gate-first是更好的方案。
IBM半导体研发中心副总裁Gary Patton表示，对于20nm来说，gate last是更好的方案，可以在密度和尺寸缩小上带来一定优势。
换句话说，IBM及其伙伴已经承认此前高调推广的gate first技术只用了一个节点。Intel、TSMC和UMC是gate last技术的倡导者，Intel已在45nm节点导入了high k工艺，台积电预计将在28nm节点导入。
在32nm和28nm采用先栅high-k工艺（gate first）之后，IBM及其伙伴公司，包括AMD、Globalfoundries、Samsung等，将在20nm转向竞争对手所采用的后栅工艺（gate last），此前IBM联盟坚持认为gate-first是更好的方案。
IBM半导体研发中心副总裁Gary Patton表示，对于20nm来说，gate last是更好的方案，可以在密度和尺寸缩小上带来一定优势。
换句话说，IBM及其伙伴已经承认此前高调推广的gate first技术只用了一个节点。Intel、TSMC和UMC是gate last技术的倡导者，Intel已在45nm节点导入了high k工艺，台积电预计将在28nm节点导入。
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