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大阪大学采用涂布法制成载流子迁移率达5cm2/Vs的有机TFT
时间：2010-11-02 16:30:00
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[导读]日本大阪大学研究生院理学研究系化学专业副教授竹谷纯一的研究小组采用涂布法制成了载流子迁移率高达5cm2/Vs的有机薄膜晶体管（TFT）。该大学在“nano tech 2010（国际纳米科技综合展）”（2月17日～19日）的日本新能
日本大阪大学研究生院理学研究系化学专业副教授竹谷纯一的研究小组采用涂布法制成了载流子迁移率高达5cm2/Vs的有机薄膜晶体管（TFT）。该大学在“nano tech 2010（国际纳米科技综合展）”（2月17日～19日）的日本新能源产业技术综合开发机构（NEDO）展区内，展示了这一成果。
大阪大学发现在硅底板上设置具有长方形截面的结构物时，滴落的有机液体会以结构物的截面为基点（生长核），朝着远离截面的方向均匀固化的现象。大阪大学表示，利用这一现象，“能够实现使用以往的生长核位置随机确定的涂布法难以实现的高品质有机单晶体”。
大阪采用这种方法，制成了栅极长为100μm的有机TFT。这种TFT具有p型传导特性，载流子迁移率为5cm2/Vs，开关比为105。只采用涂布法形成了通道，电极等则采用普通的气相法形成。通道材料中使用了将BTBT（Benzothieno Benzothiophene）溶入庚烷（Heptane）的有机液体。
硅底板上的结构物采用了硅切片，不过还可采用像曝光抗蚀剂一样与TFT制造工序具有较高亲和性的材料。大阪大学表示，今后将面向显示器驱动等用途推进TFT的阵列化，同时“验证可在柔性底板上实现何种性能”（同大学）。（记者：大下 淳一）
大阪大学发现在硅底板上设置具有长方形截面的结构物时，滴落的有机液体会以结构物的截面为基点（生长核），朝着远离截面的方向均匀固化的现象。大阪大学表示，利用这一现象，“能够实现使用以往的生长核位置随机确定的涂布法难以实现的高品质有机单晶体”。
大阪采用这种方法，制成了栅极长为100μm的有机TFT。这种TFT具有p型传导特性，载流子迁移率为5cm2/Vs，开关比为105。只采用涂布法形成了通道，电极等则采用普通的气相法形成。通道材料中使用了将BTBT（Benzothieno Benzothiophene）溶入庚烷（Heptane）的有机液体。
硅底板上的结构物采用了硅切片，不过还可采用像曝光抗蚀剂一样与TFT制造工序具有较高亲和性的材料。大阪大学表示，今后将面向显示器驱动等用途推进TFT的阵列化，同时“验证可在柔性底板上实现何种性能”（同大学）。（记者：大下 淳一）
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