瑞萨发布 P沟道功率MOSFET

 瑞萨科技公司(Renesas)发布了HAT1125H –30 V击穿电压P沟道功率MOSFET，它具有非常低的2.7 mΩ (典型值)导通电阻，用于笔记本电脑和类似产品中的电源管理开关和锂离子电池充电/放电控制。2004年6月8日，将在日本开始样品发货。

    与瑞萨科技先前的产品相比，HAT1125H的导通电阻大约减小了25%，是业界导通电阻最低的工业标准SOP-8尺寸小型表面安装封装产品。由于其损耗很低，将有助于设计小型、节省空间的系统。

    笔记本电脑最近的趋势包括功能更高、CPU速度更快（随着处理信息量的增加，需要处理大量数据）、电压更低以及电流更大。因此要求DC-DC转换器电源管理开关，能够有效地控制更大的电流。由于开关电阻对损耗特性有不利影响，要求进一步减小这些电源开关中P沟道功率MOSFET的导通电阻。同时，随着系统越来越紧凑，需要减小安装面积。

    为应对这些需要，目前瑞萨科技大量生产低导通电阻的HAT1072H，由于使用SOP-8尺寸LFPAK封装，具有很低的功率MOSFET导通电阻和热阻，现在已经开发出HAT1125H，通过使用更好的工艺进一步减小了导通电阻。

    HAT1125H是P沟道功率MOSFET，具有–30 V漏源击穿电压和–4.5 V栅压。通过使用很好的工艺，改进并优化了元胞结构密度，从而可以达到2.7 mΩ (典型值)的导通电阻，与瑞萨科技目前的HAT1072H相比，大约减小了25%。它是业界导通电阻最低的SOP-8尺寸小型表面安装封装产品，提高了系统的输出效率。为了达到更低的电阻，很多系统并联使用多个功率MOSFET；在这些系统中使用HAT1125H，可以减少使用的功率MOSFET的数量、减小安装面积。

    使用的封装形式是与先前型号相同的LFPAK SOP-8尺寸小型表面安装封装，由于使用无引线结构，使得引线引起的电阻、电感最小。

典型应用
· 电源管理开关：笔记本电脑和类似的便携式设备。
· 充电/放电控制电路：笔记本电脑使用的锂离子电池