晶体管
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阮华德：未来半导体发展已无法依循摩尔定律
近来在半导体制程微缩的进展速度逐渐趋缓下，观察未来的产业走势，明导国际(Mentor Graphics)董事兼执行总裁阮华德(Walden C. Rhines)表示，未来10年内，制程微缩将遇到经济效益上的考虑，半导体产业将不再完全依循摩
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利用Virtex-5 FPGA实现最低功耗解决方案
过渡至65纳米工艺的FPGA具备采用更小尺寸工艺所带来的优势：低成本、高性能和更强的逻辑能力。尽管这些优势能够为高级系统设计带来激动人心的机会，但65纳米工艺节点本身也带来了新的挑战。例如，在为产品选择FPGA时
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支持三维构造及30:1纵横比AMAT发布用于20nm工艺以后的CVD技术
美国应用材料公司（AMAT）发布了支持20nm工艺以后的存储器及逻辑IC的新CVD技术“Eterna FCVD（Flowable CVD）”。在20nm以后的工艺中，即使采用与目前相同的存储器单元构造和晶体管构造，随着微细化的发展，隔离元件
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新型纳米晶体管可直接探测细胞内部
据美国物理学家组织网、英国《自然》杂志网站8月12日报道，美国哈佛大学化学家和工程师共同制造了一种最新的V形纳米晶体管，外膜覆有一层磷脂双分子层，能非常容易地进入细胞内部进行检测，而不会对细胞造成任何可见
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英特尔奔腾4芯片涉嫌侵犯专利遭起诉
AVM公司在特拉华州美国地区法院对英特尔推出起诉，指控英特尔侵犯了它的一项芯片设计专利。AVM称，它拥有一项名为“动态逻辑电路”的技术专利，美国专利编号是5,859,547。这项专利是关于使用高速和低功率动
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采用四只晶体管的调幅电路
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采用三只晶体管的调幅电路
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采用运算放大器和达林顿晶体管的恒流源
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采用双极性晶体管的基准电源
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采用互补晶体管的基准电源
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奔腾4芯片"动态逻辑电路"涉嫌侵权遭起诉
奔腾4芯片"动态逻辑电路"涉嫌侵权遭起诉
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半导体成本上升而价格继续下降
作者：Walden C Rhines，Mentor Graphics(EDA设计公司)的董事长及CEO，2008年它的销售额为7.89亿美元。在它的任期中公司的销售额增长一倍，自1999年以来在全球三家EDA公司(Big 3) 中其增长率是最快的。在加入Mentor之
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全新20V NPN及PNP双极晶体管（Diodes）
Diodes公司推出全新20V NPN及PNP双极晶体管，它们采用超小型DFN1411-3表面贴装封装，能大大提升电源管理电路的功率密度和效率。该器件采用了Diodes第五代矩阵射极双极工艺设计 (5 matrix emitter Bipolar process)。
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采用运算放大器和达林顿晶体管的恒流源
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采用双极性晶体管的基准电源
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采用互补晶体管的基准电源
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全新20V NPN及PNP双极晶体管（Diodes）
Diodes公司推出全新20V NPN及PNP双极晶体管，它们采用超小型DFN1411-3表面贴装封装，能大大提升电源管理电路的功率密度和效率。该器件采用了Diodes第五代矩阵射极双极工艺设计 (5 matrix emitter Bipolar process)。
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全新20V NPN及PNP双极晶体管（Diodes）
Diodes公司推出全新20V NPN及PNP双极晶体管，它们采用超小型DFN1411-3表面贴装封装，能大大提升电源管理电路的功率密度和效率。该器件采用了Diodes第五代矩阵射极双极工艺设计 (5 matrix emitter Bipolar process)。
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支持B类CPU卡的5 V接触式读写器设计
针对A类接口的读写器不能对B类CPU卡进行读写的问题,介绍一种可以对3 V的B类卡片进行读写的5 V 接触式IC卡读写器，阐述了其硬件电路结构和单片机固件程序，介绍了对其进行操作的简单上位机软件。实验结果表明，该读写器结构简单、性能稳定，对研制可同时操作3 V/5 V卡片的AB类接口设备有指导意义。
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SoC用低电压SRAM技术
东芝在“2010 Symposium on VLSITechnology”上，发布了采用09年开始量产的40nm工艺SoC的低电压SRAM技术。该技术为主要用于便携产品及消费类产品的低功耗工艺技术。通过控制晶体管阈值电压的经时变化，可抑制SRAM的最
