21ic讯 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出其下一代TrenchFET® Gen IV系列30V n沟道功率MOSFET中的首款器件。SiRA00DP、SiRA02DP、SiRA04DP和SiSA04DN采用了新型高密度设计,在
21ic讯 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出其下一代TrenchFET® Gen IV系列30V n沟道功率MOSFET中的首款器件。SiRA00DP、SiRA02DP、SiRA04DP和SiSA04DN采用了新型高密度设计,在
电阻值的测量通常比较简单。但是,对于非常小阻值的测量,我们必须谨慎对待我们所做的假定。对于特定的几何形状,如电线,Kelvin方法是非常精确的。可以使用类似的方法来测量均匀样本的体电阻率和面电阻率,但是所使
电阻值的测量通常比较简单。但是,对于非常小阻值的测量,我们必须谨慎对待我们所做的假定。对于特定的几何形状,如电线,Kelvin方法是非常精确的。可以使用类似的方法来测量均匀样本的体电阻率和面电阻率,但是所使
作者:Philippe Pichot,德州仪器 (TI) 战略市场营销经理电源开关的使用较为复杂,甚至让大多数电子产品设计人员都感到困惑,特别是对那些非电源管理专家而言。在各种各样的应用中,例如:便携式电子产品、消费类电子
日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,该公司的SiZ710DT 20 V n沟道PowerPAIR 功率MOSFET荣获功率器件/电压转换器类别的2012中国年度电子成就奖。中国电子成就奖的功率器件/电压转换器产品年
Vishay亚洲区事业发展部总监杨益彰由于需求和工艺的发展,很多半导体公司创立之初的业务经过多年的发展后总会发生很大变化,不过,有一家公司却是个例外,50年前,FelixZandman博士创立了Vishay公司,生产高精密电
Vishay亚洲区事业发展部总监杨益彰由于需求和工艺的发展,很多半导体公司创立之初的业务经过多年的发展后总会发生很大变化,不过,有一家公司却是个例外,50年前,FelixZandman博士创立了Vishay公司,生产高精密电
2月23下午,威世(Vishay)于深圳会展中心一号馆举行的IIC China 2012上展示该公司最新的业内领先的解决方案,Vishay亚洲区市场开发总监Y.C. Yang(杨益彰)就距离传感器在便携式电子产品中的应用范围做报告。与此同
21ic讯 日本知名半导体制造商罗姆株式会社面向太阳能发电的功率调节器市场,开发出实现了业内顶级低导通电阻的高耐压功率MOSFET “R5050DNZ0C9” (500V/50A/typ,34mΩmax45mΩ)。本产品采用散热
21ic讯 瑞萨电子株式会社(以下简称“瑞萨电子”)日前宣布推出包含五款低功耗P通道功率金属氧化半导体场效应晶体管(MOSFET)系列产品,包括用于笔记本电脑中锂离子(Li-ion)二级电池的充电控制开关和与
21ic讯 特瑞仕半导体 (TOREX SEMICONDUCTOR LTD.) 推出对应0.5V 低输入电压的1A 高速LDO 电压调整器XC6603/XC6604 系列产品。XC6603/XC6604系列产品是能从低电压0.5V开始工作的低导通电阻1A高速LDO电压调整器XC6602的
21ic讯 特瑞仕半导体 (TOREX SEMICONDUCTOR LTD.) 推出对应0.5V 低输入电压的1A 高速LDO 电压调整器XC6603/XC6604 系列产品。XC6603/XC6604系列产品是能从低电压0.5V开始工作的低导通电阻1A高速LDO电压调整器XC6602的
功率MOS场效应晶体管是新一代电力电子开关器件,在微电子工艺基础上实现电力设备高功率大电流的要求。自从垂直导电双扩散VDMOS(VerticalDou-ble-diff used Metal Oxide Semiconductor)新结构诞生以来,电力MOSFET得到
功率MOS场效应晶体管是新一代电力电子开关器件,在微电子工艺基础上实现电力设备高功率大电流的要求。自从垂直导电双扩散VDMOS(VerticalDou-ble-diff used Metal Oxide Semiconductor)新结构诞生以来,电力MOSFET得到
基于电感的开关电源(SM-PS)包含一个功率开关,用于控制输入电源流经电感的电流。大多数开关电源设计选择MOSFET作开关(图1a中Q1),其主要优点是MOSFET在导通状态具有相对较低的功耗。 MOSFET完全打开时的导
摘要:介绍了大功率VDMOS(200 V)的设计方法。对设计参数进行了理论分析,并使用仿真工具时设计参数进行了验证和优化。设计中主要考虑了漏源电压和导通电阻等参数指标,通过器件和工艺的仿真,确定了该器件合理的参数
摘要:介绍了大功率VDMOS(200 V)的设计方法。对设计参数进行了理论分析,并使用仿真工具时设计参数进行了验证和优化。设计中主要考虑了漏源电压和导通电阻等参数指标,通过器件和工艺的仿真,确定了该器件合理的参数
21ic讯 Diodes公司推出微型12V P通道强化型MOSFET——DMP1245UFCL,有助提升电池效率及减少电路板空间,并满足空间局限的便携式产品设计要求,如智能手机及平板计算机等。这款新MOSFET采用超精密及高热效率
21ic讯 Diodes公司推出微型12V P通道强化型MOSFET——DMP1245UFCL,有助提升电池效率及减少电路板空间,并满足空间局限的便携式产品设计要求,如智能手机及平板计算机等。这款新MOSFET采用超精密及高热效率