【2025年5月26日, 德国慕尼黑讯】全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)推出了一款能够主动双向阻断电压和电流的氮化镓(GaN)开关——650 V CoolGaN™ G5双向开关(BDS)。该产品采用共漏极设计和双栅极结构,是一款使用英飞凌强大栅极注入晶体管(GIT)技术和CoolGaN™技术的单片双向开关,能够有效替代转换器中常用的传统背靠背开关。
在现代电子技术领域,MOS 管(金属 - 氧化物半导体场效应晶体管)作为一种关键的半导体器件,广泛应用于各类电路中。从智能手机到计算机主板,从电源管理到功率放大,MOS 管都扮演着不可或缺的角色。然而,对于许多电子技术初学者甚至部分从业者来说,MOS 管的导通条件始终是一个令人困惑的问题。本文将深入探讨 MOS 管的导通条件,揭开其神秘的面纱。
两级功放通常由驱动级和末级组成。驱动级的作用是将输入信号进行初步放大,为末级功放提供足够的激励信号;末级功放则负责将驱动级送来的信号进一步放大,以输出足够的功率驱动负载。不同类型的功放,如 A 类、B 类、AB 类等,其工作原理和性能特点有所不同。例如,A 类功放的晶体管在整个信号周期内均导通,具有良好的线性度,但效率较低;B 类功放的晶体管仅在半个信号周期内导通,效率较高,但存在交越失真;AB 类功放则结合了 A 类和 B 类的优点,在一定程度上兼顾了线性度和效率。了解这些基本原理,有助于在测试中分析和判断驱动级可能出现的问题及其对测试结果的影响。
【2025年5月15日, 德国慕尼黑讯】随着AI数据中心的快速发展、电动汽车的日益普及,以及全球数字化和再工业化趋势的持续,预计全球对电力的需求将会快速增长。为应对这一挑战,英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)推出EasyPACK™ CoolGaN™ 650 V晶体管模块,进一步扩大其持续壮大的氮化镓(GaN)功率产品组合。该模块基于Easy Power Module平台,专为数据中心、可再生能源系统、直流电动汽车充电桩等大功率应用开发。它能满足日益增长的高性能需求,提供更大的易用性,帮助客户加快设计进程,缩短产品上市时间。
开发和生产用于有源光学和显示器的柔性有机电子产品领先企业 FlexEnable宣布,其 FlexiOM™ 有机薄膜晶体管(OTFT)材料荣获国际信息显示学会(Society of Information Display, SID)颁发的 “2025年度最佳显示组件奖”。该奖项旨在表彰上一年度投放市场的最佳显示器、组件和应用。
这是PIC编程系列的第4个教程,今天我们将制作我们自己的PICKIT 2克隆版本。因为原来的PIC套件太贵了,由于它的保护系统和沉重的硬件。是时候设计一个克隆PIC套件版本2了。这是一个开源项目,已经在市场上可用。你也可以从亚马逊的链接上买到。但是关于正确的引导加载程序和硬件的信息非常混乱,没有人在互联网上给出适当的信息。我将提供所有的硬件文件,软件链接和引导程序文件在同一地方,使其更容易理解和DIY。有很多网站在网上卖这个,也有一些高级的选择。
由于科技不断地发展,晶体管的出现,上世纪六、七十年代电子管被晶体管的强大洪流冲走。
2025年4月22日 – 专注于引入新品的全球电子元器件和工业自动化产品授权代理商贸泽电子 (Mouser Electronics) 携手Analog Devices, Inc. (ADI)和Amphenol推出了一本电子书,探讨先进连接和半导体器件在推动航空业发展方面所发挥的主要作用。
【2025年4月22日, 德国慕尼黑讯】英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)推出CoolGaN™ G5中压晶体管,它是全球首款集成肖特基二极管的工业用氮化镓(GaN)功率晶体管。该产品系列通过减少不必要的死区损耗提高功率系统的性能,进一步提升整体系统效率。此外,该集成解决方案还简化了功率级设计,降低了用料成本。
这个简单但功能强大的组件测试仪可以识别和测试各种电子元件,包括LED,晶体管,电感,电容器和二极管。对于电子爱好者、学生和专业人士来说,它是一个必不可少的工具,他们需要一种快速有效的方法来诊断组件。
开关频率其值大小就取决于调制波和载波的交点 。开关频率越高,一个周期内脉冲的个数就越多,电流波形的平滑性就越好,但是对其它设备的干扰也越大。在开关电源设计中,比较追求高的开关频率,开关频率在数百kHz至数MHz的开关电源已有使用。
大多数运算放大器(op amp)电路的增益水平是固定的。但在很多情况下,能够改变增益会更有优势。一个简单的办法是在固定增益的运放电路输出端连接一个电位计来调节增益。不过,有时直接改变放大器电路自身的增益可能更加有用。
“拔掉资本主义,扎根现实”是一种虚拟现实体验,由地球本身提供动力,利用土壤电池产生能量。当佩戴VR头显时,用户经历了数字化转型,成为一棵树或一棵植物,完全沉浸在一种没有资本主义需求的存在中。
以下内容中,小编将对MOSFET的相关内容进行着重介绍和阐述,希望本文能帮您增进对MOSFET的了解,和小编一起来看看吧。
在这篇文章中,小编将为大家带来晶体三极管的相关报道。如果你对本文即将要讲解的内容存在一定兴趣,不妨继续往下阅读哦。
【2025年2月27日, 德国慕尼黑讯】氮化镓(GaN)技术在提升功率电子器件性能水平方面起到至关重要的作用。但目前为止,GaN供应商采用的封装类型和尺寸各异,产品十分零散,客户缺乏兼容多种封装的货源。为了解决这个问题,全球功率系统、汽车和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)推出采用RQFN 5x6 封装的 CoolGaN™ G3 100V(IGD015S10S1)和采用RQFN 3.3x3.3封装的CoolGaN™ G3 80V(IGE033S08S1)高性能GaN晶体管。
三种测试工具集于一身,在工具箱中只占用很小的空间,甚至你的衬衫口袋也只有一张名片那么大。
在电子电路设计中,MOS 管(金属 - 氧化物半导体场效应晶体管)凭借其低导通电阻、高开关速度等优势,广泛应用于各类电路的功率控制与信号切换。当 MOS 管用于控制电阻分压电路的关断时,有时会出现电压过冲现象,这不仅可能导致电路中其他元件的损坏,还会影响整个电路系统的稳定性与可靠性。深入探究 MOS 管控制电阻分压关断时出现过冲的原因,对于优化电路设计、保障电路正常运行具有重要意义。
电子管的优点是它的功率损失小,低频噪声小,耐受电压高,稳定性好,可靠性高,可以提供较大的输出电流,而且可以用于高频的电路。 电子管负载能力强,线性性能优于晶体管,工作频率高,高频大功率领域的工作特性要比晶体管更好,在大功率无线电发射设备,高频介质加热设备方面继续发挥着不可替代的作用。 电子管具有非常高的稳定性和可靠性,可以提供更稳定的输出信号。
今天,小编将在这篇文章中为大家带来场效应管的有关报道,通过阅读这篇文章,大家可以对它具备清晰的认识,主要内容如下。