
针对A类接口的读写器不能对B类CPU卡进行读写的问题,介绍一种可以对3 V的B类卡片进行读写的5 V 接触式IC卡读写器,阐述了其硬件电路结构和单片机固件程序,介绍了对其进行操作的简单上位机软件。实验结果表明,该读写器结构简单、性能稳定,对研制可同时操作3 V/5 V卡片的AB类接口设备有指导意义。
东芝在“2010 Symposium on VLSITechnology”上,发布了采用09年开始量产的40nm工艺SoC的低电压SRAM技术。该技术为主要用于便携产品及消费类产品的低功耗工艺技术。通过控制晶体管阈值电压的经时变化,可抑制SRAM的最
据参加了比利时微纳米电子技术研究机构IMEC召开的技术论坛的消息来源透露,与会的各家半导体厂商目前已经列出了从平面型晶体管转型为垂直型晶体管(以Intel的三栅晶体管和IBM的FinFET为代表)的计划。 其中来自
对晶体管制造误差导致的SRAM工作不稳定性,在芯片制造后的测试工序上加以改善的方法,由东京大学研究生院工学系研究科电气系工学专业副教授竹内健的研究小组与日本半导体理工学研究中心(STARC)联手开发成功。该项成
据参加了比利时微纳米电子技术研究机构IMEC召开的技术论坛的消息来源透露,与会的各家半导体厂商目前已经列出了从平面型晶体管转型为垂直型晶体管(以Intel的三栅晶体管和IBM的FinFET为代表)的计划。其中来自半导体
据参加了比利时微纳米电子技术研究机构IMEC召开的技术论坛的消息来源透露,与会的各家半导体厂商目前已经列出了从平面型晶体管转型为垂直型晶体管(以 Intel的三栅晶体管和IBM的FinFET为代表)的计划。其中来自半导体
摩尔定律的来历工作在半导体行业的人,可说无人不知摩尔定律(Moore's Law)。笔者在手头一本词典中对摩尔定律的解释大致是:Inte1公司的创办人之一戈登.摩尔(G.Moore)在l965年所作的观察发现,说集成电路上的元器件数
图2.9举例说明了一个ECL或GAAS射极跟随器输出电路。该电路在HI和LO两个状态都有电流流过。对于10KH和10G产品系列,两者的逻辑HI和LO输出电压都是相近的,尽管不同的ECL和GAAS射极耦合逻辑系列在温度轨迹特性上存在细
脉冲电路是专门用来产生电脉冲和对电脉冲进行放大、变换和整形的电路。家用电器中的定时器、报警器、电子开关、电子钟表、电子玩具以及电子医疗器具等,都要用到脉冲电路。 在电子电路中,电源、放大、振荡和调制电路
两只晶体管按如图1的连接法叫做达林顿电路,其放大系数是两只三极管的放大系数的乘积.什么是达林顿管达林顿管是将二只三极管适当的连接(如上图所示)在一起,以组成一只等效的新的三极管,便是达林顿管,这个过程又称
电路的功能在光接收电路中,如果外来光引起误动作,可靠性就会下降。用脉冲式发光,可作成能识别平均外来光和脉冲波的电路。输出不仅有导通、截止状态,还有与驱动频率相同的脉冲串输出。电路工作原理流过光电晶体管
两只晶体管按如图1的连接法叫做达林顿电路,其放大系数是两只三极管的放大系数的乘积.什么是达林顿管达林顿管是将二只三极管适当的连接(如上图所示)在一起,以组成一只等效的新的三极管,便是达林顿管,这个过程又称
目前有不少研究机构都投注了大量资源,来改善对纳米管(nanotubes)进行分类的方法,如此就能为印刷电子工艺生产出导电、半导电或是绝缘的墨水材料;有了这些墨水,晶体管或是其他电路组件,就能够轻易地用喷墨打印机在
电路的功能这是一种可在3M~30MHZ频率使用的电压控制振荡器,在通信机或信号发生器等测量仪器中,可与PLL电路配合使用。振荡回路采用了变形克拉着振荡电路方式,晶体管TR1的参数变动对振荡频率影响不大。电路工作原理
据物理学家组织网报道,美国与澳大利亚科学家成功制造出世界上最小的晶体管——由7个原子在单晶硅表面构成的一个“量子点”,标志着我们向计算能力的新时代迈出了重要一步。量子点(quantumdot)是纳米大小的发光晶体,
据物理学家组织网报道,美国与澳大利亚科学家成功制造出世界上最小的晶体管——由7个原子在单晶硅表面构成的一个“量子点”,标志着我们向计算能力的新时 代迈出了重要一步。 量子点(quantum dot)是纳米大小的发光
澳大利亚科学家本周一披露了只有几个原子大小的全球最小的电子开关。这种电子开关将缩小微型芯片的尺寸并且给计算速度带来革命性的变化。 这种7个 原子大小的晶体管的尺寸为四十亿分之一米并且嵌入在一个单个的硅
很实用的经典电路。
电路的功能为了把大范围的信号电平压缩显示,可使用对数电路,通常称对数放大器,在电气电路中多使用以10为底的常用对数,本电路是1V/十进位、即10倍的变化引起1V变化输出的电路。对数作为除法、乘法等运算电路的基本
Abstract— 一种用于射频和微波测试系统的高性能GaAsSb基区,InP集电区 DHBT IC 工艺被成功研发。这种GaAsSb工艺使得在工作电流为JC = 1.5 mA/µm²时fT 和 fmax分别达到了 185 GHz and 220 GHz,JC = 1.3