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对于iPhone 4S，重要的是内部使用了什么元件
虽然从外部来看，iPhone 4S可能因为缺乏新特色而令一些人感到失望。但据IHS iSuppli公司的拆机分析，从内部来看，这款手机进行了大量的创新，包括采用了安华高科技的新款无线模块，并在苹果iPhone产品中首次使用海力
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解读Virtex-7 2000T FPGA构架优势
赛灵思Virtex-7 2000T FPG是世界上最大容量的FPGA,容量是市场同类最大28nm器件的2倍，而且比赛灵思最大型Virtex-6 FPGA大2.5倍。赛灵思Virtex-7 FPGA产品线经理Panch ChandraseKaram指出新架构的真正优势在于，虽然2
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Ramtron提供高速串口F-RAM 器件样片
21ic讯 International Corporation (简称Ramtron)宣布提供全新4-至 64Kb串口非易失性铁电 RAM (F-RAM)存储器的预认证样片，新产品采用Ramtron全新美国晶圆供应商的铁电存储器工艺制造，具有1万次 (1e12)的读/写循环、
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逆流而上 半导体业更需厚积薄发
近几个月以来，各大市场调研公司纷纷下调半导体行业今明两年的市场预期，让刚刚从金融危机阴霾走出来的半导体行业犹如惊弓之鸟。在经历了2010年半导体业实现30%的高速增长之后，尽管业界在今年年初纷纷预测2011年市场
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压力传感器2014年将成为头号MEMS器件
据IHS iSuppli公司的MEMS与传感器研究报告，由于价格相对较高，以及在汽车、医疗与工业等领域的应用范围不断扩大，压力传感器到2014年将成为销售额最高的微机电系统(MEMS)器件。因为汽车产业在衰退之后强劲复苏，去年
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TE推出RTP器件最新成员RTP200R060SA
21ic讯 TE电路保护部宣布推出其可回流焊热保护（RTP）器件系列的最新成员RTP200R060SA器件，该RTP系列是典型热保险丝的一种更便利的、高性价比的替代方案。RTP器件有助于防止因各种场效应管（MOSFET）、电容、集成电
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TE推出RTP器件最新成员RTP200R060SA
21ic讯 TE电路保护部宣布推出其可回流焊热保护（RTP）器件系列的最新成员RTP200R060SA器件，该RTP系列是典型热保险丝的一种更便利的、高性价比的替代方案。RTP器件有助于防止因各种场效应管（MOSFET）、电容、集成电
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TE推出RTP器件最新成员RTP200R060SA
21ic讯 TE电路保护部宣布推出其可回流焊热保护（RTP）器件系列的最新成员RTP200R060SA器件，该RTP系列是典型热保险丝的一种更便利的、高性价比的替代方案。RTP器件有助于防止因各种场效应管（MOSFET）、电容、集成电
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TE推出RTP器件最新成员RTP200R060SA
21ic讯 TE电路保护部宣布推出其可回流焊热保护（RTP）器件系列的最新成员RTP200R060SA器件，该RTP系列是典型热保险丝的一种更便利的、高性价比的替代方案。RTP器件有助于防止因各种场效应管（MOSFET）、电容、集成电
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TE电路保护部推出新一代可回流焊热保护（RTP）器件
21ic讯 TE电路保护部宣布推出其可回流焊热保护（RTP）器件系列的最新成员RTP200R060SA器件，该RTP系列是典型热保险丝的一种更便利的、高性价比的替代方案。RTP器件有助于防止因各种场效应管（MOSFET）、电容、集成电
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压力传感器2014年将成为头号MEMS器件
据IHS iSuppli公司的MEMS与传感器研究报告，由于价格相对较高，以及在汽车、医疗与工业等领域的应用范围不断扩大，压力传感器到2014年将成为销售额最高的微机电系统(MEMS)器件。 因为汽车产业在衰退之后强劲复苏，
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基于MEMS技术的手术导航应用
导航——从车辆到手术仪器 惯性传感器在工业中用作辅助导航器件已经相当广泛。通常，惯性传感器与GPS等其他导航设备一起使用。当GPS访问不可靠时，惯性导航可以利用所谓航位推算技术来弥补空隙。除了最简单的导航之
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苏州纳米所利用氮化镓器件从事核应用研究取得系列成果
氮化镓（GaN）是一种III / V直接带隙半导体，作为第三代半导体材料的代表，随着其生长工艺的不断发展完善，现已广泛应用于光电器件领域，如激光器（LD）、发光二极管（LED）、高电子迁移率晶体管（HEMT）等。GaN基材
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IR 扩充SupIRBuck在线设计工具简化负载点设计
国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 今天宣布已为 SupIRBuck 集成式负载点 (POL) 稳压器系列扩充在线设计工具，其中包括使用可提升轻载效率的滞后恒定导通时间 (COT) 控制的全新器件。设计人员可为超
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瑞萨电子宣布开发新型近场无线技术
瑞萨电子株式会社(以下简称“瑞萨电子”) 于2011年6月14日宣布开发新型超低功耗近场距离(低于1米的范围内)无线技术，通过此技术实现极小终端设备(传感器节点)即可将各种传感器信息发送给采样通用无线通信标准(如蓝牙
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苏州纳米所利用氮化镓器件从事核应用研究
氮化镓（GaN）是一种III / V直接带隙半导体，作为第三代半导体材料的代表，随着其生长工艺的不断发展完善，现已广泛应用于光电器件领域，如激光器（LD）、发光二极管（LED）、高电子迁移率晶体管（HEMT）等。GaN基材
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IR扩充SupIRBuck在线设计工具
全球功率半导体和管理方案领导厂商国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 今天宣布已为 SupIRBuck 集成式负载点 (POL) 稳压器系列扩充在线设计工具，其中包括使用可提升轻载效率的滞后恒定导通时间 (COT
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扩展低功耗RF设备通信距离的设计
本文中，在遵守FCC有关开放式 ISM 频带(915MHz 或 2.4GHz)通用单通道无线电设备规定的前提下，我们将讨论优化低功耗无线系统传输距离的一些方法。FCC规定，对于这些器件，基频输出功率不应超出-1.25dBm。如果需要额外
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TE电路保护部推出新一代可回流焊热保护（RTP）器件
21ic讯 TE电路保护部宣布推出其可回流焊热保护（RTP）器件系列的最新成员RTP200R060SA器件，该RTP系列是典型热保险丝的一种更便利的、高性价比的替代方案。RTP器件有助于防止因各种场效应管（MOSFET）、电容、集成电
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TE电路保护部推出新一代可回流焊热保护（RTP）器件
21ic讯 TE电路保护部宣布推出其可回流焊热保护（RTP）器件系列的最新成员RTP200R060SA器件，该RTP系列是典型热保险丝的一种更便利的、高性价比的替代方案。RTP器件有助于防止因各种场效应管（MOSFET）、电容、集成电
