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硅衬底LED芯片主要制造工艺
目前日本日亚公司垄断了蓝宝石衬底上GaN基LED专利技术，美国CREE公司垄断了SiC衬底上 GaN基LED专利技术。因此，研发其他衬底上的GaN基LED生产技术成为国际上的一个热点。南昌大学与厦门华联电子有限公司合作承担了国
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硅衬底LED芯片主要制造工艺
目前日本日亚公司垄断了蓝宝石衬底上GaN基LED专利技术，美国CREE公司垄断了SiC衬底上 GaN基LED专利技术。因此，研发其他衬底上的GaN基LED生产技术成为国际上的一个热点。南昌大学与厦门华联电子有限公司合作承担了国
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探讨研究衡器发展之路
衡器发展历史漫长，是人民生活生产的重要衡量工具。截止而是世纪八十年底啊，在电子衡器的发展下才走上研究开发之路。随后，随着经济的发展，衡器的重要性越来越凸显，已经开始独立设计制造精度高、运行快、计量准确
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GT公布蓝宝石材料质量对LED影响的案例研究
GT Advanced Technologies Inc.日前公布了案例研究产量问题：蓝宝石材料质量对LED晶圆工艺的影响。该报告详述了一项盲型材料研究的发现，这项研究针对蓝宝石材料质量对高亮度LED即用型外延晶圆制造工艺的影响进行了调
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传感器领域的新科技成果通过了国家鉴定
近日，“传感器测试关键共性技术研究”、“光密度连续变化滤光器件”、“SOI压力传感器制造工艺研究” 三项科研项目的科技成果鉴定会议在沈阳召开。专家组对这三项目给予了较高评价，对项目完成的质量给予了充分地肯
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副总裁表示英特尔于2014年进入14nm时代
9月15日消息，据科技网站DigiTimes报道，英特尔公司副总裁兼上网本、平板电脑业务主管Steven Smith在IDF 2011大会上表示，英特尔CPU制造工艺将在2014年进入14nm时代。 英特尔2014年进入14nm时代 在2012年，
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佛罗里达大学研发出低成本量子点技术生产LED的制造工艺
佛罗里达大学材料科学与工程系的研究人员近日研发出一种LED的制造工艺，采用的是低成本的量子点技术。在此项工艺的研发中，他们融合了OLED照明和量子点两个技术，创造了高性能的有机和量子点层的混合体，同时，由于该
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佛罗里达大学研发出低成本量子点LED的制造工艺
佛罗里达大学材料科学与工程系的研究人员近日研发出一种LED的制造工艺，采用的是低成本的量子点技术。在此项工艺的研发中，他们融合了OLED照明和量子点两个技术，创造了高性能的有机和量子点层的混合体，同时，由于该
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佛罗里达大学研发出低成本量子点LED的制造工艺
佛罗里达大学材料科学与工程系的研究人员近日研发出一种LED的制造工艺，采用的是低成本的量子点技术。在此项工艺的研发中，他们融合了OLED照明和量子点两个技术，创造了高性能的有机和量子点层的混合体，同时，由于该
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DRAM厂商在制造工艺方面追赶三星
据IHS公司的DRAM市场报告，随着DRAM价格降到了极低水平，如果厂商不转向效率更高的3x/2x纳米制程，可能面临重大亏损，三星电子等领先的内存供应商已经采用了上述制程。三星第三季度采用3x/2x制程进行的晶圆生产已占到
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普瑞未来两年将生产硅衬底LED芯片 成本有望下降20％至30％
普瑞近日宣布，其新制造工艺的性能指标获得提升，预计将在未来两年制造基于硅衬底的LED芯片，普瑞希望此举可以降低大约20％至30％LED照明成本。目前，LED的成本仍然居高不下，严重阻碍了LED照明在通用照明领域的普及
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普瑞未来两年将生产硅衬底LED芯片 成本有望下降20％至30％
普瑞近日宣布，其新制造工艺的性能指标获得提升，预计将在未来两年制造基于硅衬底的LED芯片，普瑞希望此举可以降低大约20％至30％LED照明成本。目前，LED的成本仍然居高不下，严重阻碍了LED照明在通用照明领域的普及
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韩泰、锦湖轮胎双双被曝 韩国轮胎被质疑
距离锦湖轮胎被央视曝光使用返炼胶三个月之期，韩国韩泰轮胎再曝安全隐患。由于设计或制造工艺问题，韩泰轮胎存在安全隐患，易引发爆胎、鼓包、漏气等严重现象。国家质检总局日前就此事件对其发出风险警示通告。虽然
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Tegra3可能是唯一40nm工艺4核ARM芯片
Nvidia新一代代号为Kal-El的四核心处理器Tegra3的关注度可以说是相当的高，尤其是在目前ARM处理器在智能手机和平板电脑等平台上的出色表现更是让Tegra3成为用户和业内关注的焦点。但是从最新的消息来看Tegra3可能是4
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中国加速IC产业应用全新化
“2015年之前，中国本土IC的供给不到20%，所以本土IC还有很多的市场空间。”华润上华市场销售副总庄渊棋在日前一次研讨会中如此表示。他认为，根据2010年9月，国务院发布“进一步鼓励软件产业和集成电路产业发展若干
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台积电称年内28纳米工艺规模量产
TSMC将于今年底正式开始生产基于28纳米工艺晶圆。台积电称，公司计划于2011年Q3某个时候开始导入28纳米制造工艺的商业化生产，而到2011年Q4时，28纳米晶圆给公司带来的营收贡献比率将达到2%到3%左右。台积电表示，Nv
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台积电称年内28纳米工艺规模量产
TSMC将于今年底正式开始生产基于28纳米工艺晶圆。台积电称，公司计划于2011年Q3某个时候开始导入28纳米制造工艺的商业化生产，而到2011年Q4时，28纳米晶圆给公司带来的营收贡献比率将达到2%到3%左右。台积电表示，Nv
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台积电称年内28纳米工艺规模量产
TSMC将于今年底正式开始生产基于28纳米工艺晶圆。台积电称，公司计划于2011年Q3某个时候开始导入28纳米制造工艺的商业化生产，而到2011年Q4时，28纳米晶圆给公司带来的营收贡献比率将达到2%到3%左右。台积电表示，Nv
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台积电称年内28纳米工艺规模量产
TSMC将于今年底正式开始生产基于28纳米工艺晶圆。台积电称，公司计划于2011年Q3某个时候开始导入28纳米制造工艺的商业化生产，而到2011年Q4时，28纳米晶圆给公司带来的营收贡献比率将达到2%到3%左右。台积电表示，Nv
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台积电承诺2011年年底推出28纳米工艺
知名半导体代工厂商TSMC台积电公司日前确认，该公司将于2011年年底左右正式开始生产基于28纳米制造工艺的半导体芯片。台积电计划将于2011年第三季度的某个时候开始完成28纳米制造工艺的商业化生产，而到2011年第四季
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