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  • 7月半导体销售额引发全球分析师前景探讨

    业界在讨论目前半导体工业正走向复苏？还是会进入另一波的下降周期？从最近数据，全球半导体三个月的平均销售额在7月为181.5亿美元，比6月的172.4亿上升5.3%，与去年同期的221.9亿美元相比下降18.2%，但是对于产业的未来充满期望。   8月31日公布的数据是由WSTS发布，表示芯片出货量三个月的移动平均值。   卡内基ASA分析师Bruce Diese   存储器芯片，PC和汽车电子芯片都有好的表现。低端的手机芯片有很强的恢复。从地区看，最大的增长是日本。   预计09年全球半导体业销售额下降14%，之前的预测为下降15%。汽车电子芯片可能在Q3看到比Q2有很大的变化。   Semico研究公司总裁Jim Feldhan   7月销售额增强了产能利用率开始趋紧的观点。之前认为Q1工业已触底，实际上底部在2月份发生。在Q2看到了明显的复苏，而且比想象中来得快。传统上7月本来是个淡季，但是此次7月销售额环比仅下降2%(过去7月与6月的环比通常要下降20-27%)。   所有的数据显示，Q3不错，尤其笔记本市场预期会有12-15%的增长，英特尔Q3的预期可能更能证明此点。目前总体上电子产品供给偏紧，许多产品都是如此。由此代工几乎都增加了投资，作好准备。   但是进入下半年最大的担心是有些工业可能会继续下跌。所有人对于全球经济危机是反应过度，所以我们必须在短时间内对于工业有正确的估计。   目前Semico的预测今年半导体业下降13%。   Gartner分析师Klaus Rinnen   在中国等剌激经济策略的帮助下，总的全球形势在不断的进步。业界关心的是目前的需求增长是否真实，是循环中的补充需求，还是真的需求到来。看来两种因素都存在。   在Q1时看到PC市场触底及手机市场有些回升。在Q2时应该进入增长的第一阶段，并开始加速，总体半导体情况比预期的好。   受季节性销售的影响Q3应该更好，但是进入Q4时会有所减缓，这是正常的工业走势。   Gartner预测09年半导体业下降17%。   至此，卡内基，Gartner及Semico都已分别表示了看法。下面Cowan，Databean及Semiconductor Inteligence也加入讨论。   Mike Cowen独立工业分析师   必须着重看一下直至7月时半导体业的累积数据为1148.2亿美元，去年同期的1482.9亿美元相比，是下降22.6%。   如果用Cowen的LRA销售预测模型来计算，09年7月的销售额为188.91亿美元，与去年同期比下降17.4%，以及预测2010年7月时增长为8.1%。再比较一下09年6月的数据，分别是下降20%及增长8.0%。此再类推可得出2009年半导体销售额为2054亿美元及2010年达2221亿美元。   Databean公司市场研究部的Susie Inouye   Databean已经修正2009年全球半导体业销售额由2065亿提高到2173亿美元。与08年相比仍下降13%，但比之前的预测调高4%。   如果往回看，在12月及1月时，由于订单撤销及制造生产线几乎停止工作，一片悲观的声音。尽管消费者持币待购，但是在全球各国的经济剌激计划下，今年2月至6月工业开始回温。到今年8月时情况大变，至少听到的大部分是好的消息。显然有人觉得V型复苏似乎不太可能。但是从心底里不希望工业出现再次下降的局面。   传统上每年7月是淡季，(7月比6月的10年平均值下降17%)，但是今年7月有点例外，原因来自处理器及美国芯片业等的好转。   今年美国在Q3时可能第一次会公布与去年同期相比的高销售额，当然单依靠美国不可能推动工业复苏。但是在某些器件类中，如微处理器，美国在全球仍是老大。亚太地区仍是半导体在全球占最大的比例，日本正等待订单再次跳起。   相信全球PC市场平稳的增长，在Q3时会推动处理器的ASP上升。今年下半年手机的出货量增长来自新的型号。但是消费类的视频和声频市场近期会上升些，与Q2的无线设备相近。日本市场明显改善， 逐月销售额回升，自2月以来在其它地区并不多见。   半导体智力LLC首席分析师Bill Jewell   假设09Q2全球半导体市场开始复苏，产能的前景如何？非常可能在2010年时产能出现短缺现象。   由半导体工业产能统计，SICAS的2009年Q2的数据，与09 Q1相比，全球IC总产能下降3.7%，连续三个季度的下降。而09 Q2的IC产能与去年同期比下降13%。好消息是IC硅片的投片量09 Q2比09 Q1增加31.9%，但是09 Q2的投片量与去年同期相比仍下降24%。   IC产能利用率在09 Q2是77.8%，比Q1增加56.8%。但是09 Q1的产能利用率是SICAS自1994年创建以來统计的最低值。之前的最低值是2001年的Q3为64.2%。

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  • 英特尔核心芯片部门高管加盟EMC 或成下任CEO

    北京时间9月14日消息，据国外媒体报道，美国存储设备及软件开发商EMC定于周一(美国当地时间)对外宣布，已任命英特尔核心芯片部门主管帕特里克·基辛格(Patrick Gelsinger)出任公司高管，并负责EMC存储产品和部分小型软件套装的日常运营工作。   业界人士表示，EMC现任董事长、总裁兼CEO乔·图西(Joe Tucci)定于今后三年内辞去CEO一职，因此不排除基辛格成为EMC下任CEO的可能性。   据悉，EMC对基辛格的上述任命将立即生效。此外，EMC还提拔该公司主管霍华德·埃里亚斯(Howard Elias)担任公司服务部门主管。图西表示，基辛格、埃里亚斯和EMC首席财务官(CFO)戴维·古尔登(David Goulden)三人都有可能成为EMC下任CEO。图西今年62岁，他此前表示，将于3年内辞去公司CEO职务。   或成收购目标   业界人士则表示，由于图西并没有明确指定下任CEO人选，在今后该公司管理层过渡期间，或许EMC将成为其他公司的收购目标。业界人士曾认为，美国网络设备制造商思科应考虑收购EMC。   上个世纪90年代末期，EMC向各大互联网公司销售各类硬件和软件产品而迅速崛起。但随着2000年美国网络经济泡沫的破灭，EMC市场业绩出现下滑。EMC随后聘请图西出任公司CEO，目的就是为了重振EMC各项业务。自那时以来，图西不但采取了压缩开支措施，而且还通过外部收购方式来增强EMC实力。   在EMC的多次收购活动中，最为引人注目的是收购虚拟化软件开发商VMware的84%股权。目前VMware已成为美国最为知名的虚拟化软件厂商之一。美国市场研究公司IDC公布的数据显示，EMC还在外部磁盘存储系统市场占据21.5%份额。   图西表示，目前计算机存储产业正向云计算(Cloud Computing)转型，EMC将在这种产业转型过程中受益良多，原因就是很多用户已在使用VMware虚拟化软件及EMC相应产品。拿大蒙特利尔银行资本市场(BMO Capital Markets)分析师基恩·巴赫曼(Keith Bachman)认为，EMC今后完全有能力保持其独立身份。

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  • 2009年芯片制造支出将下降48%

    技术研究集团Gartner在周五的时候表示，由于半导体市场处于史上最严重的低迷期，2009年芯片制造设备的投入将下降49%。　　但是因为芯片需求有回暖的迹象，Gartner预测，在今年下半年，芯片制造设备的支出将提高47.3%。　　Gartner说半导体设备的投入将在2010年恢复，预计收益将增长34.3%。　　Gartner研究部门的副主席在一份报告中写道：“产能将在2010年下半年上升，因为商务机构和消费者重新开始花钱购买电子产品。全世界范围内将出现新一轮稳定的半导体产量的增长。”　　在上个月底，半导体工业协会也作出了报告，报告称全球的芯片销售量在今年七月之前的一年当中下跌了大概18%，但是同比已经连续增长了五个月。

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  • 东芝或外包部分集成电路生产业务

    据国外媒体报道，东芝可能外包大规模集成电路的部分生产以降低制造成本。   据日本经济新闻社(Nikkei)报道，东芝可能向新加坡特许半导体公司或原属AMD的美国芯片制造商Globalfoundries外包业务，但并未透露消息来源。东芝则在向东京证交所提交的报告中称：“我们正考虑外包任何超出产能的系统大规模集成电路业务，但目前尚未作出任何决定。”   个人电子产品用芯片的全球需求正在下滑，制造体积更小、功能更强芯片的成本则正在上升，已迫使富士通外包了大多数先进半导体的生产业务，并正迫使NEC和瑞萨科技(Renesas Technology)合并业务。东芝曾在8月5日称，该公司可能外包所有的系统大规模集成电路生产业务。   在截至6月30日的第二季度，东芝芯片部门亏损362亿日元(约合3.89亿美元)，其中来自于大规模集成电路业务的亏损占一半以上；营收2252亿日元(约合24.2亿美元)，同比下滑23%，其中来自于大规模集成电路业务的营收占31%。   在东芝第一季度的总营收中，来自于大规模集成电路的营收占5.3%。

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  • 国家半导体季利润同比下滑仍超预期

    北京时间9月11日凌晨，国家半导体公司(National Semiconductor)(NSM)在美股收盘后宣布，刚过去的第一财季盈利2980万美元，合每股13美分。上年同期该公司的利润为7960万美元，合每股33美分。全季营收总计3.144亿美元，低于一年前的4.656亿美元。据FactSet Research提供的数据，华尔街分析师平均预期国家半导体每股将盈利8美分，营收约为3.003亿美元。国家半导体是一家总部位于加州圣塔克拉拉的芯片制造商，它在发布第一季业绩之余还指出，预计第二财季的销售额将环比增长3%至8%，约为3.25亿至3.4亿美元。   周四美股常规交易中，国家半导体在纽约证交所上市的股票上涨25美分，收于15.97美元，涨幅为1.59%。公布财报后，截至美东时间下午4:17(北京时间周五凌晨4点17分)，该股在盘后交易中下跌27美分，至15.70美元，跌幅为1.69%。  

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  • SEMI发布2009年第二季度全球半导体设备出货量26.9亿美元

    全球半导体设备与材料行业协会SEMI日前公布了2009年第二季度全球半导体制造设备订单出货数据统计状况。   2009年第二季度全球半导体设备出货量为26.9亿美元，较上个季度下滑13%，而较去年同期下滑幅度达66%。此数据是与日本半导体设备协会（SEAJ）合作，并由全球超过125家设备公司数据统计而得到。   SEMI同时公布，2009年第二季度全球半导体设备订单量为29.5亿美元，虽然较去年同期下滑58%，但与上个季度相比增长幅度达到83%    “2009年上半年半导体设备资本支出状况与90年代早期颇为相似，”SEMI总裁兼CEO Stanley T. Myers表示，“同时，2009年对于整个产业来说是极富挑战性的一年，近几个月来设备订单的回升将激励产业的复苏。”   来源: SEMI/SEAJ 2009年9月6日注：由于进位原因，数字加起来可能与总数略有出入

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  • 尼泊尔18岁少年用头发制成太阳能电池板

    尼泊尔一名18岁少年利用头发制成了一块太阳能电池板，这可能将为人们带来最便宜和最环保的电。   这位名叫米兰-卡基(Milan Karki)的少年来自尼泊尔一个村庄，目前他在尼泊尔首都加德满都上学。他称自己找到了解决世界能源紧缺的方法。他介绍，头发可用来做太阳能电池板上的导体，这将为可再生能源带来一场革命。   他还说，硅材料是目前太阳能电池的主导材料，头发代替硅后，成本就大大下降。米兰说，他准备先在自己的家乡推广这项技术，然后把它介绍到全世界。   米兰和他的同学起初只是做实验，但是成功后他们觉得这有很广泛的适用性和很大的商业价值。  

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  • 杜邦公司将投资1.2亿美元扩产Tedlar®光伏组件材料

    作为全球领先的太阳能光伏产业材料供应商，杜邦公司近日公布了其高性能材料杜邦™Tedlar®聚氟乙烯（PVF）产能分阶段扩张的具体计划。现阶段投资规模超过1.2亿美元，可使用于Tedlar®薄膜生产的单体和树脂产能增加百分之五十以上。Tedlar®薄膜是光伏组件背板的关键组成部分，保证光伏组件在全天候条件下的耐用性。   现阶段Tedlar®产能扩张的选址工作已经完成，并已在杜邦公司位于美国肯塔基州路易斯维尔和北卡罗来纳州费耶特维尔的工厂分别新建生产单体和树脂生产设施。新生产设施计划在2010年中投产。   杜邦公司电子与通讯技术集团副总裁David B. Miller先生说：“这项投资是为了支持全球市场大幅增长的对清洁和可再生能源的需求。我们扩张产能的举措是发展Tedlar®业务并保持公司在太阳能电池封装用背板市场中的领导地位的关键步骤。我们的客户在可再生能源发电领域的投资需要能提供长期、可靠电力供应的太阳能电池。”   上述投资体现了杜邦公司在上周所公开做出的承诺，即：关注并支持四大全球发展趋势及相关市场需求，其中之一是减少对化石燃料的依赖。   杜邦公司认为，光伏市场将在未来几年中快速发展，从而带动对能提高太阳能电池和组件寿命及效率的Tedlar®和其它新材料的需求。杜邦公司预计，到2012年，其服务光伏产业的系列产品的销售额将超过10亿美元。   杜邦公司已在2009年实施了Tedlar® PV2100系列薄膜扩能计划，并正进行Tedlar® PV2000系列薄膜生产扩张的工程与设计工作。这两项计划将使Tedlar®薄膜的产能成倍增加。   在过去的25年中，杜邦™Tedlar®聚氟乙烯薄膜已经成为光伏太阳能电池封装用背板的关键组件。由于其良好的强度、耐候性、抗紫外线和水份阻隔性能，Tedlar®已成为行业标准。Tedlar®赋予太阳能组件持久的性能表现，为市场提供长期的可持续的能源供应。因其耐久性和耐候性，Tedlar®系列薄膜也被应用于航空航天、建筑和影像技术领域。杜邦公司通过其位于北卡罗来纳州费耶特维尔市、肯塔基州路易斯维尔市、纽约州水牛城、新泽西州帕林市、爱荷华州麦迪逊堡和宾夕法尼亚州托旺达市的工厂生产Tedlar®系列薄膜产品。  

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  • 半导体界“六大天王”风云录

    SEMI预测，2010年全球晶圆厂成长幅度将达64%，规模达240亿美元。但预计其中很大部份(约140亿美元)将来自少数几家公司──半导体界的‘六大天王’(Fantastic Six)，已经宣布了他们积极的投资计划。   在这前所未见的低迷气氛中，过去一年来，这些公司发布的大规模投资计划着实令人惊讶。SEMI的研究显示，未来2年内，这六家公司还将投入大量资金，以迎接经济挑战。   台积电(TSMC)：在经济衰退之际，台积电仍然连续两次调高了资本支出。2009年5月，台积电首次将其资本支出计划从15亿美元扩大为19亿美元，而在同年7月底，再次宣布加码至23亿美元。2010年，随着半导体需求持续复苏，加上全球经济开始走出衰退阴影，台积电的资本支出也预计将达到20亿美元以上。   GlobalFoundries：GlobalFoundries的合作伙伴──来自杜拜的ATIC公司，投资了21亿美元购买其晶圆厂股份。ATIC已承诺额外注入36亿美元股票资金(equity funding)，并在未来5年内提高至60亿美元，协助GlobalFoundries扩展业务。2009年，该晶圆厂的资本支出估计在6~7亿美元之间，未来两年则可望提升至每年10亿美元以上。   东芝(Toshiba)：2009年6月，东芝开始在全球股票市场集资30亿美元进行晶圆厂投资。这是过去8年来，全日本由非金融公司所进行的最大股票发行案。东芝将继续专注于NAND闪存，并扩大其与IBM联盟的伙伴关系，并更新与三星(Samsung)的NAND专利协议。东芝公司在2009~2011会计年度的的总资本支出计划是11亿日圆(约115亿美元)。其中，2009年用于半导体事业的资本支出计划为9,400亿美元。约47亿美元将用于2010和2011会计年度。2010年额度约20亿美元，2011年预计将稍高一些。   三星：三星的最新动作，是将位于奥斯汀的200mm产线转换为300mm的后段制程(BEOL)产线，以支援其现有的300mm前段制程。三星公司(Austin)总裁Y.B. Koh希望获得“制造业回到裸墙。”SEMI估计，三星在2010年的资本支出约为40～50亿美元，主要用于升级德州Austin 1与Austin 2，以及韩国的Line 15与Line 16产线。   英特尔(Intel)：2009年4月，英特尔宣布在未来几年内，将花费70亿美元来改善现有设施，以推动32nm技术量产。SEMI预测，这70亿美元中，约有30~40亿美元会用于2009年，其余将用在2010年。   华亚科技(Inotera)：这家由南亚(NanYa)与美光(Micron)合资成立的公司宣布了一个16亿美元的计划，将从70nm沟槽式技术转换到50nm的堆栈电容技术，并使用浸入式蚀刻工具。华亚拥有来自于南亚母公司台塑的强大财政支柱。其工厂预计在今年稍晚至明年进行装配，这可为该公司在2010年贡献约10亿美元的资本支出。   晶圆厂资本支出   2010年，全球的总晶圆厂支出(包括建造和装配晶圆设施)也预计将增加64%，达240亿美元。而随着这持续升级投资，六家厂商将占据总支出的一半以上。64%增幅看似非常高，但我们仍须考虑此一增长是以2009年的历史最低水平为基础。仅仅5亿美元的资本支出差异，对成长率的影响就可能达到4%。   将2010年的支出额与2008年相较(见表1)，增长率将出现负值。事实上，工厂的总支出(建筑加装备)在2010年将保持在2003年以来最低水平──当年的资本支出额约220亿美元。 表1：2008~2010年资本支出比较   *装配晶圆厂：任何与前端设备相关的费用，包括使用全新或二手设备的晶圆加工、光罩(mask/reticle)以及其它配套设备。   2009下半年，每季的总晶圆厂装配(含建造和装机)成长率可望达到2位数，到2010年还可望维持8%~15%的成长率(图1)。   图1：前段制程设备的支出(含建造和装机)   2010年，花费最多资金用于建造晶圆厂的地区将是美国。但在对于装机方面美国也将名列第一，其次是台湾和韩国。2009年，超过32家公司很对总晶圆厂资本支出的贡献度可能达140~150亿美元。而到了2010年，该数字可望变成超过40家公司共同贡献了约240亿美元的资本支出。而前面提到的六家主要业者，在2010年的资本支出额度预估将达140亿美元，等同于2009年全球所有晶圆厂的总资本支出额度(140~150亿美元)。   晶圆厂产能   半导体界‘六大天王’约占全球30%产能。这些业者在2009与2010年的投资大部份集中在升级其晶圆厂，而非投资新的晶圆厂。GlobalFoundries的产能相较之下少于其它五大天王，然而，这家新进入的代工业者才刚开始扩充产能，同时也在为新的晶圆厂做准备。   经济低迷对全球产能也造成了影响。由于2009年积弱不振的资本支出，不少生产线也宣告停止运转。SEMI预测数据显示，到2009年底大约有31家晶圆厂会关门大吉，另外还有16家可能在2010年退场。   2009年第一季，晶圆厂的平均产能利用率下降了约56%(业界各别公司回报的下降幅度约在30%~70%之间)。虽然一些公司(如台积电)目前正在运转中的一些厂房利用率已达满载，但在2009年底，整体产能利用率仍可能在70%~80%之间。[!--empirenews.page--]   图2：内存、晶圆代工、逻辑/模拟及其它等不同类别产品的装机产能。   内存在装机产品中占最大比重，从2002~2007年，随着导入300mm晶圆厂，每年成长率均保持在20%~50%。然而，2008年内存的产能成长率放缓至8%，2009年的成长率则约为-5%~-6%。2010年，内存的装机产能成长率预估为4%~5%，与过去的高成长相比，这个数字非常低。   全球NAND市场需求在2009年预估将增加约70亿GB至150亿GB；在2011与2012年则将增加300亿~500亿GB。目前，业界仅增加极少量的装机产能要如何满足这些需求，仍然是一个问号。晶圆界六大天王中，生产闪存的东芝、三星与英特尔(IM Flash)，将会在产能方面进行一些投资。不过，从破土到真正上线运转，建造一家晶圆厂至少需要1~1.5年的时间，因此，在2010年投资建造的新晶圆厂无法提供任何新的产能，必须等到2011或2012年。   SEMI预测，2010年全球晶圆厂资支出增长幅度约为64%。全球各地的经济振兴方案能提升不同地区的国家生产毛额(GDP)，并持续对2010年带来更好的影响──或许可带动其它公司加入‘六大天王’俱乐部，然后，我们谈论的对象就会变成‘七大巨星’(Super Seven)。  

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  • EPADs研讨会:三维封装支持技术的现状与未来

    日本电子封装学会下属、从事部件内置基片调查等业务的EPADs研究会于2009年9月3日举行了以“进化的三维封装及部件内置技术”为题的公开研讨会。在该研讨会上，5名演讲者介绍了半导体三维封装的现有技术以及5年后的未来技术。   首先，日本IBM东京基础研究所的佐久间克幸就力争今后5年实现半导体三维封装发表了演讲。佐久间表示，现有CMOS技术在功率密度上已至极限，时钟频率在2005年前后达到了顶峰。为了提高性能开始推进多核技术，但为了使性能达到最大，必须确保内存带宽。目前使用硅贯通电极的三维LSI的需求不断扩大。   佐久间介绍了硅的层叠及接合技术的现状。在层叠方面，充分利用以往技术薄化晶圆进行层叠的“Top-down（自上而下）方法”目前颇受关注。另外，对于芯片间的连接，佐久间表示，可将薄化晶圆的曲翘吸收掉的金属凸点最为合适。经剪切应力测试表明，铅焊锡的强度较高，锡铜焊点较脆。   WEISTI董事社长福冈义孝就使用硅贯通电极的三维LSI封装的一种、硅转接板进行了演讲。在配备多个LSI的硅转接板上，集成通过薄膜技术形成的L、C、R，为连接布线面和背面的外部电极，使用硅贯通电极。已试制出R使用铬薄膜时为2000μm×31.25μm、最大78000Ω，L为800μm见方、最大圈数为4.5圈，C为1mm见方、1.93nF的无源部件。   第三个登台的是从事半导体封装业务的新光电气工业开发统括部的小山昌一。小山介绍了使用内置底板的转接板的极限和解决方案。在光刻方面，由于会发生布线剥离，因此布线及布线间隔存在极限，需要应用半导体薄膜技术等。在通孔方面，用于服务器等终端用途时要对孔完全填埋，需进行利用周期脉冲反向电流（PPR，Periodic Pulse Reverse）的电镀处理。小山指出了介电体存在的课题，比如，介电体虽然具有成为硅转接板的可能性，但称为“Microball”的焊锡球无法完全吸收硅底板的扭曲及曲翘。   半导体封装使用部件内置基片   第四个和第五个登台的演讲者谈到了部件内置基片。目前，部件内置基片作为可通过现有技术实现的实质性三维LSI手段之一而广为人知。但实际上多被用作模块基片。用作模块基片时，具有下落冲击性及导热性出色等特点，在手机及车载等趋于模块化、要求可靠性的用途中，需求有望增加。   太阳诱电复合元件事业部EOMIN商品部的宫崎政志介绍了无源部件内置底板的薄型化等内容。该公司将向部件内置底板推出外形尺寸为1mm×0.5mm×0.3mm、静电容量为0.22μF的多层陶瓷电容（MLCC）。今后计划开发薄型、大容量化的MLCC，向部件内置底板推广。内置薄型产品时，具有可减小连接通孔所积蓄应力的优点。宫崎表示，目前在高度不足0.13μm的MLCC薄型化方面尚存在局限性，内置基片过渡至薄膜类的开发也在推进之中。   卡西欧微电子的若林猛介绍了在半导体封装中部件内置基片所受关注度越来越高的情况。关注度日益提高的原因主要有三个。一是用于PoP等时内置基片也可控制在1mm以下。二是可实现低廉价格。目前在低价位封装中大多采用以引线框实现封装背面的平面电极QFN，但将部件内置基片用作半导体封装则可进一步降低成本。三是能够实现无铅接合。比如，可通过利用激光的通孔形成电镀法来连接晶圆级CSP（WLP）。另外，还可自由设定半导体芯片的形状。由于无需线焊，因此还可将芯片细长化，便于配置平行于总线的布线。

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  • MEMC电子材料调降销售预期将关闭工厂

    北京时间9月8日晚间，MEMC电子材料公司(WFR)宣布，调降对第三财季销售额的预期，计划关闭设于德州和密苏里州的两家工厂。截至周二美东时间上午11:42(北京时间周二晚23点42分)，MEMC在纳斯达克上市的股票下跌61美分，至15.98美元，跌幅为3.68%。   这家总部位于密苏里州圣彼得斯的半导体公司指出，将终止位于德州Sherman和圣彼得斯的硅晶锭及晶圆工厂的生产。   MEMC表示，上述工厂的关闭将在2010年和2011年初进行，在美国境内将影响约540位员工的就业，公司将向其中某些员工提供其他工厂的职位，向相关员工支付的资遣费用将导致公司负担约1800万美元的开支。   MEMC还宣布，将第三财季营收的预期范围降为2.85亿至3.15亿美元。原预期范围为3亿至3.5亿美元。接受FactSet Research调查的分析师目前平均预期MEMC第三季的销售额约为3.24亿美元。   该公司还称，由于八月份设备出现故障，公司设于德州Pasadena的多晶硅工厂遭遇了停工，预计在九月底之前该厂的生产将恢复正常，但估计本次停工可能对第三季的营收和利润率有“消极影响”。  

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  • 全球7月半导体销售额带来的启示

    全球半导体在7月时销售额为181.5亿美元，比6月的172,4亿上升5.3%，与去年同期的221.9亿美元相比下降18.2%。8月31日公布的7月数据是由WSTS发布，表示芯片出货量三个月的移动平均值。但是7月份的数据却引起整个半导体产业界的热烈讨论，其原因究竟是什么？7月的增长具指标意义因为传统上7月是半导体业的淡季，统计近10年来7月比6月的平均值下降达17%，而今年却上升了5.3%。如果再往回看，在去年12月至今年1月时，由于订单撤销及制造生产线几乎停止工作， 全球一片悲观的声调。主要原因是企业和消费者受金融危机的突然打击，产生恐慌心理及消费者的信心指数降至低点。但是在全球各国的经济剌激计划共同推动下，今年2月至6月工业开始回温。到今年8月时情况已大变，至少听到的大部分是好的消息。虽然有人觉得产业V型复苏似乎不太可能。但是从心底里不希望工业再次出现大的下降局面。自今月2月至今，半导体工业己经出现6个月持续的增长，给整个工业的未来带来希望。业界从心底里害怕工业出现反复，那怕是缓慢的上升，也足以让人放心。尽管看半导体工业的数据似乎不坏，尤其是处于产业链上游的设备业，似乎已走出困境，其北美7月设备的B/B已超过1。但是实际上全球芯片1-7月累积销售额为1148.2亿美元，与去年同期的1482.9亿美元相比，还是下降22.6%。所以至此，大多数市场分析公司认为今年半导体业销售额下降在15%左右，近2100亿美元数量级，相当于2004年的水平。目前对于未来市场的看法并非完全一致。业界关心的是目前的需求增长是否真实， 是产业循环中的补充需求，还是真实的需求到来。看来两种因素都可能存在，加上全球经济的大势仍存在不确定性，因此对于产业前景还不能高枕无忧。从今年的Q3看，由于季节性等原因，销售额继续上升15-20%已无异议。但是到Q4时大部分市场公司认为能与Q3持平或稍微有所下降。半导体产业必须用新思维去适应半导体产业已经到了必须要重新来思考的时期，因为产业已出现不连续性，如存储器业中，市场位密度需求的增加，已不能额外增加存储器的营收，也即产业到了要思考投资的回报率在那里？其实此种现象，不但在存储器业中，未来平板显示业，太阳能电池业及LED业都会遇到同样的问题。所以产业在成本持续下降的压力下如何生存的矛盾会越来越突出，必须用创新的思维来重新认识市场。工业已由过去的技术推动转变为由市场来推动,所以要充分利用产品的生命周期。因此,研究市场，了解客户的心理需求及快速的推出产品等成为新时期下的主要特征。任何企业试图想进入杀手级产品市场，而一劳永逸的想法注定不能奏效。必须时刻在两难之中去适应变化才能生存下来。所以能够适应变化才是企业及个人的生存策略。结语总体上对于明年半导体业由于受全球宏观大环境的继续看好，一定会好转，大部分市场分析公司的预测将增长10%。不过究竟有多好，似乎底气仍显不足。

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  • 日本七大公司联合开发太阳能芯片 可存储电能

    据国外媒体报道，NEC、东芝、松下、富士通、佳能、日立和瑞萨正在联合开发一款处理器芯片。新型芯片依靠太阳能运行，能够根据负载调整能耗。   根据他们的计划，新型芯片能够存储电能，在电源被切断时可以继续运行。   目前，他们已经开发出了原型芯片。与标准的处理器相比，原型芯片可节能30%。但他们表示，他们将能够达到目标，并在2012年推出产品。   

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  • 英飞凌作为领先芯片供应商担任德国项目协调员

    为了加强欧洲半导体行业的竞争力，欧洲35家机构携手开展了联合研究项目“IMPROVE”(“采用制造科学解决方案提高设备生产率和晶圆厂业绩”)。该项目从2009年持续到2011年年底，目的是提高半导体制造业的生产效率，同时降低成本，缩短加工时间。欧洲“IMPROVE”联合研究项目的参与者包括软件企业、在欧洲拥有生产基地的半导体公司、芯片晶圆设备供应商以及来自奥地利、法国、德国、爱尔兰、意大利和葡萄牙的学术机构。英飞凌科技股份公司(FSE：IFX / OTCQX：IFNNY)作为领先的芯片厂商，负责协调德国合作伙伴的研究活动。通过提高工厂的生产效率，该项目将进一步增强欧洲半导体行业的实力，创造更多就业机会。   芯片功能的日益增多不仅延长了开发时间，还导致工序增多，使得生产时间变长，从而大大提高了生产复杂性。如今，生产一个复杂的芯片平均需要完成550道独立工序，耗时约为12周至16周。通常的生产运作是在生产出50至100个晶圆后，厂商必须重新设置生产工具。这使得持续工况监控和预防式维护成为保持竞争优势的关键要素。对整个生产线的半导体生产工具和加工后的晶圆实施监控，再结合采用创新的数据分析战略，将使优质晶圆的产量最大化。   IMPROVE项目的总预算约为3,770万欧元，其中一半由合作伙伴承担，另一半来自欧盟委员会提供的资金以及项目参与各国通过参加欧洲纳米科技方案咨询委员会(ENIAC)所获得的资金。欧洲纳米科技方案咨询委员会(ENIAC)是SP4-应用于能源与环境的纳米电子技术”子项目的一部分。德国联邦教育与研究部(BMBF)也大力支持该项目，通过“信息与通信技术科研创新2020 (IKT 2020)”融资计划，提供了350万欧元资金。  

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  • 中国最大大功率半导体产业基地湖南投产

    中国最大的大尺寸功率半导体器件研发及产业化基地今日在湖南株洲正式投产。这将改变国内高端半导体器件技术和市场一直被国外垄断的局面，加速国产化大功率半导体器件产业化进程。　　大尺寸功率半导体器件是变流器的关键元件，被誉为电力电子产品的“CPU”，广泛用于轨道交通、电力、冶炼等领域。长期以来，中国高端半导体器件技术和产品主要依靠进口，因价格昂贵严重制约民族工业的快速发展。　　近年，随着国民经济快速发展，国内对高端半导体器件需求日益旺盛。为打破国外公司的市场垄断，实现自主创新，中国南车株洲所下属的株洲南车时代电气股份有限公司依托公司良好的技术基础，总投资近三点五亿元，于二00六年底启动大尺寸功率半导体器件研发及产业化基地的建设。　　位于株洲的生产基地总面积超过二万平方米，部分净化级别达到一百级，配套设施采用世界一流的技术装备，并完全采用了与国际接轨的生产设备和工艺。南车时代电气表示，该基地是目前亚洲自动化、专业化和规模化程度最高的大功率半导体器件生产基地。　　记者了解，该基地计划于二0一三年全面达产，达产后产值达六亿元。此次已经完成大功率双极器件的配套生产能力，具有重要战略意义的核心元件IGBT(绝缘栅极型功率管)封装项目也正在实施，预计年底可投产。　　作为中国最早开发大功率半导体器件的单位之一，南车时代电气已发展成为国内最大大功率半导体器件研制造基地。二00六年十月，其成功研制出世界上最大直径、最大电流电压容量的六英寸晶闸管；二00八年，成功收购加拿大半导体公司Dynex公司，成为国内第一家跨国收购的轨道交通装备制造企业，实现了大功率半导体器件产业链的完善。

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