单片开关电源具有性价比高、外围电路简单、效率高、功耗低等显著特点,文中介绍了TNY256的性能特点、工作原理,并给出了TNY256的典型应用电路。
单片开关电源具有性价比高、外围电路简单、效率高、功耗低等显著特点,文中介绍了TNY256的性能特点、工作原理,并给出了TNY256的典型应用电路。
单片开关电源具有性价比高、外围电路简单、效率高、功耗低等显著特点,文中介绍了TNY256的性能特点、工作原理,并给出了TNY256的典型应用电路。
对频率为MHz级情况下功率MOSFET并联均流问题进行了研究,详细分析了影响功率MOSFET并联均流诸因素。通过Q轨迹把器件参数和外围电路联系起来,得出较大的Q值和适当的Ls/Lx有利于并联均流。大量的仿真和小功率实验结果均表明该方法的正确性。
同步整流技术是采用通态电阻极低的功率MOSFET来取代整流二极管,因此能大大降低整流器的损耗,提高DC/DC变换器的效率,满足低压、大电流整流的需要。首先介绍了同步整流的基本原理,然后重点阐述同步整流式DC/DC电源变换器的设计。
世界功率器件的领导厂商之一的意法半导体(纽约证券交易所:STM),日前推出了第一批采用该公司独有的MDmeshTM高压功率MOSFET第二代技术制造的半导体元器件。新产品特别适合开关电源(SMPS)、功率因数校正器(PFC)
瑞萨科技公司(Renesas)宣布推出具有两个功率MOSFET的HAT2210WP,封装形式是WPAK (瑞萨科技的封装代码)*1高热辐射封装,尺寸仅有5.3 × 6.1 × 0.8 mm (最大),用
瑞萨科技公司(Renesas)发布了HAT1125H –30 V击穿电压P沟道功率MOSFET,它具有非常低的2.7 mΩ (典型值)导通电阻,用于笔记本电脑和类似产品中的电源管理开关和
优化的LFPAK封装MOSFET具有接近于零的封装电阻和低热阻,电性能极好,所需元件数量更少皇家飞利浦电子集团扩展其功率MOSFET产品系列,推出创新性的SOT669无损封装(LFPAK)。新LFPAK器件针对DC/DC转换器应用而设计,
新型低边功率MOSFET增加达46伏汽车和工业系统的稳定性、减少电路板空间并降低整体成本安森美半导体(美国纳斯达克上市代号:ONNN)进一步拓展其经济高效的高性能功率MOSFET系列,推出新系列的自护式SmartDiscrete