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英飞凌牵头启动重点项目“eRamp”
近日，英飞凌科技股份公司宣布，以能效为重点的欧洲最重要的研发项目之一“eRamp”近日在英飞凌科技公司德累斯顿研究中心启动。 “eRamp”项目为期三年，旨在加强和扩大作为电力电子制造技术中心的德国及至整个欧洲的
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欧洲研发：启动英飞凌牵头的重点项目“eRamp”加强欧洲电子行业实力
英飞凌科技股份公司今日宣布——以能效为重点的欧洲最重要的研发项目之一“eRamp”近日在英飞凌科技公司德累斯顿研究中心启动。“eRamp”项目为期三年，旨在加强和扩大作为电力电子制造技术中心的德国及至整个欧洲的
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欧洲研发：启动英飞凌牵头的重点项目“eRamp”加强欧洲电子行业实力
英飞凌科技股份公司今日宣布——以能效为重点的欧洲最重要的研发项目之一“eRamp”近日在英飞凌科技公司德累斯顿研究中心启动。“eRamp”项目为期三年，旨在加强和扩大作为电力电子制造技术中心的德国及至整个欧洲的
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欧洲：启动英飞凌牵头重点项目eRamp加强欧洲电子行业实力
英飞凌科技股份公司今日宣布——以能效为重点的欧洲最重要的研发项目之一“eRamp”近日在英飞凌科技公司德累斯顿研究中心启动。“eRamp”项目为期三年，旨在加强和扩大作为电力电子制造技术中心的德国及至整个欧洲的
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启动英飞凌牵头的重点项目“eRamp”加强欧洲电子行业实力
2014年4月14日——英飞凌科技股份公司今日宣布——以能效为重点的欧洲最重要的研发项目之一“eRamp”近日在英飞凌科技公司德累斯顿研究中心启动。“eRamp”项目为期三年，旨在加强和扩大作为电力电子制造技术中心的德
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2012年全球功率半导体市场规模为135.12亿美元
日本市场调查公司矢野经济研究所的调查显示，按照厂商的供货金额计算，2012年全球功率半导体市场规模为135.12亿美元，比上年减少11.5%。功率半导体市场在2009年迅速下滑后，曾在2010年和2011年连续两年出现复苏，但由
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缩减LED/功率元件测试成本 PXI模组化SMU亮相
LED半导体照明网讯 PXI模组化电源量测单元(SMU)仪器问世。高亮度发光二极体(LED)、绝缘闸双极性电晶体(IGBT)、金属氧化物半导体场效电晶体(MOSFET)等需要SMU输出瞬间高瓦数的电源进行量测，然高瓦数的SMU往
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新一代功率半导体掌握多个领域节能关键
最近几年，在半导体之中，原本在人们眼中“不出彩”的功率半导体成为了关注的焦点。功率半导体的作用是转换直流与交流、通过变压等方式高效控制电力，用于充电装置和马达。如今，这种半导体已配备于家电、汽车、工业
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新一代功率半导体掌握多个领域节能关键
最近几年，在半导体之中，原本在人们眼中“不出彩”的功率半导体成为了关注的焦点。功率半导体的作用是转换直流与交流、通过变压等方式高效控制电力，用于充电装置和马达。如今，这种半导体已配备于家电、汽车、工业
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新一代功率半导体掌握多个领域节能关键
最近几年，在半导体之中，原本在人们眼中“不出彩”的功率半导体成为了关注的焦点。功率半导体的作用是转换直流与交流、通过变压等方式高效控制电力，用于充电装置和马达。如今，这种半导体已配备于家电、汽车、工业
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新一代功率半导体掌握多个领域节能关键
最近几年，在半导体之中，原本在人们眼中“不出彩”的功率半导体成为了关注的焦点。功率半导体的作用是转换直流与交流、通过变压等方式高效控制电力，用于充电装
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新一代功率半导体掌握着多个领域节能的关键
【导读】作为节能背后的主角，功率半导体如今成为了关注的焦点。功率半导体的作用是转换直流与交流、通过变压等方式高效控制电力，用于充电装置和马达。如今，这种半导体已配备于家电、汽车、工业机械、铁路车辆、输
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政策扶持重点 功率半导体产业进黄金发展期
据中国半导体行业协会的相关人士透露，有关促进集成电路发展的纲要性文件已草拟完毕，目前正在进行部际协调。上证报资讯获悉，政策扶持的重点将主要集中于集成电路的设计和制造方面，尤其是本土自主核心产业龙头企业
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节能技术获支持 功率半导体产业进黄金期
据中国半导体行业协会的相关人士透露，有关促进半导体产业发展的纲要性文件已草拟完毕，目前正在进行部际协调。获悉，政策扶持的重点将主要集中于集成电路的设计和制造方面，尤其是本土自主核心产业龙头企业，功率半
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国家释放政策红利 功率半导体产业进入黄金期
LED半导体照明网讯 据中国半导体行业协会的相关人士透露，有关促进集成电路发展的纲要性文件已草拟完毕，目前正在进行部际协调。上证报资讯获悉，政策扶持的重点将主要集中于集成电路的设计和制造方面，尤其
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新一代SiC和GaN功率半导体竞争激烈
与现在的Si功率半导体相比，SiC及GaN等新一代功率半导体有望利用逆变器和变流器等大幅提高效率并减小尺寸。2013年采用SiC功率元件和GaN功率元件的事例逐渐增加，同时各企业也围绕这些元件展开了激烈的开发竞争。SiC功
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新一代SiC和GaN功率半导体竞争激烈
SiC功率半导体方面，在栅极设有沟道的沟道型MOSFET的开发在2013年大幅加速。以前推出的SiCMOSFET只有平面型，尚未推出沟道型。沟道型MOSFET的导通电阻只有平面型的几分之一，因此可以进一步降低损耗。导通电阻降低后
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国家释放政策红利 功率半导体产业进入黄金发展期
据中国半导体行业协会的相关人士透露，有关促进集成电路发展的纲要性文件已草拟完毕，目前正在进行部际协调。上证报资讯获悉，政策扶持的重点将主要集中于集成电路的设计和制造方面，尤其是本土自主核心产业龙头企业
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新一代SiC和GaN功率半导体竞争激烈
与现在的Si功率半导体相比，SiC及GaN等新一代功率半导体有望利用逆变器和变流器等大幅提高效率并减小尺寸。2013年采用SiC功率元件和GaN功率元件的事例逐渐增加，同时各企业也围绕这些元件展开了激烈的开发竞争。SiC功
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新一代SiC和GaN功率半导体竞争激烈
与现在的Si功率半导体相比，SiC及GaN等新一代功率半导体有望利用逆变器和变流器等大幅提高效率并减小尺寸。2013年采用SiC功率元件和GaN功率元件的事例逐渐增加，同时各企业也围绕这些元件展开了激烈的开发竞争。SiC功
