高隔离度SPDT开关 GaAs MMIC NJG1666MD7 （新日本无线）

新日本无线现开发完成了最适合于TV调谐器等信号分离的高隔离度SPDT开关GaAs MMIC NJG1666MD7，并已开始供货了。

近年来，随着装载有FM和1seg等多数调谐器的设备的增加，市场需求用于分离接收信号的具有高隔离度的SPDT开关。为了适应市场的要求，新日本无线开发了最适合于信号分离的SPDT开关系列产品。要求更高隔离度的STB※和TV调谐器等设备把已有的SPDT开关多段连接使用或使用分立电路。NJG1666MD7是实现了使要求高隔离度特性的设备更加容易把信号分离而开发的SPDT开关。

特征1　同时实现了高隔离度和低插入损耗
完成了高隔离度的电路设计和减少了IC芯片、封装内的寄生电容，从而实现了高隔离度(70dB@250MHz, 60dB@2.2GHz)的特性，并且实现了很难同时共存的低插入损耗(0.50dB typ.@f=2200MHz)。

特征2　采用了小型、超薄型封装
NJG1666MD7采用了小型、超薄型封装EQFN14-D7(1.6x1.6x0.397mm typ.)，实现了比以往产品(NJG1512HD3：2.0×1.8×0.8mm)28%面积的节减，使安装基板节省了空间并可小型化。
　　　　　
特征3　实现了高ESD(Electrostatic Discharge)耐压　
内置有保护器件，从而实现了在MM(Machine Model)机器放电模式上可200V以上和在HBM(Human Body Model)人体放电模式上可3000V以上的高ESD(Electrostatic Discharge)耐圧。

应用
・STB
・TV调谐器

产品性能
・低工作电压 　　　　　VDD =+2.0～+4.5V
・低切换电压 　　　　　VCTL(H) =+1.3V min
・低消耗电流 　　　　　30μA typ.
・高隔离度 　70dB typ.　 　@f=250MHz
 　　　　　　　　　　60dB typ.     @f=1000MHz
 　　　　　　　　　　60dB typ. 　　@f=2200MHz
・低插入损耗 　　　　　 0.40dB typ. 　@f=250MHz
 　　　　　　　　　　0.45dB typ. 　@f=1000MHz
 　　　　　　　　　　0.50dB typ. 　@f=2200MHz
・高ESD耐压 内置有ESD保护电路
・无铅无卤化物
・小型、超薄型封装 EQFN14-D7 (封装尺寸: 1.6x1.6x0.397mm typ.)

生产计划／参考价格
・样品的供货：　　已经从2009年12月开始了
・生产　　　：　　预定从2010年1月开始，每月生产30万个
・参考价格　：　　单价100日元以上