半导体业走过第3季高峰,第4季进入传统淡季,台积电亦难逃淡季效应,昨(8)日公布10月合并营收517.95亿元,较上个月下滑6.5%,并创下近5个月以来新低。 台积电第3季合并营收1,625亿元,创单季新高,预估第4季介
对于一直使用功率MOSFET器件设计产品的功率系统工程师来说,使用更高效的增强型氮化镓晶体管并不困难。虽然两种器件的基本工作特性非常相似,如果想发挥这种新世代器件的最
比较:体校晶体管和FD-SOI晶体管元器件交易网讯 11月7日消息,据外媒 Electronicsweekly报道,Memoir Systems宣布已采用其算法内存技术为意法半导体独有的 FD-SOI(Fully Depleted Silicon-on-Insulator,全耗尽绝缘
之前我们报道过英特尔将为Altera代工64位四核ARM芯片的消息,自此该公司开始了x86和ARM"两手抓"的历程。至于这么做的原因,或许是新任CEO Brian Krzanich想要让代工业务更加迅速地扩张,以规避自家芯片需求下降所带来
InGaAs晶体管元器件交易网讯 11月6日消息,据外媒 Electronicsweekly报道, IMEC宣布已为III-V FinFET 组装300mm 制程晶圆片,该晶圆片采用了铟砷化镓(化学符号为InGaAs)、磷化铟( indium phosphide)化合物,将容纳近
1.液晶面板的坏点在未介绍液晶面板的等级之前,笔者先为各位读者介绍液晶面板上所存在的“坏点”的具体概念,以便于后面以此为根据来区分液晶面板的等级。液晶面板是由大量的像素点所组成的,它们都能
据物理学家组织网近日报道,美国科学家研制出了一种新的集成电路架构并做出了模型。在这一架构内,晶体管和互连设备无缝地结合在一块石墨烯薄片上。发表在《应用物理快报》杂志上的这项最新研究将有助于科学家们制造
在基因组测序技术领域,科学家在不断追求速度更快、成本更低的方法和设备。最近,美国伊利诺斯大学厄本那—香槟分校最近开发出了一种新奇的方法:把石墨烯纳米带(GNR)夹在两层有纳米孔(内径约1纳米)的固体膜中间
据物理学家组织网近日报道,美国科学家研制出了一种新的集成电路架构并做出了模型。在这一架构内,晶体管和互连设备无缝地结合在一块石墨烯薄片上。发表在《应用物理快报》杂志上的这项最新研究将有助于科学家们制造
在基因组测序技术领域,科学家在不断追求速度更快、成本更低的方法和设备。据物理学家组织网10月30日报道,最近,美国伊利诺斯大学厄本那—香槟分校最近开发出了一种新奇的方法:把石墨烯纳米带(GNR)夹在两层有纳米
高Ptot MOSFET和双极性晶体管具有很低的RDson和VCesat基准值,适用于空间受限应用中的电源管理和负载开关恩智浦半导体(NXP Semiconductors N.V)近日推出首款采用1.1-mm x 1-mm x 0.37-mm超薄DFN(分
高Ptot MOSFET和双极性晶体管具有很低的RDson和VCesat基准值,适用于空间受限应用中的电源管理和负载开关21ic讯 恩智浦半导体(NXP Semiconductors N.V.)近日推出首款采用1.
上个月,我们报道过英特尔将为Altera代工64位四核ARM芯片的消息,自此该公司开始了x86和ARM"两手抓"的历程。至于这么做的原因,或许是新任CEO Brian Krzanich想要让代工业务更加迅速地扩张,以规避自家芯片需求下降所
使用单层碳纳米管(CNT)作为半导体材料的CNT晶体管终于迎来了开发加速的时期,并出现了在芯片上集成CNT晶体管,将其作为初级计算机试制系统的尝试。美国斯坦福大学电子工程学、计算机科学副教授萨巴辛·米特拉(Sub
元器件交易网讯 10月30日消息,据外媒Electronicsweekly报道,恩智浦半导体(NXP Semiconductors N.V.)今日宣布推出最小尺寸单、双芯片封装双晶体管DFN1010,采用可用的1.1mm x 1mm x 0.37mm DFN塑料SMD最小封装;扩大
核心提示:石墨烯有潜力彻底改变触摸屏、照明及高速晶体管等应用中的电子元件。在科学与产业领域,研究人员正在进一步研发与石墨烯的分层结构相似的二维(2D)材料,即过渡金属硫化物 (TMDs)。
如何测量ULN2003的输出电压?ULN2003是七重晶体管达林顿输出阵列,是集电极开路输出。输出状态为饱和和截止两种状态。要测量ULN2003的输出电压,得在ULN2003的输出口上接负载,负载一端接在ULN2003的输出口上,负载的
众所周知,晶体管要分成多种类型。其中,MOSFET作为基础器件由于其优越性能得到了广泛的应用。但是目前使用的场效应管存在两个被学术界称为PN结的结构。正常工作时源极和衬底间的PN结始终处于正向导通状态,所以在一
PNP型双极晶体管的偏置是由电阻分压器网络R1/R2。振荡晶体管的集电极一直保持电容C5的交流接地,C5非常靠近晶体管的位置。反馈是由电容分压器C2/C3提供的。