21ic讯 日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出业内采用最小的0.8mm x 0.8mm芯片级封装的N沟道和P沟道功率MOSFET---Si8802DB和Si8805EDB。8V N沟道Si8802DB和P沟道Si8805EDB TrenchFET®功率MOSFET所用的M
21ic讯 罗姆株式会社面向太阳能发电的功率调节器市场,开发出实现了业内顶级低导通电阻的高耐压功率MOSFET“R5050DNZ0C9”(500V/50A/typ,34mΩmax45mΩ)。 本产品采用散热性卓越的TO247PLUS封装
21ic讯 罗姆株式会社开发出导通电阻值降低到Max0.5mΩ、同时使额定电流大幅提高的超低阻值跳线电阻器“PMR跳线系列”。本产品已经开始提供样品(样品价格:20日元/个),并于9月份起以月产1000万个的
21ic讯 罗姆株式会社面向太阳能发电的功率调节器市场,开发出实现了业内顶级低导通电阻的高耐压功率MOSFET“R5050DNZ0C9”(500V/50A/typ,34mΩmax45mΩ)。 本产品采用散热性卓越的TO247PLUS封装
日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,发布新款40V和60V N沟道TrenchFET®功率MOSFET---SiR640DP和SiR662DP。两款器件采用SO-8或PowerPAK® SO-8封装,具有业内最低的导通电阻,以及最低的导通电阻与栅极电
日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,发布新款40V和60V N沟道TrenchFET®功率MOSFET---SiR640DP和SiR662DP。两款器件采用SO-8或PowerPAK® SO-8封装,具有业内最低的导通电阻,以及最低的导通电阻与栅极电
21ic讯 国际整流器公司 (International Rectifier,简称IR) 近日推出车用 MOSFET 系列,可为一系列应用提供基准导通电阻 (Rds(on)) ,包括电动助力转向系统 (EPS) 、集成式起动发电机 (ISA) 泵和电机控制,以及内
21ic讯 国际整流器公司 (International Rectifier,简称IR) 近日推出车用 MOSFET 系列,可为一系列应用提供基准导通电阻 (Rds(on)) ,包括电动助力转向系统 (EPS) 、集成式起动发电机 (ISA) 泵和电机控制,以及内
21ic讯 日前,Vishay Intertechnology, Inc宣布,发布占位面积为1.6mmx1.6mm、高度小于0.8mm的新款8V P沟道TrenchFET®功率MOSFET---SiB437EDKT。此外,SiB437EDKT是唯一能在1.2V下导通的此类器件。新款SiB437EDK
USB已经成为PC与外备进行通信的最通用标准。键盘、打印机、网络摄像机、数据存储设备、移动电话、MP3播放器、数码相机和游戏机等设备都可以通过USB接口与PC连接起来。USB应用厂商论坛(USB-IF)为USB设立了标准,设备必须通过严格的测试后才能获得USB认证。
21ic讯 IR近日推出新的车用MOSFET系列,适合要求低导通电阻的一系列应用,包括传统内燃机 (ICE) 平台以及微型和混合动力汽车平台上的重载应用。IR坚固的新型平面器件提供低导通电阻,适合电压介于40V和75V之间的各种
21ic讯 IR近日推出新的车用MOSFET系列,适合要求低导通电阻的一系列应用,包括传统内燃机 (ICE) 平台以及微型和混合动力汽车平台上的重载应用。IR坚固的新型平面器件提供低导通电阻,适合电压介于40V和75V之间的各种
国际整流器公司 (International Rectifier,简称IR) 推出车用平面 MOSFET 系列,适用于内燃机 (ICE) 、混合动力和全电动汽车平台的多种应用。新器件系列采用了 IR 经过验证的平面技术,包括 55V 和 150V 标准栅极驱动
国际整流器公司 (International Rectifier,简称IR) 推出车用平面 MOSFET 系列,适用于内燃机 (ICE) 、混合动力和全电动汽车平台的多种应用。新器件系列采用了 IR 经过验证的平面技术,包括 55V 和 150V 标准栅极驱动
国际整流器公司 (International Rectifier,简称IR) 宣布扩大了旗下包括逻辑电平器件系列在内的 40V 至 100V 汽车专用 MOSFET 组合。新系列 MOSFET 适合传统内燃机 (ICE) 平台以及微型混合动力和全混合动力平台上的重
国际整流器公司 (International Rectifier,简称IR) 宣布扩大了旗下包括逻辑电平器件系列在内的 40V 至 100V 汽车专用 MOSFET 组合。新系列 MOSFET 适合传统内燃机 (ICE) 平台以及微型混合动力和全混合动力平台上的重
日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出新款600V、47A N沟道功率MOSFET --- SiHG47N60S,该MOSFET在10V栅极驱动下具有0.07Ω的超低最大导通电阻,栅极电荷减小到216nC,采用TO-247封装。栅极电荷与导通电
国际整流器公司 (International Rectifier,简称IR) 推出新系列-30 V器件,采用 IR最新的SO-8封装 P 沟道 MOSFET硅组件,适用于电池充电和放电开关,以及直流应用的系统/负载开关。新款 P 沟道器件的导通电阻 (RDS
Vishay Intertechnology, Inc.日前宣布,推出业界最小和最薄的N沟道芯片级功率MOSFET ---Si8800EDB,该器件也是面积低于1mm2的首款产品。20V MICRO FOOTSi8800EDB具有0.8mmx0.8mm的超小外形和0.357mm的厚度,可减
国际整流器公司 (International Rectifier,简称IR) 日前宣布拓展了针对低导通电阻(RDS(on))应用的汽车用功率 MOSFET 专用系列,包括车载电源及内燃机 (ICE) 、微型混合动力和全混合动力平台上的重载应用。新的 MO