Angstrom Aerospace选择飞思卡尔4Mbit MRAM器件
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磁阻式随机存取存储器(MRAM)产品提供商飞思卡尔(Freescale)半导体公司为环境苛刻的应用，如军事、航空航天、工业和汽车系统等提供非易失性存储技术。Angstrom Aerospace最近宣布在其磁力计子系统中使用飞思卡尔的温度范围更大的4Mbit，该系统将被搭载在日本的一颗研究卫星发射进入太空。
Angstrom Aerospace在其Tohoku-AAC MEMS Unit(TAMU)中使用飞思卡尔的MRAM，TAMU是被称为SpriteSat的日本研究卫星的磁力计子系统。在开发卫星子系统的过程中，Angstrom Aerospace与瑞典皇家技术学院材料物理与应用自旋电子的知名教授Johan Akerman博士通力合作。
Johan Akerman博士说，“飞思卡尔的4Mbit MRAM器件取代了SpriteSat的Angstrom模块中的闪存和以电池为电源的SRAM。能够在卫星研发工作的不同阶段重新配置关键程序和路线定义，这是一项很大的优势。
TAMU计划为SpriteSat提供地球磁场的磁强计数据。SpriteSat项目由Kazuya Yoshida教授领导，在位于日本仙台的Tohoku大学兴建。计划于2008年底升空的SpriteSat的任务是监视地球上层大气中的“sprite”现象(闪电效应)。
Angstrom Aerospace之所以选择飞思卡尔的4Mbit MRAM器件，是因为它集合了众多优点，如非易失性内存、扩展的温度操作、耐力持久以及长时间数据保留(即使在断电的情况下)。MRAM能够在一块内存上保存程序数据和FPGA配置数据，让Angstrom Aerospace将所有存储需求缩减到一个芯片上，从而降低了主板区域。同时，MRAM存储的灵活性也使得系统能够在太空中进行重新配置。
“MRAM温度范围的扩大为恶劣环境中的系统设计(如TAMU)提供了独特的高温和高可靠性，”飞思卡尔MRAM产品经理David Bondurant表示，“MRAM的优势还延伸到运输和工业市场，在这一领域，飞思卡尔正在与那些需要大量快速且经济高效的内存的开发人员合作，这些内存是非常理想的非易失性内存，可进行大量读写循环。”
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