根据日本水晶元件工业会(QUARTZCRYSTALINDUSTRYASSOCIATIONOFJAPAN;QIAJ)最新公布的统计数据显示,2011年11月份日本厂商石英元件订单量年减29.0%至6亿7,980万个,已连续第8个月陷入衰退,且减幅较前月的17.9%呈现大
在过去的一年里,LED产业LED发展不顺利,全球经济和电子市场的萎靡,导致LED产业也步入寒冬,2011年台湾LED上、下游业者平均产值衰退约达3~7%,展望2012年,LED厂商对前景展望偏向保守,业界估计,受到全球经济复甦悲
LED终端需求景气不明,2011年台湾LED上、下游业者平均产值衰退约达3~7%,展望2012年,LED厂商对前景展望偏向保守,业界估计,受到全球经济复甦悲观,2012年LED照明市场渗透率将低于10%,不过2012年仍将成为LED照明起
新华社柏林1月3日电 数码摄影摄像中常用的CMOS图像传感器在光线不足的情况下往往表现不佳,德国弗劳恩霍夫应用研究促进协会最新推出的一款加装了特定光电元件的CMOS传感器则克服了这一问题。该研究机构2日发表声明说
低通滤波器设计首先根据给定技术条件,选择某一形式的低通原则型滤波器,查出、计算归一化元件值,然后用所有要求的截止频率和负载电阻进行标定,便可得到所需要低通滤波网络。1、滤波器特性的逼近 理想化的低通滤波
电褥子的常见电路有下列几种:(1)简易普遍型电褥子这种电实褥子不可调温,把电热元件直接与交流电源接通,产生电热。为了进行短路保护,电路中串联保险丝,如图236所示,使用时,靠人工控制温度。当温升过高时,必
在PCB设计中遇到了元件文字的问题,看下图 是不是相当的乱,从字面上可以看出好多叠加的文字,到底是怎么回事呢?我们先从元件的封装说起,我们使用allegro在制作元件封装时,都是通过File-->New,然后在Dr
如何管理allegro中元件文字
第一课:建立一个PCB文件,并且添加自动布线所必需的封装库 1.在Documents目录下新建一个*.PCB文件,这样做的目的是要让*.SCH和*.PCB在同一目录下 2.添加自动布线要用到的封装库 3.添加封装库
陶瓷湿度传感器由金属氧化物陶瓷构成,分离子型和电子型两类。离子型湿敏元件是由绝缘材料制成的多孔陶瓷元件。由于水分子在微孔中的物理吸附作用,在湿空气中呈现H+,使元件的电导率增加,主要成分分两种 α-F
2011年,美国分析仪器市场规模预计将达到66亿美元。按照今年的发展趋势,预计到2014年,美国分析仪器市场可得到充分发展,可达到73亿美元。其中,这一市场的增长在很大程度上依赖于几个行业,如化工、食品饮料、石油
市场研究机构IMSResearch预测,全球功率半导体(powersemiconductor)市场在2011年成长3.7%之后,2012年将进一步成长5.0%,达到320亿美元规模;IMS将该市场今明两年相对较低的成长率表现,归咎于全球经济景气不确定以及
一、可见光照度传感器,其实就是将光二极体以及电流放大器整合在单一晶片上的元件。二、价格比普通的光敏电阻略高些,然而,该类元件的输出样式最为丰富,因此,最近产品的发展多朝此方向来推进。三、可见光传感的输
据台湾媒体报道,封测大厂日月光(2311)第4季欧系整合元件制造厂(IDM)封测订单疲弱,日系IDM厂封测订单相对稳定,日月光成功取得东芝(Toshiba)逻辑IC部份封测订单。 中央社27日报导, 日月光相关人士表示,日系ID
全球封测龙头日月光加速两岸新厂扩建脚步,近期也打算收购为三洋电机(Sanyo)代工的洋鼎科技,全力冲刺中低阶封装制程。日月光内部针对此案三缄其口,发言体系回应「不知有此事,无法做任何评论」。 洋鼎科技位在
【范中兴╱台北报导】半导体IDM厂后段封测外包趋势明确,除了日月光(2311)很积极外,包括南茂、力成(6239)也加入抢食IDM(Integrated Device Manufacturer,整合元件制造厂)订单的行列,且有志一同都瞄准中低阶
一、可见光照度传感器,其实就是将光二极体以及电流放大器整合在单一晶片上的元件。二、价格比普通的光敏电阻略高些,然而,该类元件的输出样式最为丰富,因此,最近产品的发展多朝此方向来推进。三、可见光传感的输
蓝牙规格 Bluetooth SIG降低蓝牙装置功耗最重要的方法,就是发展出EDR Bluetooth。蓝牙无线电元件消耗的电力,取决于运作时间的长短。 v2.0+EDR 蓝牙规格让资料传输速度达到传统蓝牙的3倍(3Mbps 比 1Mbps)
据国外媒体报道,2011年,无线基础设施市场中的RF功率半导体元件的支出出现显著增长。而同期的其他市场尤其是军用市场增长则较为温和,主要是受到全球经济前景和政治因素的影响。此外,一直以来被视为RF功率半导体元
英特尔和美光科技( Micron Technology)日前宣布,已开发出128Gb的NAND闪存,新元件采用了针对闪存改良的20nm工艺制程,将high-k金属栅极(HKMG)晶体管包含在内。两家公司声称,他们开发出了全球首款独立型128Gb存储器