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儒卓力提供具有最高功率密度和效率的英飞凌OptiMOS™功率MOSFET
英飞凌OptiMOS™3和5同类最佳(BiC)功率MOSFET采用节省空间的SuperSO8封装，与先前型号相比，具有更高的功率密度和稳健性，从而降低系统成本和提升整体性能。客户可以访问儒卓力电子商务平台www.rutronik24.com.cn了解有关OptiMOS™ BiC功率MOSFET产品信息。
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英飞凌亮相PCIM Asia 2019，以最新产品技术助力多领域实现节能增效
英飞凌科技(中国)有限公司(以下简称英飞凌)近日参加在上海世博展览馆举办的2019年上海国际电力元件、可再生能源管理展览会(PCIM Asia 2019)及相关论坛会议。
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从原理到具体电路，深入剖析MOSFET的工作方式
1.概述 MOSFET的原意是：MOS（Metal Oxide Semiconductor金属氧化物半导体），FET（Field Effect Transistor场效应晶体管），即以金属层（M）的栅极隔着氧化层（O）利用
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10步法则：实用的MOSFET选型方法
功率MOSFET有二种类型：N沟道和P沟道，在系统设计的过程中选择N管还是P管，要针对实际的应用具体来选择，N沟道MOSFET选择的型号多，成本低;P沟道MOSFET选择的型号较少，成本高。如果功率MOSFET的S极连接端的电压不是系统的参考地，N沟道就需要浮地供电电源驱动、变压器驱动或自举驱动，驱动电路复杂;P沟道可以直接驱动，驱动简单。
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Vishay新款30V MOSFET具有高功率密度和高效率等特性，适用于移动设备和消费电子
日前，Vishay Intertechnology, Inc宣布，发布新的30V N沟道TrenchFET® 第四代功率MOSFET---SiA468DJ，为移动设备、消费电子和电源提供了更高的功率密度和效率。
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Vishay推出最新第4代600V E系列功率MOSFET
日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，推出第四代600V E系列功率MOSFET的首颗器件---SiHP065N60E。Vishay Siliconix N沟道SiHP065N60E的导通电阻比前一代600V E系列MOSFET低30%，为通信、工业和企业级电源提供了高效率的解决方案。这颗器件具有业内最低的优值系数 (FOM 即栅极电荷与导通电阻乘积)，该参数是600V MOSFET在功率转换应用的关键指标。
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OptiMOS 5 150 V大幅降低导通电阻和反向恢复电荷
英飞凌科技股份公司发布针对高能效设计和应用的OptiMOS™ 5 150 V产品组合。该产品家族进一步壮大了行业领先的最新一代OptiMOS™ 5功率MOSFET的阵容。新的150
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两个小的电路设计失误
今天写两个电路设计失误，第一个是由于电流增益不够引起的，该电路是参考别的设计者引发的，看了之后可以了解一些知识。 第一个失误的主要原因是，设计者错误估算了R1的大
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两个小的电路设计失误
今天写两个电路设计失误，第一个是由于电流增益不够引起的，该电路是参考别的设计者引发的，看了之后可以了解一些知识。 第一个失误的主要原因是，设计者错误估算了R1的大
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业界首款900V SiC MOSFET,导通电阻65 mΩ
SiC市场领导者Cree(科锐公司)近期推出了首款能够突破业界SiC功率器件技术的900V MOSFET平台。该款升级版平台，基于Cree的SiC平面技术从而扩展了产品组合，能够应对市场更新的设计挑战，可用于更高直流母线电压。且领
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利用保证的 SOA 在高电流热插拔应用中实现低导通电阻
引言 在高电流背板应用中要求实现电路板的带电插拔，这就需要兼具低导通电阻 (在稳态操作期间) 和针对瞬态情况之高安全工作区 (SOA) 的 MOSFET。通常，专为拥有低导通电阻而优化的新式 MOSFET 并不适合高 SOA 热插拔应用。 LTC®4234 是一款针对热插拔 (Hot SwapTM) 应用的集成型解决方案，其允许电路板在带电背板上安全地插入和拔出。该器件把一个热插拔控制器、功率 MOSFET 和电流检测电阻器集成在单个封装中，以满足小型化应用的要求。对 MOSFET 的安全工作区进行了生产测试，并保证其能承受热插拔应用中的应力。
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Vishay发布11颗采用Gen II超级结技术的新款500V高压MOSFET
其具有与E系列600V和650V MOSFET相同的优点：高效率和高功率密度21ic电源网讯 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，其500V系列高压MOSFET新增11颗新器件，这些器件适
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IR针对工业应用新推出具有超低导通电阻的表面贴装75V MOSFET
21ic讯 国际整流器公司(International Rectifier，简称IR) 近日推出75V器件以扩充StrongIRFET MOSFET系列，适合多种工业应用，包括电动工具、轻型电动车逆变器、直流电机
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IR针对工业应用推出具有超低导通电阻的75V MOSFET
21ic讯 国际整流器公司(International Rectifier，简称IR) 近日推出75V器件以扩充StrongIRFET MOSFET系列，适合多种工业应用，包括电动工具、轻型电动车逆变器 (LEV) 、直
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Vishay的SiZ340DT再度获奖
21ic讯 日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，其3mm x 3mm封装的SiZ340DT双片MOSFET在《今日电子》杂志的第十二届年度Top-10电源产品评奖中一举获得十佳电源产品奖和最佳应用奖等两项奖项。
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IR为工业应用推出大罐式DirectFET MOSFET系列 具备极低导通电阻
国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 推出大罐式DirectFET MOSFET系列，适用于要求极低导通电阻 (RDS(on)) 的工业应用，包括大功率直流电机，直流/交流逆变
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Vishay推出应用在便携电子产品中且具有业内最低导通电阻的MOSFET
采用PowerPAK® SC-70封装，2mm x 2mm占位面积可显著节省空间日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出采用超小尺寸、热增强PowerPAK® SC-70封装的新款-30V、1
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推出具有超低导通电阻的60V MOSFET以满足工业应用需求
全球功率半导体和管理方案领导厂商 – 国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 近日推出60V器件以扩充StrongIRFET MOSFET系列，适合多种工业应用，包括电动工具、轻型电动车逆变器、直流电机驱动器、锂离
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IR推出具有超低导通电阻的60V MOSFET以满足工业应用需求
国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 近日推出60V器件以扩充StrongIRFET MOSFET系列，适合多种工业应用，包括电动工具、轻型电动车逆变器、直流电机驱动器、
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IR推出20V至30V的全新 StrongIRFET系列 提供极低导通电阻
全球功率半导体和管理方案领导厂商 – 国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 扩充StrongIRFET系列，为高性能运算和通信等应用提供20V至30V的器件。IR L6283M 20V DirectFET是该系列的重点器件，具有极低
