Intel公司今天宣布,将在美国境内投资60到80亿美元,升级半导体制造技术,并在俄勒冈州兴建一座新的晶圆厂。
根据该计划,Intel将在美国俄勒冈州建立名为Fab D1X的新晶圆厂,预计该厂将于2013年投入研发工作,具体投产日期还未确定。同时,Intel位于美国亚利桑那州的Fab 12、Fab 32,以及位于俄勒冈州的Fab D1C和Fab D1D也将借助这笔投资,升级到22nm制程工艺。预计该项投资将能够制造6000到8000个建筑工业岗位,并在完成后再制造800到1000个永久性高技术工作岗位。
Intel表示,目前公司制造处理器的速度相当于每秒钟100亿个晶体管。但相比PC行业今年达到的每天100万台的销售速度,其产能仍然无法满足需求,因此需要进一步的投资来升级技术,扩充产能。据称,新的Fab D1X未来将有能力升级制造450mm晶圆,相比目前最大的300mm晶圆进一步提高产量降低成本。不过,该升级计划目前还没有具体时间表。
根据Intel的“Tick-Tock”技术升级路线图,下一个“Tick”将是代号为Ivy Bridge的22nm工艺产品。预计该系列处理器将于2011年下半年投产,2012年初零售上市,此次四座工厂的制程升级很可能就是为这次换代做准备。
Fab D1X设计图,位于美国俄勒冈州Hillsboro,Intel Ronler Acres 园区
Fab D1C,位于美国俄勒冈州Hillsboro
Fab D1D,位于美国俄勒冈州Hillsboro
Fab 32,位于美国亚利桑那州Chandler
Intel、美光合资闪存制造企业IM Flash Technologies, LLC(IMFT)宣布已经开始试制25bn工艺NAND闪存芯片。除了纸面宣布外,他们实际上还邀请了多家媒体到IMFT位于美国犹他州Lehi的25nm工艺晶圆厂进行参观。
位于雪山脚下的IMFT工厂
工厂结构,制造半导体产品最关键的无尘室位于第三层,加压吊顶形成由上向下的气流,设备维护工作则在二层的“SubFab”层完成。
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进入无尘室之前的“打包”过程。(由于无尘室内部的严格要求,实际上以下内部照片均来自IMFT官方)
晶圆厂内走廊,顶端的自动运输系统(AMHS)正在以每小时13公里的速度将晶圆在各个制造环节间运输,24小时不停歇。每个运载器都打在了一个FOUP(前端开口片盒),其中可装载最多25片300mm晶圆。
厂内地面全部打孔,保证空气从上向下流通,将落尘可能减到最小。
FOUP片盒挂接在一个制造阶段设备上,后面的那个正在被AMHS吊起。
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几乎所有制造过程均为自动完成,因此厂内大部分工人的工作就是保证这些设备正常运行。
化学机械抛光(CMP)车间
照明受限的光刻车间
一块光刻掩膜,光刻过程简单的说就是将这块掩膜上图案“缩印”到晶圆上。
光刻过程中的“校准”
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实时缺陷监测(RDA)
FOUP片盒中的300mm晶圆
PCper记者手持一片25nm工艺300mm晶圆,总容量超过2TB。
300mm晶圆
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每片闪存颗粒die容量为8GB(每格2GB),面积167平方毫米。
Intel副总裁,NAND闪存业务总经理Tom Rampone手持25nm颗粒
尺寸对比
从左到右分别是:
2003年130nm工艺128MB,2005年90nm工艺512MB,2007年50nm工艺1GB,2009年34nm工艺4GB以及现在的25nm工艺8GB闪存。最右侧是标准的TSOP闪存封装尺寸。
使用25nm工艺闪存,只需要单die芯片即可造出Class 10级SD卡。Intel计划,今年将基于该闪存造出最大600GB的固态硬盘,而美光甚至计划最大推出1TB SSD。
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