当前位置：首页 > 消费电子 > 消费电子

英飞凌与美光合作让HD-SIM卡具备128MB以上容量

时间：2008-11-11 07:20:34

关键字： SIM卡英飞凌美光 HD

手机看文章

扫描二维码
随时随地手机看文章

[导读]英飞凌科技股份公司（Infineon Technologies AG）是全球领先的芯片卡集成电路供应商。美光科技有限公司（Micron Technology, Inc.）是全球一流的高级内存半导体解决方案提供商。双方日前宣布进行战略技术合作，共同开

英飞凌科技股份公司（Infineon Technologies AG）是全球领先的芯片卡集成电路供应商。美光科技有限公司（Micron Technology, Inc.）是全球一流的高级内存半导体解决方案提供商。双方日前宣布进行战略技术合作，共同开发128MB以上容量的高密度用户身份模块（HD-SIM）卡。

HD-SIM卡非常适合为移动应用提供更大存储空间和更多服务，同时还能改进运营商的流程。将高密度和更安全可靠的特点结合起来，运营商就能提供图形丰富多彩的增值服务，如手机银行和非接触式手机订票等。此外，运营商还能通过他们的无线网络安全地更新或删除应用，而新的应用、服务和设置也能随时下载或推送到HD-SIM卡上，从而保持产品的最快上市时间。然而，功能的发展意味着SIM存储解决方案也需要不断进步，以充分利用更快的处理速度和通信速度，最终要提供更大的内存容量，满足这些应用的需求。

针对这样的需求，英飞凌和美光公司准备携手开发一套创新的高密度解决方案。两家公司将在技术方面紧密协作，充分利用各自的专长来设计模块芯片解决方案的架构；这种解决方案将英飞凌的安全微控制器和美光的创新NAND闪存结合起来，并专为HD-SIM应用设计一些特色功能。美光公司将用50纳米和34纳米工艺技术来生产解决方案中的NAND闪存。双方联合开发的这套解决方案将与HD-SIM卡高效集成，支持这些卡有效地将存储容量扩大到128MB以上，并提供其他一系列新的特色功能，包括：

——高密度：串行NAND闪存提供了性价比最高的解决方案，使HD-SIM卡能够配备128MB或更大容量的存储器。

——纠错码（ECC）电路：内置于美光NAND闪存之中，以减轻HD-SIM卡微控制器数据纠错的负担，并简化整体安全性设计。

——出色的功率管理：符合欧洲电信标准协会（ETSI）的要求。英飞凌/美光HD-SIM解决方案的工作电压范围是1.8伏到3.3伏，符合欧洲电信标准协会推荐的低工作电流参数。

——便于进行技术迁移：安全微控制器概念包含一套经过最优化的高性价比封装解决方案，可在NOR和NAND技术之间轻松进行转换，因为这套解决方案中特别提供了一致的应用协议接口和相关的软件栈。此外，为现有SIM卡开发的操作系统软件也能很方便地重复使用。

美光科技公司高级营销总监Bill Lauer说，“对更稳健的存储和应用的需求正把移动市场推向新阶段。美光公司因世界一流的技术和NAND创新而知名，我们致力于开发战略存储解决方案，其模式已经远远超出了‘以一种规格满足所有需求’(one-size-fits-all)的水平。这次联合开发的HD-SIM解决方案提供了比以往都更高的密度，我们相信，这项技术将会继续为移动市场激动人心的新应用提供支持。”

英飞凌科技公司芯片卡与安全业务部副总裁兼总经理Helmut Gassel博士说，“根据英飞凌公司的设想，今后SIM卡会有新的作用，将能够大量存储影音内容，甚至还能替代闪存卡。英飞凌用一套完备的HD-SIM产品组合倾力为整个HD-SIM市场提供支持，这些产品的容量从几兆到2GB不等，能够提供合适级别的性能和安全性。我们的客户，包括芯片卡制造商和移动网络运营商，都能从我们的智能HD-SIM微控制器系列技术概念中受益，有了这种概念的支持，就能轻松选择NOR或者NAND技术，控制研发成本，并最大程度减少HD-SIM平台资格认证的工作。这带来的结果就是，他们能够非常灵活地应对新兴的HD-SIM市场，在多个用例中做出快速响应。”

原型产品预计于2009年秋季面市，将以晶片形式或经济的芯片卡集成电路封装形式出售。